Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
Рассмотрены особенности получения эпитаксиальных слоев InP с высокой подвижностью электронов из расплавов индия, легированного редкоземельными и изовалентными элементами....
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2010
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/51954 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна / Н.М. Вакив, С.И. Круковский, Д.М. Заячук, Ю.С. Михащук, Р.С. Круковский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2010. — № 3. — С. 50-53. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |