Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов - Попов, В.М.; Шустов, Ю.М.; Клименко, А.С.; Поканевич, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Показано, что травление кремния ионами с низкой энергией является эффективным средством целенаправленной модификации электрофизических свойств его поверхности.