Титульные страницы и содержание
Gespeichert in:
Datum: | 2009 |
---|---|
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52090 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 1-2. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraineid |
irk-123456789-52090 |
---|---|
record_format |
dspace |
spelling |
irk-123456789-520902013-12-28T03:10:01Z Титульные страницы и содержание 2009 Article Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 1-2. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52090 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
collection |
DSpace DC |
language |
Russian |
format |
Article |
title |
Титульные страницы и содержание |
spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
title_short |
Титульные страницы и содержание |
title_full |
Титульные страницы и содержание |
title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
title_sort |
титульные страницы и содержание |
publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
publishDate |
2009 |
url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52090 |
citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 4. — С. 1-2. — рос. |
series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
first_indexed |
2025-07-04T14:26:37Z |
last_indexed |
2025-07-04T14:26:37Z |
_version_ |
1836726823525810176 |
fulltext |
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß
È
ÊÎÍÑÒÐÓÈÐÎÂÀÍÈÅ
Â
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ
ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÅ
ÍÀÓ×ÍÎ-ÒÅÕÍÈ×ÅÑÊÈÉ ÆÓÐÍÀË
Ãîä èçäàíèÿ 33-é
¹ 4 (82)
ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ
2009
© Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2009.
Ñîâðåìåííûå ýëåêòðîííûå òåõíîëîãèè
Îáåñïå÷åíèå çàäàííîé äëèíû ïðîâîäíèêîâ â ÑÀÏÐ TopoR.
Ëûñåíêî À. À., Ïîëóáàñîâ Î. Á.
Ýëåêòðîííûå ñðåäñòâà: èññëåäîâàíèÿ, ðàçðàáîòêè
Ñâåòîôèëüòðû ñ òîíêîïëåíî÷íûì ïðîçðà÷íûì íàãðåâàòåëåì.
Õîìè÷ È. Í.
Ñèñòåìû ïåðåäà÷è è îáðàáîòêè ñèãíàëîâ
Ñïîñîáû ïîâûøåíèÿ ýôôåêòèâíîñòè ìíîãîêàíàëüíîãî ôèëüòðà
äîïëåðîâñêîãî ñèãíàëà. Âàñèëåâñêèé Â. Â., Ãîëîâàíü Â. Ã.,
Äðîçäîâ Ì. À., Õèæíÿê Ò. À.
Ñåíñîýëåêòðîíèêà
Ïåðâè÷íûå ïðåîáðàçîâàòåëè äëÿ ìèêðîäàò÷èêîâ óñêîðåíèÿ è äàâ-
ëåíèÿ íà àëìàçíûõ ìàòåðèàëàõ. Àëòóõîâ À. À., Ìèòÿãèí À. Þ.,
Ìîãó÷åâ À. Â., Ìèòÿãèíà À. Á.
Ôóíêöèîíàëüíàÿ ìèêðî- è íàíîýëåêòðîíèêà
Ìîäåëü ëèíèè ïåðåäà÷è äëÿ íàíîýëåêòðîíèêè. Íåëèí Å. À.
Îáúåìíûå îïòè÷åñêèå ïîêðûòèÿ èç õàëüêîãåíèäíûõ ñòåêîë äëÿ
ïîëóïðîâîäíèêîâûõ èñòî÷íèêîâ ÈÊ-èçëó÷åíèÿ. Êàáàöèé Â. Í.
Îáåñïå÷åíèå òåïëîâûõ ðåæèìîâ
Ïðîãíîçèðîâàíèå ïîêàçàòåëåé íàäåæíîñòè äâóõêàñêàäíîãî òåð-
ìîýëåêòðè÷åñêîãî îõëàæäàþùåãî óñòðîéñòâà â ðåæèìå ∆Tmax.
Çàéêîâ Â. Ï., Êèíøîâà Ë. À., Ìîèñååâ Â. Ô., Êàçàíæè Ë. Ä.,
Êëþ÷íèêîâ Ä. À.
