Акустойонні та акустоелектронні технології

The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Мачулін, В.Ф., Лепіх, Я.І., Оліх, Я.М., Романюк, Б.М.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainian
Veröffentlicht:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2007
Schriftenreihe:	№5
Schlagworte:	Статті та огляди
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

id	irk-123456789-523
record_format	dspace
spelling	irk-123456789-5232008-04-24T12:00:15Z Акустойонні та акустоелектронні технології Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М. Статті та огляди The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acousticion technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fectiveness and universality of acoustic-ion and acousticelectron methods which priorities are proved by patents for invention can play an important role for instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics. Представлено новий підхід до розв'язання проблеми керування параметрами напівпровідникових матеріалів у межах кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління характеристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (акустоіонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п'єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акустоіонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформаційних технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науково-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оптоелектроніка. 2007 Article Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp. 0372-6436 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523 uk №5 С. 3-8 Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection	DSpace DC
language	Ukrainian
topic	Статті та огляди Статті та огляди
spellingShingle	Статті та огляди Статті та огляди Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М. Акустойонні та акустоелектронні технології №5
description	The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acousticion technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fectiveness and universality of acoustic-ion and acousticelectron methods which priorities are proved by patents for invention can play an important role for instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics.
format	Article
author	Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М.
author_facet	Мачулін, В.Ф. Лепіх, Я.І. Оліх, Я.М. Романюк, Б.М.
author_sort	Мачулін, В.Ф.
title	Акустойонні та акустоелектронні технології
title_short	Акустойонні та акустоелектронні технології
title_full	Акустойонні та акустоелектронні технології
title_fullStr	Акустойонні та акустоелектронні технології
title_full_unstemmed	Акустойонні та акустоелектронні технології
title_sort	акустойонні та акустоелектронні технології
publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
publishDate	2007
topic_facet	Статті та огляди
url	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/523
citation_txt	Акустоіонні та акустоелектронні технології / В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк // Вісн. НАН України. — 2007. — N 5. — С. 3-8. — Бібліогр.: 11 назв. — укp.
series	№5
work_keys_str_mv	AT mačulínvf akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí AT lepíhâí akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí AT olíhâm akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí AT romanûkbm akustojonnítaakustoelektronnítehnologíí
first_indexed	2025-07-02T04:17:48Z
last_indexed	2025-07-02T04:17:48Z
_version_	1836507326093197312
fulltext	ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2007, № 5 3 СТАТТI ТА ОГЛЯДИ © МАЧУЛІН Володимир Федорович. Член-кореспондент НАН України. Директор Інституту фізики напів- провідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України (Київ). ЛЕПІХ Ярослав Ілліч. Доктор фізико-математичних наук. Завідувач лабораторії Одеського національного університету ім. І.І. Мечникова. ОЛІХ Ярослав Михайлович. Кандидат фізико-математичних наук. Старший науковий співробітник Інс- титуту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України. РОМАНЮК Борис Миколайович. Доктор фізико-математичних наук. Провідний науковий співробітник цієї установи. 2007. В. МАЧУЛІН, Я. ЛЕПІХ, Я. ОЛІХ, Б. РОМАНЮК АКУСТОЙОННІ ТА АКУСТОЕЛЕКТРОННІ ТЕХНОЛОГІЇ Сучасне виробництво напівпровідни- кових приладів ґрунтується переваж- но на кремнієвій технології виготовлен- ня КМОН-структур. Удосконалення таких структур спрямоване на зменшення товщи- ни підзатворного діелектрика, збільшення рівня легування каналу і ділянок сток-ви- ток, а також зменшення глибини залягання p-n переходу. Для одержання надмілких p-n переходів необхідно зменшити глибину залягання легуючого шару і знизити по- верхневий опір, що потребує збільшення ступеня активації домішки. І досі основ- ними методами розв’язання цієї проблеми залишаю ться йонно-променева модифіка- ція та син тез нових матеріалів з викори- станням іонних пучків. Ці технології ак- тивно розвиваються у світі і належать до технологій високого рівня. Новий підхід до вирішення означеного завдання — акустойонні технології [1–6]. Він полягає у використанні ультразвукової (УЗ) обробки напівпровідникових пластин під час імплантації (синтез, йонно-промене- ва обробка) для керування концентрацією точкових дефектів і стимулювання елект- ричної активації домішки. Ідея базується на результатах, отриманих упродовж остан- нього десятиліття щодо УЗ керування па- раметрами напівпровідникових матеріалів та характеристиками приладів, виготовле- них на їх основі. Механізм такої дії визна- чається взаємодією УЗ із системою струк- турних дефектів кристала, а самі акустости- мульовані явища пов’язані з індукованими змінами у системі електрично- та оп тично- активних дефектів [7]. Можли вість акусто- стимульованого прискорення процесів ди- фузії домішкових атомів і власних дефектів дає змогу розглядати УЗ обробку у трьох аспектах: як доволі перспективну для мо- дифікації параметрів матеріалів та готових напівпровідникових приладів; як самостій- ну ланку відповідної технології; як додатко- ву дію у стандартних процесах. На рис.1 на- ведено схематичне зображення УЗ комір- ки-тримача для імплантації кремнію в умо- вах УЗ навантаження. 4 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2007, № 5 Наведемо деякі принципові результати використання ультразвуку у h-n процесі (in situ) формування надмілких p-n переходів. По-перше, це звуження профілю імпланто- ваного в кремній бору. На рис. 2 показано профілі розподілу атомів бору В, імпланто- ваного у кремній під дією УЗ і в подальшо- му відпалених за температури 900 °С [1]. Видно, що відпал кремнієвої структури (900 °С, 30 с), імплантованої без УЗ-коли- вань, призводить до зміщення хво с тової частини профілю розподілу бору (кри ва 3) углиб зразка. Разом з тим хвос това частина профілю розподілу бору, ім плантованого під впливом ультразвуку, залиша ється не- змінною навіть у разі відпалу (кри ва 2). Встановлено, що під дією УЗ хви лі (на частоті fуз ≈ 10 МГц, інтенсивність Wуз ≈ (0,1–0,5)104 Вт/м2) відбуває ться аку сто- стимульоване видалення з ділян ки ім план- тації міжвузлових атомів, які утворюються під час йонної імплантації пластин кремнію. Причому у приповерхневій ділянці нако- пичуються вакансійні дефекти і відбуває- ться частковий відпал радіаційних дефек- тів та активація імплантованих атомів уже в процесі їхньої імплантації. УЗ також істотно впливає на структуру приповерхневої ділянки кремнію при ім- плантації атомів Ar — спостерігається збільшення товщини аморфізованого шару [2, 3]. При цьому аморфний шар ви- никає вже безпосередньо на поверхні пластини, його товщина зростає в ~ 1,3 ра- за. УЗ хвиля