Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
Наноскопический анализ окисленной поверхности кристаллов SnS₂ указывает на образование наноигл высокой плотности.
Saved in:
Date: | 2007 |
---|---|
Main Authors: | Катеринчук, В.Н., Ковалюк, М.З., Литвин, О.С. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
Subjects: | |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52812 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, О.С. Литвин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 41-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2005) -
Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
by: Назарько, А.И., et al.
Published: (2009) -
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
by: Ковалюк, З.Д., et al.
Published: (2007) -
Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
by: Габа, В.М.
Published: (2009) -
Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2012)