Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
Обнаружено два режима извлечения ионов: пучковый и плазменный, переход между которыми происходит при некотором критическом потенциале плазмы в источнике.
Saved in:
Date: | 2009 |
---|---|
Main Authors: | Дудин, С.В., Рафальский, Д.В. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52330 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы / С.В. Дудин, Д.В. Рафальский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 42-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
by: Дудин, С.В., et al.
Published: (2010) -
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
by: Никитинский, В.А., et al.
Published: (2006) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
by: Болтовец, Н.С., et al.
Published: (2009) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
by: Александров, С.Б., et al.
Published: (2011) -
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
by: Дудин, С.В., et al.
Published: (2011)