у нерівноважних умовах іон- ної імплантації спричинює рух внутріш- ньої межі розділу аморфної та кристаліч- ної фаз до поверхні. Збільшення товщини аморфного шару теж визначається акус- тостимульованим просторовим розділен- ням більш рухомих міжвузлових атомів і вакансій. Отже, використання in situ УЗ обробки дає змогу знизити критичну дозу аморфізації та отримати суцільний амор- фний шар за істотно менших концентра- цій введеної домішки. Цей ефект можна використати для зменшення ефективно- сті каналювання імплантованих електрич- но активних домішок у процесі виготов- лення мілких p -n переходів, а також для оптимізації фазової рекристалізації ім план- тованих шарів при відпалах дефектів піс- ля імплантації. Рис.1. Схематичне зображення УЗ комірки-тримача для імплантації кремнію в умовах УЗ навантаження. 1 — корпус-основа; 2 — збуджуючий п’єзо пе ре- творювач П1; 3 — акустична зв’язка; 4 — пластина кремнію; 5 — контрольний п’єзоперетворювач П2; 6 — корпус-кришка з вікном для імплантації; 7 — бол- ти кріплення; 8, 9 — ВЧ підводи приймального та збуджуючого п’єзоперетворювачів, відповідно; 10 — ущільнююче гумове кільце Рис. 2. Профілі розподілу атомів бору В у зразках Si, отримані методом вторинної йонно-масспектроскопії: кри ва 1 — контрольний зразок до відпалу; 2, 3 — після від палу за 900 °С, 30 с; зразок 2 імплантований за одно- часної дії УЗ; 3 — контрольний, імплантований без УЗ ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2007, № 5 5 У результаті використання УЗ під час іонної імплантації для надмілких p+ –n і n+ –p переходів досягнуто поліпшення електричних характеристик (ВАХ, вольт- ємнісних характеристик, напруги пробою тощо) та підвищення однорідності розподі- лу їх електрофізичних характеристик на площі пластини. Так, для МОН-транзис- торів з надмілкими р-n переходами зростає напруга пробою у 1,5–1,6 раза (рис. 3) і від- повідно зменшується струм витоку у разі зворотного зміщення [4]. При створенні надвисокочастотних (> 10 ГГц) електронних та оптоелектрон- них приладів на основі гетероструктур типу Si1-xGex/Si, Si1-xGex існує проблема механічних напружень і, відповідно, неста- більності параметрів. Потовщення плівки призводить до релаксації механічних на- пружень за рахунок генерації дислокацій невідповідності, концентрація яких дося- гає ~108–1011 см2. Частина дислокацій про- никає у плівку, що негативно позначаєть- ся на характеристиках приладів. Один із методів роз в’я зання даної проблеми — імплантація атомів Не з подальшим відпа- лом. Це супроводжується утворенням в об’ємі зразка буль башок гелію і після ге- нерації дислокацій компенсує механічні напруження у плів ці. Використання in situ УЗ обробки плі вок за імплантації йонів нe дає можли вості додатково зменшити меха- нічні напруження у структурі SixGe1-x/Si, ступінь релаксації яких сягає понад 80%. Таким чином, ми отримуємо малодефектні структури з великою товщиною SiGe-плів- ки та вмістом Ge до 30% [5]. Вважається, що основним механізмом УЗ дії є акусто- стимульоване впорядкування сітки дисло- кацій не відповідності, а також зро стання ймовірно сті анігіляції проникаючих дис- локацій. За підвищеного інтересу науковців до на но розмірних структур нині надзвичай- но актуальними є нові технологічні мож- ливості керованого формування нано кри- сталів, особливо кремнію, в різних ді е лек- тричних матрицях (SiO2, Si3N4, Al2O3). Застосування додаткової УЗ дії при ім - плантації йонами Si виявило важливий по - зитивний ефект впливу, зокрема, на лю- мінесцентні властивості наноструктур Si/SiO2 [6]. Встановлено, що УЗ обробка кристалу in situ спричинює зсув максимуму фотолюмінесценції у короткохвильову ді- лян ку і суттєво збільшує її інтенсивність. Цей ефект пояснюється тим, що УЗ дія сти- мулює утворення нанокристалів мен ших роз мірів за одночасного зростання їхньої концентрації. Отже, застосування