Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур - Попов, В.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П.; Шустов, Ю.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
С помощью ртутного микрозонда предложенной конструкции исследованы локальные электрофизические свойства структур Si-SiO₂ с тонким слоем оксида в области электрически активных дефектов с локальностью 5,25 мкм.