Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей - Марончук, И.Е.; Дображанский, Ю.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2008)
Процесс жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова позволяет получить гетероструктуры, содержащие квантовые точки.