Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления

Представлены результаты исследования и оптимизации процесса формирования карбидокремниевой мезаструктуры для p-i-n-диода на промышленной технологической базе. Исследованы характеристики диодов в интервале температуры 25-500 °С....

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2009
Main Authors: Болтовец, Н.С., Борисенко, А.Г., Иванов, В.Н., Федорович, О.А., Кривуца, В.А., Полозов Б.П.
Format: Article
Language:Russian
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Series:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Subjects:
Технологические процессы и оборудование
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52315
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления / Н.С. Болтовец, А.Г. Борисенко, В.Н. Иванов, О.А. Федорович, В.А. Кривуца, Б.П. Полозов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 5. — С. 45-48. — Бібліогр.: 8 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items