Модификация барьерной структуры на основе pAlGaInAs–nGaAs последовательно соединенными потенциальными барьерами - Каримов, А.В.; Ёдгорова, Д.М.; Гиясова, Ф.А.; Зоирова, Л.Х.; Абдулхаев, О.А.; Джураев, Д.Р. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Исследовано влияние последовательно соединенных потенциальных барьеров на физические процессы, протекающие в гетеропереходе на примере одно- и многобарьерных структур. В результате модификации увеличивается фоточувствительность приемника и расширяется его спектральный диапазон.