УЗ оброб- ки in situ уможливлює керування розмірами нанокластерів Si та їхніми люмінесцентни- ми властивостями і може слугувати осно- вою для розробки принципово нових техно- логічних методів акустостимульованої іон- но-променевої інженерії формування нано- кристалів крем нію (і не тільки його). АКУСТОЕЛЕКТРОННІ ТЕХНОЛОГІЇ Р азом із дослідженням акустойонних тех нологій успішно вивчають акусто- Рис. 3. Розподіл напруги пробою VНП при зворотному зміщенні для p+-n переходів, сформованих без УЗ та з УЗ, відповідно 6 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2007, № 5 електронні явища, що спостерігаються у процесі поширення поверхневих акустич- них хвиль (ПАХ) у діелектриках і напів- провідниках. Особливо перспективними є результати вивчення можливостей ство- рення активних акустоелектронних при- строїв з керованими характеристиками на основі фізичних явищ, які виникають у процесі генерації, поширення і детектуван- ня ПАХ у шаруватих структурах типу напів- провідник–п’єзоелектрик, п’єзоелектрик–ва- куум–діелектрик, п’єзоелектрик–фо то чут - ли вий напівпровідник тощо [8]. Результати до слі джень таких структур мо жуть бути фундаментальною базою для створення акус то-, опто-, мікроелектронних пристроїв, сенсорів фізичних величин і газів з унікаль- ними характеристиками, що особливо важ- ливо для розвитку інформаційних систем якісно нового рівня. Зокрема, використання структур з функ- ціональних матеріалів, які поєднують у собі властивості напівпровідника, п’є зо елект ри- ка і фотоелектрика, як, наприклад, CdS/ LiNbO3, відкриває можливості створення функціонально інтегрованих мікроелект- ронних пристроїв, що здатні виконувати складні операції сприйняття і обробки сиг- налів [9]. За успіхами пасивної акустоелектроніки, зокрема, впровадження пристроїв частот- но-часової селекції у системи зв’язку і те- лекомунікацій, очікуються нові досягнення, пов’язані з розробками активних акусто- електронних пристроїв з керованими ха- рактеристиками. Це особливо виразно ви - являється у такому перспективному нау- ково-технічному напрямі, як сенсорика. Причому, що важливо, базовий елемент на ПАХ може бути основою для створення як сенсорів фізичних величин різного функ- ціонального призначення (переміщень лі- ній ного і кутового, тиску, зусилля, темпе- ратури тощо), так і сенсорів газів. Використання акустоелектронних ефек- тів, зокрема в сенсорах фізичних величин, сприяє досягненню унікальних метроло- гічних й експлуатаційних параметрів. Так, використання кутової залежності фазової шви д кості ПАХ Релея в анізотропних п’є- зо електриках за безконтактного збуджен- ня від крило можливість збільшення керо- ваності основними характеристиками акус- то електронних пристроїв на ПАХ (зміни величин параметрів) приблизно в 6–8 ра- зів порівняно з результатами, одержаними іншими авторами [10]. Додатковою і досить значною перевагою сенсорів з елементами на ПАХ є високий сту- пінь уніфікації конструктивно-технологіч- них рішень і порівняно легке їх сполучення з ЕОМ та мікропроцесорною технікою, що за- безпечує розв’язання проблеми інтелектуалі- зації сенсорів. Одним із прикладів, які під- тверджують успіхи реалізації такого підходу, є сенсор тиску, зображений на рис. 4. Результати досліджень структури анізо- тропний п’єзоелектрик — шар повітря—ді- електрик, яка реалізує явище кутової залеж- ності ПАХ, стали підґрунтям для створення нового покоління керованих акустоелект- ронних пристроїв різного функ ціонального призначення — не тільки сенсорів фізичних величин, а й радіокомпонентів частотно-ча- сової селекції з переналагоджуваними пара- метрами тощо [10]. Це дає змогу підвищи - ти тактико-технічні характеристики систем Рис. 4. Сенсор надлишкового тиску ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2007, № 5 7 зв’яз ку, управління, радарів тощо. Суттєво, що для реалізації даного методу не потрібні високі технології і великі капіталовкладен- ня, а в сучасних українських реаліях це особливо важливо для нашої держави. Вражаючі перспективи акустоелектрон- них методів у сенсориці відкриваються за умови інтеграції досягнень різних напрямів функціональної електроніки, зокрема акус- то- і молекулярної електроніки. Так, техно- логія Ленгмюра—Блоджетт (Л—Б) для фор- мування моно- чи полімолекулярних плів- кових структур на поверхні п’є зо електрика— звукопроводу елемента на ПАХ дає змогу кардинально підвищити метрологічні харак- теристики та інтелектуалізувати сенсори га зів. Перспективи такого підходу ґрунту- ються на можливостях використання фізич- них ефектів поширення ПАХ у п’є зо елек- триках, впливу на умови поширення фізи- ко-хімічних процесів взаємодії тонких плів- кових структур з компонентами газового середовища, що адекватно відображається у параметрах вихідного сигналу сенсора. При- чому проблема чутливості і селективності сенсорів розв’язується головним чином зав- дяки рецепторним властивостям мономоле- кулярних плівкових Л—Б структур, а частот- ний вигляд вихідного сигналу сенсорів дає змогу легко сполучати їх з мікропроцесор- ною технікою і забезпечити інтелектуаліза- цію. Базову конструкцію такого сенсора схе- матично показано на рис. 5. Таким чином, ефективність й універсаль- ність акустойонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені па- тентами на винахід, можуть істотно впли- нути на розвиток приладо- і машинобуду- вання, а також інформаційних технологій. Є підстави вважати, що акустойонні та акустоелектронні технології можуть бути базовими для низки перспективних науко- во-технічних напрямів [11]. Назвемо їх. Технологія тонких плівок. Синергетичне впорядкування нерівноважних структур, стимульоване акустойонною дією; модифі- кація властивостей границь поділу фаз; збільшення адгезії, перемішування фаз, створення нерівноважних умов і стимулю- вання фазових переходів. Наноелектроніка. Формування нанороз- мірних об’єктів, перспективних для систем оптоелектроніки, обробки оптичної інфор- мації, синтез нанокластерів за рахунок сти- мульованого їх зародження під дією УЗ; формування вбудованих у матрицю нано- розмірних шарів. Функціональна мікроелектроніка, зокре- ма акусто-, оптоелектроніка, акустоопти- ка. Створення активних акустоелектрон- них пристроїв нового покоління з керова- ними характеристиками для виконання складних функцій сприйняття й обробки інформації, сенсорів фізичних величин та сенсорів газів нового покоління. Дослідження в цих науково-технічних напрямах інтенсивно ведуть провідні уні- верситети і фірми США, Великої Британії, Німеччини, Італії, Росії, Японії та інших країн. Деякі з названих держав фінансують ці роботи в рамках національних програм або на замовлення оборонних відомств. Це зумовлено обґрунтованими прогнозами от- римання значних практичних результатів щодо створення нового покоління приладів для забезпечення інформаційних систем. Рис. 5. Базова конструкція сенсора газу на основі еле- мента на ПАХ 8 ISSN 0372-6436. Вісн. НАН України, 2007, № 5 1. Krüger D., Romanyuk B., Olikh Ya. et al. Method of Fabricating Ion-Implanted Doping Layers in Semi- conductor Materials and Integrated Circuits. US Patent No. 6358823B, March 19, 2002. 2. Romanyuk B., Melnik V., Olikh Ya. et al. Modification of the Si amorphization process by in-situ ultrasonic treatments during ion implantation // Semicond. Sci. & Technology. — 2001. — 16, P. 397. 3. Krüger D., Romanyuk B., Olikh Ya. et al. Influence of in-situ ultrasound treatment during ion implan- tation on amorphization and junction formation in Silicon // J. Vacuum Sci. & Technology. — 2002. — B 20, No 4. — P. 1448—1451. 4. Melnik V.P., Olikh Ya.M., Popov V.G. et al. Cha rac- te ristics of silicon p-n junction formed by ion implanta tion with in-situ ultrasound treatment // Material Sci ence and Engineering. — 2005. — V. 124—125. — P. 327—330. 