Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна - Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Заячук, Д.М.; Михащук, Ю.С; Круковский, Р.С. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами.