Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона

Изготовлены и исследованы планарные алмазные «солнечно-слепые» фотоприемники УФ-диапазона. Приведено теоретическое обоснование принципов работы и экспериментальные параметры фотоприемников в фоторезистивном и фотодиодном режимах....

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Алтухов, А.А., Митягин, А.Ю., Горохов, Е.В., Фещенко, В.С., Талипов, Н.Х.
Format:	Artikel
Sprache:	Russian
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2007
Schriftenreihe:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Online Zugang:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52829
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона / А.А. Алтухов, А.Ю. Митягин, Е.В. Горохов, В.С. Фещенко, Н.Х. Талипов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 4. — С. 29-31. — Бібліогр.: 5 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Ähnliche Einträge

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Бобренко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Модель алмазного транзистора
von: Алтухов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
von: Коган, Л.М.
Veröffentlicht: (2012)

Особенности проектирования внутренних цепей питания микромощных БИС на основе элементов инжекционной логики
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Индуктивность, электрически перестраиваемая полупроводниковой структурой
von: Семенов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Методы минимизации энергопотребления при проектировании КМОП БИС
von: Белоус, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Анизотропная термоэлектрическая матрица для регистрации излучения
von: Ащеулов, А.А.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Координатно-чувствительный приемник на основе анизотропного оптико-термоэлемента
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Сидоренко, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Захарченко, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Кремниевый p–i–n-фотодиод с малым темновым током
von: Добровольский, Ю.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Интегральные схемы самосканируемых линейных фотоприемников в интроскопии и томографии
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
von: Дружинин, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
von: Тонкошкур, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
von: Глауберман, М.А., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Зависимость эффективности электролюминесцентных индикаторов от параметров источника питания
von: Ленков, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гибридная интегральная схема для обработки звукового сигнала
von: Ковальчук, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Помехоподавляющие магнитопроводы из микропровода в стеклянной изоляции
von: Колпакович, Ю.И., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Роль пластической деформации в получении нанокремния
von: Смынтына, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Аномальный фотовольтаический эффект в структуре с барьером Шоттки–Мотта
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Исследование импульсных характеристик ограничителей напряжения
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Применение гибких носителей при сборке кремниевых детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Абдулхаев, О.А., et al.
Veröffentlicht: (2015)