Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs - Горев, Н.Б.; Коджеспирова, И.Ф.; Привалов, Е.Н. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2009)
Предложен метод измерения вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур с участками крутого падения с использованием измерительного переменного напряжения умеренно малых амплитуд.