Титульные страницы и содержание
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2007
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52866 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 1-2. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-52866 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-528662014-01-09T03:06:28Z Титульные страницы и содержание 2007 Article Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 1-2. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52866 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Титульные страницы и содержание |
| spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| title_short |
Титульные страницы и содержание |
| title_full |
Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
| title_sort |
титульные страницы и содержание |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2007 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52866 |
| citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2007. — № 5. — С. 1-2. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-05T04:22:17Z |
| last_indexed |
2025-07-05T04:22:17Z |
| _version_ |
1836779399386497024 |
| fulltext |
ÒÅÕÍÎËÎÃÈß
È
ÊÎÍÑÒÐÓÈÐÎÂÀÍÈÅ
Â
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÎÉ
ÀÏÏÀÐÀÒÓÐÅ
ÍÀÓ×ÍÎ-ÒÅÕÍÈ×ÅÑÊÈÉ ÆÓÐÍÀË
Ãîä èçäàíèÿ 31-é
¹ 5 (71)
ÑÎÄÅÐÆÀÍÈÅ
2007
© Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2007.
Ýëåêòðîííûå ñðåäñòâà: èññëåäîâàíèÿ, ðàçðàáîòêè
Ýëåêòðîííûå ïðèáîðû íà îñíîâå ïîëóèçîëÿòîðîâ. Ñòàôååâ Â. È.
Äàò÷èêè óñêîðåíèé è ñèëû èíåðöèè è òÿãîòåíèÿ. Ãîëóá Â. Ñ.
Ýêñïåðèìåíòàëüíîå èññëåäîâàíèå äâîéíîé äèôðàêöèè ýëåêòðîìàã-
íèòíîé âîëíû íà îáëó÷àåìîì îáúåêòå. Âîëîäèí È. À., Êîñÿêèí
Â. Í., Ñåðãååâ Â. È., Ô¸äîðîâà Ç. Í., ×àïëûãèí À. À., ×èãàðåâ Á. Í.
Òîíêîïëåíî÷íûå ýëåìåíòû êðåìíèåâûõ äèîäîâ Øîòòêè äëÿ âûñî-
êîòåìïåðàòóðíîãî ìèêðîìîíòàæà. Áàðàíîâ Â. Â., Ñîëîâüåâ ß. À.,
Êîøêàðîâ Ã. Â.
Ðàñ÷åò ýëåêòðîìàãíèòíîãî ïîëÿ â ýëåêòðîííûõ ìîäóëÿõ ñ èñïîëüçî-
âàíèåì èíòåãðàëà Çîììåðôåëüäà. Êîííèêîâ È. À.
Òåõíèêà ñâåðõâûñîêèõ ÷àñòîò
Ïðèìåíåíèå ãåíåòè÷åñêîãî àëãîðèòìà â çàäà÷àõ äîïóñêîâîãî ñèí-
òåçà ìèêðîïîëîñêîâûõ óñòðîéñòâ. Êðèùóê Â. Í., Êàðïóêîâ Ë. Ì.,
Øèëî Ã. Í., Ôàðàôîíîâ À. Þ., Àðòþøåíêî Á. À.
Ñåíñîýëåêòðîíèêà
Ïîâåðõíîñòíî-áàðüåðíûå ñòðóêòóðû äëÿ óëüòðàôèîëåòîâûõ ñåíñî-
ðîâ ïëàìåíè. Áîáðåíêî Þ. Í., Øåðåìåòîâà Ã. È., Ñåìèêèíà Ò. Â.,
ßðîøåíêî Í. Â.
Ðàñ÷åò êîýôôèöèåíòà ïðåîáðàçîâàíèÿ êîíäóêòîìåòðè÷åñêîãî äàò-
÷èêà áèîñåíñîðà. Ìèõàëü À. À., Ðóáàí÷óê Ì. Ï.
Ôóíêöèîíàëüíàÿ ìèêðî- è íàíîýëåêòðîíèêà
Ñòðóêòóðà Òå�CdTe ñî ñâîéñòâîì ýëåêòðîííîãî ïåðåêëþ÷åíèÿ ñ
ïàìÿòüþ. Áàéäóëëàåâà À., Áîðù Â. Â., Âåëåùóê Â. Ï., Âëàñåíêî À. È.,
Äàóëåòìóðàòîâ Á. Ê., Ëåâèöêèé Ñ. Í., Ìîçîëü Ï. Å.
Ãåòåðîïåðåõîä íà îñíîâå êðèñòàëëà FeIn2Se4, ïîëó÷åííîãî ìåòî-
äîì Áðèäæìåíà. Êîâàëþê Ç. Ä., Êàòåðèí÷óê Â. Í., Íåòÿãà Â. Â.,
Çàñëîíêèí À. Â.
