Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием - Новосядлый, С.П.; Вивчарук, В.М. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Разработана технология горизонтальной и вертикальной изоляции элементов БИС на основе пористого кремния, исследована возможность его использования для формирования МОП-транзисторов.