Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы
Обнаружено два режима извлечения ионов: пучковый и плазменный, переход между которыми происходит при некотором критическом потенциале плазмы в источнике.
Збережено в:
Дата: | 2009 |
---|---|
Автори: | Дудин, С.В., Рафальский, Д.В. |
Формат: | Стаття |
Мова: | Russian |
Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Теми: | |
Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52330 |
Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Цитувати: | Закономерности формирования пучка ионов низкой энергии при помощи односеточной ионно-оптической системы / С.В. Дудин, Д.В. Рафальский // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2009. — № 6. — С. 42-45. — Бібліогр.: 10 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
-
Широкоапертурный высокочастотный источник ионов низкой энергии с электронной компенсацией
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2010) -
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Болтовец, Н.С., та інші
Опубліковано: (2009) -
Технологические источники ионов на основе контрагированных разрядов
за авторством: Никитинский, В.А., та інші
Опубліковано: (2006) -
Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011) -
Высокочастотный реактор с асимметричными электродами для плазмохимического травления полупроводников
за авторством: Дудин, С.В., та інші
Опубліковано: (2011)