Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂

Наноскопический анализ окисленной поверхности кристаллов SnS₂ указывает на образование наноигл высокой плотности.

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Катеринчук, В.Н., Ковалюк, М.З., Литвин, О.С.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52812
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂ / В.Н. Катеринчук, М.З. Ковалюк, О.С. Литвин // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 3. — С. 41-42. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Повышение зонной избирательности электромагнитных кристаллов
за авторством: Назарько, А.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Измерение температуры с использованием оптических датчиков на основе двулучепреломляющих кристаллов
за авторством: Габа, В.М.
Опубліковано: (2009)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2012)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Гаркавенко, А.С.
Опубліковано: (2011)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Физико-технологические аспекты создания низковольтных ограничителей напряжения на основе кремния
за авторством: Рахматов, А.З., та інші
Опубліковано: (2010)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)

Схемотехника СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора для элементного анализа материалов
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
за авторством: Семенов, А.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
за авторством: Добровольский, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2011)

Температурные поля в растущем кристалле «солнечного кремния»
за авторством: Кондрик, А.И., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Добровольский, Ю.Г.
Опубліковано: (2012)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Солодуха, В.А., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
за авторством: Смынтына, В.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Микросборка на кремниевой плате для акселерометра
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)