Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
Созданы и исследованы двухсторонние фоточувствительные структуры Au–n-GaAs. Показана новая возможность определения высоты барьера по методу фотоответа с высокой точностью и надежностью....
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52810 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs / Д. Мелебаев, Г.Д. Мелебаева, Ю.В. Рудь, В.Ю. Рудь // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 33-37. — Бібліогр.: 21 назв. — рос. |