Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
Установлено, что фоточувствительные структуры Ni–n–GaAs при освещении со стороны полупрозрачного слоя никеля практически не реагируют на свет в фаулеровской области спектра hv=0,9...1,25 эВ....
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52390 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2008. — № 1. — С. 31-34. — Бібліогр.: 17 назв. — рос. |