5. Romanyuk B., Kladko V., Olikh Ya. et al. Enhanced re- laxation of SiGe layers by He implantation supported by in-situ ultrasonic treatments // Mater. Sci. in Se- micond. Processin — 2005. — 8, No 4. — P. 171—175. 6. Martinyuk O., Olikh Ya., Romanyuk B. et al. SiO2 and Si3N4 phase formation by ion implantation with in- situ ultrasound treatment // Science and Technolo- gy of Semiconductor-On-Insulator Structures and De vices Operating in a Harsh Environment //Ed. D. Flandre et al, Kluwer: Academic Publ., 2005. — P. 97—102. 7. Olikh Ja. M., Olikh O. Ja. Active ultrasound effects and their future usage in sensor electronics // Senso r Electronics and Microsystem Technologies. — 2004. — No 1. — P. 19—29. 8. Лепіх Я.І. Фізичні явища в структурах на пів- провідник—п’єзоелектрик та можливості ство рен- ня нового класу пристроїв на їх основі // Журн. фіз. досліджень. — 2003. — 7, № 2. — С. 127—131. 9. Lepikh Ya. I. The sensor of infra-red radiation sources temperature // 7th International Conference on In- frared Sensors Systems. Proceedings. (14—16 May, 2002) / 2002. — Fr-furt, Germany. — P. 179—181. 10. Lepikh Ya. I. The state and prospects of the sen- sor electronics based on acoustoelectronic phe- nomena // Sensor Electronics and Microsystems Technologiеs. — 2004. — No 1. — P. 45—58. 11. Лепіх Я.І., Мачулін В.Ф., Оліх Я.М., Романюк Б.М. Акустоелектронні та акустойонні технології: стан і перспективи // Всеукраїнський з’їзд «Фізика в Україні». Тез. доп. (Одеса, 3—6 жовтня, 2005) / 2005. — С. 31—32. В. Мачулін, Я. Лепіх, Я. Оліх, Б. Романюк АКУСТОЙОННІ ТА АКУСТОЕЛЕКТРОННІ ТЕХНОЛОГІЇ Р е з ю м е Представлено новий підхід до розв’язання пробле- ми керування параметрами напівпровідникових ма- теріалів у рамках кремнієвої технології виготовлення КМОН-приладів, а також проблеми управління харак- теристиками активних акустоелектронних пристроїв і створення на їх основі датчиків нового покоління. Він полягає у використанні ультразвукової обробки на- півпровідникових пластин під час імплантації (акус- тойонні технології) та вивченні фізичних явищ, які виникають у процесі поширення акустичних хвиль в анізотропних п’єзоелектриках (акустоелектронні технології). Ефективність та універсальність акус- тойонних і акустоелектронних методів, пріоритети яких підтверджені патентами на винахід, можуть мати суттєве значення для розвитку приладо-інформацій- них технологій і машинобудування, а також можуть бути базовими для ряду таких перспективних науко- во-технічних напрямів, як технологія тонких плівок, наноелектроніка, функціональна мікроелектроніка, оп тоелектроніка. V. Machulin, Ya. Lepikh, Ya. Olikh, B. Romanyuk ACOUSTIC-ION AND ACOUSTIC-ELECTRON TECHNOLOGIES S u m m a r y The new approach to problem solution of semi-conductor material control within the frame of silicon technology of KMON-devices manufacturing is presented as well as to active acoustic-electron devices characteristic control problem and creation of new generation gauges based on these devices. The approach is to use ultrasonic treatment of semi-conduct plates during implantation (acoustic- ion technologies) and to investigate physical phenomena that occur during acoustic waves spread in anisotropic piezoelectrics (acoustic-electron technologies). Ef fec- tiveness and universality of acoustic-ion and acoustic- electron methods which priorities are proved by pa- tents for invention can play an important role for instrument-making industry, information technologies, machine building, as well as become the basis of such advance scientific and engineering trends as thin film technology, nanoelectronics, functional microelectronics, optoelectronics.

Акустойонні та акустоелектронні технології

Institution

Ähnliche Einträge