Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs - Мелебаев, Д.; Мелебаева, Г.Д.; Рудь, Ю.В.; Рудь, В.Ю. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2007)
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью.