Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs - Горев, Н.Б.; Коджеспирова, И.Ф.; Привалов, Е.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2010)
Предложенный вольт-фарадный метод измерения концентрации незаполненных глубоких центров вблизи границы «пленка - подложка» не требует дорогостоящего оборудования и может быть легко встроен в технологический цикл изготовления приборов.