Ìàòåðèàëû ýëåêòðîíèêè
Âëèÿíèå îáëó÷åíèÿ êðåìíèÿ íèçêîýíåðãåòè÷åñêèìè èîíàìè àð-
ãîíà íà îáðàçîâàíèå â íåì ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ äåôåêòîâ.
Ïîïîâ Â. Ì., Øóñòîâ Þ. Ì., Êëèìåíêî À. Ñ., Ïîêàíåâè÷ À. Ï.
Ìîäèôèêàöèÿ áàðüåðíîé ñòðóêòóðû íà îñíîâå pAlGaInAs�nGaAs
ïîñëåäîâàòåëüíî ñîåäèíåííûìè ïîòåíöèàëüíûìè áàðüåðàìè.
Êàðèìîâ À. Â., ¨äãîðîâà Ä. Ì., Ãèÿñîâà Ô. À., Çîèðîâà Ë. Õ.,
Àáäóëõàåâ Î. À., Äæóðàåâ Ä. Ð.
Ìåòðîëîãèÿ. Ñòàíäàðòèçàöèÿ
Ìåòîä ñ÷èòûâàíèÿ è îáðàáîòêè ñòàöèîíàðíûõ èíòåðôåðåíöèîí-
íûõ êàðòèí. Èëüèí Â. Í., Äóáåøêî À. Â., Ìèõàåâè÷ Ä. À.
Áèáëèîãðàôèÿ
Àíîòàöèè ê ñòàòüÿì íîìåðà
Íîâûå êíèãè
 ïîðòôåëå ðåäàêöèè
Âûñòàâêè. Êîíôåðåíöèè
Îäîáðåíî ê ïå÷àòè Ó÷åíûì ñîâåòîì ÎÍÏÓ
(Ïðîòîêîë ¹ 10 îò 23.06 2009 ã.)
ÃËÀÂÍÛÉ ÐÅÄÀÊÒÎÐ
Ê.ò.í. Â. Ì. ×ìèëü
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÛÉ ÑÎÂÅÒ
Ê.ò.í. Í. Ì. Âàêèâ (ã. Ëüâîâ)
Ä.ò.í. Â. Í. Ãîäîâàíþê (ã. ×åðíîâöû)
Ê.ò.í. À. À. Äàøêîâñêèé (ã. Êèåâ)
Í. Â. Êîí÷èö (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Â. Ï. Ìàëàõîâ (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-ì.í. Â. Ô. Ìà÷óëèí (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Ì. Ê. Ìîæàð (ã. Êèåâ)
Â. À. Ïðîöåíêî (ã. Êèåâ)
Å. À. Òèõîíîâà (ã. Îäåññà)
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÀß ÊÎËËÅÃÈß
Ä.ò.í. Ñ. Ã. Àíòîùóê (ã. Îäåññà)
Ä.ò.í. À. À. Àùåóëîâ (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ò.í. Â. Â. Áàðàíîâ (ã. Ìèíñê)
Ê.ò.í. Ý. Í. Ãëóøå÷åíêî,
çàì. ãë. ðåäàêòîðà (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Â. Â. Äàíèëîâ (ã. Äîíåöê)
Ä.ò.í. Â. Ò. Äåéíåãà (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-ì.í. Â. À. Äðîçäîâ (ã. Îäåññà)
Ê.ò.í. È. Í. Åðèìè÷îé,
çàì. ãë. ðåäàêòîðà (ã. Îäåññà)
