Вакив, Н., Круковский, С., Заячук, Д., Михащук, Ю., & Круковский, Р. (2010). Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Вакив, Н.М, С.И Круковский, Д.М Заячук, Ю.С Михащук, та Р.С Круковский. Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Вакив, Н.М, et al. Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.