Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
Наноскопический анализ окисленной поверхности кристаллов SnS₂ указывает на образование наноигл высокой плотности.
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52812 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, О.С. Литвин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 41-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Наноскопический анализ окисленной поверхности кристаллов SnS₂ указывает на образование наноигл высокой плотности. |
|---|