Ê.ò.í. À. À. Åôèìåíêî,
îòâåòñòâåííûé ñåêðåòàðü (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-ì.í. Ä. Â. Êîðáóòÿê (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Ñ. Þ. Ëóçèí (ã. Ñ.-Ïåòåðáóðã)
Ê.ò.í. È. Ë. Ìèõååâà (ã. Êèåâ)
Ê.ò.í. Þ. Å. Íèêîëàåíêî (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-ì.í. Â. Â. Íîâèêîâ (ã. Îäåññà)
Ê.ô.-ì.í. À. Â. Ðûáêà (ã. Õàðüêîâ)
Ê.ò.í. Â. Â. Ðþõòèí (ã. ×åðíîâöû)
Ä. ô.-ì. í. Ì. È. Ñàìîéëîâè÷ (ã. Ìîñêâà)
Ä.ò.í. Â. Ñ. Ñèòíèêîâ (ã. Îäåññà)
Ä.õ.í. Â. Í. Òîìàøèê (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-ì.í. Î. È. Øïîòþê (ã. Ëüâîâ)
Ó×ÐÅÄÈÒÅËÈ
Ìèíèñòåðñòâî ïðîìûøëåííîé ïîëèòèêè
Óêðàèíû
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà
Íàó÷íî-ïðîèçâîäñòâåííîå
ïðåäïðèÿòèå «Ñàòóðí»
Îäåññêèé íàöèîíàëüíûé
ïîëèòåõíè÷åñêèé óíèâåðñèòåò
Èçäàòåëüñòâî "Ïîëèòåõïåðèîäèêà"
3
22
24
27
30
38
45
48
52
59
63
26, 37, 44, 58
21
3-ÿ, 4-ÿ ñòð. îáë.
(ðîñiéñüêîþ ìîâîþ)
ÒÅÕÍÎËÎÃIß
ÒÀ
ÊÎÍÑÒÐÓÞÂÀÍÍß
Â
ÅËÅÊÒÐÎÍÍIÉ
ÀÏÀÐÀÒÓÐI
ÍÀÓÊÎÂÎ-ÒÅÕͲ×ÍÈÉ ÆÓÐÍÀË
гê âèäàííÿ 33-é
¹ 4 (82)2009
Ç̲ÑÒ
Ñó÷àñí³ åëåêòðîíí³ òåõíîëî㳿
Çàáåçïå÷åííÿ çàäàíî¿ äîâæèíè ïðîâ³äíèê³â â ÑÀÏÐ
TopoR. Ëèñåíêî À. À., Ïîëóáàñîâ Î. Á. (3)
Åëåêòðîíí³ çàñîáè: äîñë³äæåííÿ, ðîçðîáêè
Ñâ³òëîô³ëüòðè ç òîíêîïë³âêîâèì ïðîçîðèì íàãð³âà÷åì.
Õîìè÷ ². Ì. (22)
Ñèñòåìè ïåðåäàâàííÿ òà îáðîáêè ñèãíàë³â
Ñïîñîáè ï³äâèùåííÿ åôåêòèâíîñò³ áàãàòîêàíàëüíîãî
ô³ëüòðó äîïëåð³âñüêîãî ñèãíàëó. Âàñèëåâñüêèé Â. Â.,
Ãîëîâàíü Â. Ã., Äðîçäîâ Ì. Î., Õèæíÿê Ò. À. (24)
Ñåíñîåëåêòðîí³êà
Ïåðâèíí³ ïåðåòâîðþâà÷³ äëÿ ì³êðîäàò÷èê³â ïðèñêîðåí-
íÿ ³ òèñêó íà àëìàçíèõ ìàòåð³àëàõ. Àëòóõîâ À. Î.,
̳òÿãèí Î. Þ., Ìîãó÷åâ Î. Â., ̳òÿãèíà À. Á. (27)
Ôóíêö³îíàëüíà ì³êðî- òà íàíîåëåêòðîí³êà
Ìîäåëü ë³í³¿ ïåðåäà÷³ äëÿ íàíîåëåêòðîí³êè. Íåë³í ª. À.
(30)
Îá�ºìí³ îïòè÷í³ ïîêðèòòÿ ç õàëüêîãåí³äíèõ ñòåêîë äëÿ
íàï³âïðîâ³äíèêîâèõ äæåðåë ²×-âèïðîì³íþâàííÿ. Êà-
áàö³é Â. Ì. (38)
Çàáåçïå÷åííÿ òåïëîâèõ ðåæèì³â
Ïðîãíîçóâàííÿ ïîêàçíèê³â íàä³éíîñò³ äâîêàñêàäíîãî
òåðìîåëåêòðè÷íîãî îõîëîäæóþ÷îãî ïðèñòðîþ â ðå-
æèì³ ∆Tmax. Çàéêîâ Â. Ï., Êèíøîâà Ë. À., Ìîéñººâ
Â. Ô., Êàçàíæ³ Ë. Ä., Êëþ÷íèêîâ Ä. À. (45)
Ìàòåð³àëè åëåêòðîí³êè
Âïëèâ îïðîì³íåííÿ êðåìí³þ íèçüêîåíåðãåòè÷íèìè
³îíàìè àðãîíó íà óòâîðåííÿ ó íüîìó åëåêòðè÷íî àê-
òèâíèõ äåôåêò³â. Ïîïîâ Â. Ì., Øóñòîâ Þ. Ì., Êëè-
ìåíêî À. Ñ., Ïîêàíåâè÷ Î. Ï. (48)
Ìîäèô³êàö³ÿ áàð�ºðíî¿ ñòðóêòóðè íà îñíîâ³
pAlGaInAs�nGaAs ïîñë³äîâíî ç�ºäíàííèìè ïîòåí-
ö³éíèìè áàð�ºðàìè. Êàð³ìîâ À. Â., Éîäãîðîâà Ä. Ì.,
óÿñîâà Ô. À., Çî¿ðîâà Ë. Õ., Àáäóëõàºâ Î. À., Äæó-
ðàºâ Ä. Ð. (52)
Ìåòðîëîã³ÿ. Ñòàíäàðòèçàö³ÿ
Ìåòîä ç÷èòóâàííÿ ³ îáðîáêè ñòàö³îíàðíèõ ³íòåðôåðåí-
ö³éíèõ êàðòèí. ²ëü¿í Â. Ì., Äóáåøêî Î. Â., Ìèõàºâè÷
Ä. Î. (59)
CONTENT
Modern electronic technologies
Pre-defined wire length support in TopoR CAD. Lysenko
A. A., Polubasov O. B. (3)
Electronic means: investigations, development
Colour-filters with a thin-film transparent heater. Kho-
mych I. N. (22)
Systems of transfer and processing of signals
Ways of increasing the multichannel dopler signal filter
efficiency. Vasilevsky V. V., Golovan V. G., Drozdov
M. A., Hyjnyak Ò. À. (24)
Sensoelectronics
Primary converters microsensor speedups and pressures
on diamond materials. Altuchov A. A., Mityagin A. Yu.,
Moguchev A. V., Mityagina A. B. (27)
Functional micro- and nanoelectronics
Transmission line model for nanoelectronics. Nelin E. A.
(30)
Optical chalcogenide glass coats for semiconductor
sources of IR-radiation. Kabatsiy V. Ì. (38)
Ensuring of thermal modes
Foreseeing the reliability indexes of two-cascade thermo-
electric cooling device in the mode of ∆Òmax. Zaykov
V. P., Kinshova L. A., Moiseev V. Ph., Kazanghi L. D.,
Klyuchnikov D. A. (45)
Materials of electronics
The influence of low energy argon ion irradiation on
generation of electrically active defects in silicon. Popov
V. M., Shustov Y. M., Klimenko A. S., Pokanevich A. P.
(48)
Modification of barrier structure on the basis of
pAlGaInAs�nGaAs by consecutively connected potential
barriers. Karimov A. V., Yodgorova D. M., Giyasova F. A.,
Abdulhaev O. A., Juraev D. R. (52)
Metrology. Standartization
Method of stationary interference patterns reading and
processing. Ilyin V. N., Dubeshko A. V., Mihaevich D. A.
(59)
|