Òåõíîëîãè÷åñêèå ïðîöåññû è îáîðóäîâàíèå
Ñðàâíèòåëüíûé àíàëèç òåõíîëîãèé èçãîòîâëåíèÿ êðåìíèåâûõ ñõåì
ñ÷èòûâàíèÿ èíôîðìàöèè ñ ÈÊ-ôîòîäèîäîâ. Ðåâà Â. Ï., Êîðèíåö
Ñ. Â., Ïèñàðåíêî Ë. À., Äóõíèí Ñ. Å., Áàðñóêîâà Í. À.
Òåõíîëîãèÿ èçãîòîâëåíèÿ àâòîýìèññèîííûõ êðåìíèåâûõ êàòîäîâ
ñóáìèêðîííûõ ðàçìåðîâ. Äðóæèíèí À. A., Ãîëîòà Â. È., Êî-
ãóò È. Ò.
Íàïðàâëåííàÿ êðèñòàëëèçàöèÿ ñèëèöèäíûõ ïëåíîê íà êðåìíèåâîé
ïîäëîæêå. Áåëîóñîâ È. Â.
Óëüòðàçâóêîâàÿ î÷èñòêà îïòèêî-ìåõàíè÷åñêèõ ñèñòåì. Òîìàëü Â. Ñ.
Ìàòåðèàëû ýëåêòðîíèêè
Ñèíòåç ôåððîìàãíèòíûõ îêñèäîâ � íàïîëíèòåëåé ðàäèîìàòåðèà-
ëîâ. Äåìüÿí÷óê Á. À., Ïîëèùóê Â. Å.
Áèáëèîãðàôèÿ
Íîâûå êíèãè
 ïîðòôåëå ðåäàêöèè
Âûñòàâêè. Êîíôåðåíöèè
ÃËÀÂÍÛÉ ÐÅÄÀÊÒÎÐ
Ê.ò.í. Â. Ì. ×ìèëü
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÛÉ ÑÎÂÅÒ
Ê.ò.í. Í. Ì. Âàêèâ (ã. Ëüâîâ)
Ä.ò.í. Â. Í. Ãîäîâàíþê (ã. ×åðíîâöû)
Ê.ò.í. À. À. Äàøêîâñêèé (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Â. Ï. Ìàëàõîâ (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-ì.í. Â. Ô. Ìà÷óëèí (ã. Êèåâ)
Â. À. Ïðîöåíêî (ã. Êèåâ)
Å. À. Òèõîíîâà (ã. Îäåññà)
ÐÅÄÀÊÖÈÎÍÍÀß ÊÎËËÅÃÈß
Ä.ò.í. À. À. Àùåóëîâ (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ò.í. Â. Â. Áàðàíîâ (ã. Ìèíñê)
Ê.ò.í. Ý. Í. Ãëóøå÷åíêî,
çàì. ãë. ðåäàêòîðà (ã. Êèåâ)
Ä.ò.í. Â. Â. Äàíèëîâ (ã. Äîíåöê)
Ä.ò.í. Â. Ò. Äåéíåãà (ã. Îäåññà)
Ä.ô.-ì.í. Â. À. Äðîçäîâ (ã. Îäåññà)
Ê.ò.í. È. Í. Åðèìè÷îé,
çàì. ãë. ðåäàêòîðà (ã. Îäåññà)
Ê.ò.í. À. À. Åôèìåíêî,
îòâåòñòâåííûé ñåêðåòàðü (ã. Îäåññà)
Ë. Ì. Ëåéäåðìàí (ã. Îäåññà)
Ä.ò.í. Ñ. Þ. Ëóçèí (ã. Ñ.-Ïåòåðáóðã)
Ê.ò.í. È. Ë. Ìèõååâà (ã. Êèåâ)
Ê.ò.í. Þ. Å. Íèêîëàåíêî (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-ì.í. Â. Â. Íîâèêîâ (ã. Îäåññà)
Ê.ô.-ì.í. À. Â. Ðûáêà (ã. Õàðüêîâ)
Ê.ò.í. Â. Â. Ðþõòèí (ã. ×åðíîâöû)
Ä.ô.-ì.í. Ï. Â. Ñåðáà (ã. Òàãàíðîã)
Ä.õ.í. Â. Í. Òîìàøèê (ã. Êèåâ)
Ä.ô.-ì.í. Î. È. Øïîòþê (ã. Ëüâîâ)
Ó×ÐÅÄÈÒÅËÈ
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà,
Íàó÷íî-ïðîèçâîäñòâåííîå
ïðåäïðèÿòèå «Ñàòóðí»,
Îäåññêèé íàöèîíàëüíûé
ïîëèòåõíè÷åñêèé óíèâåðñèòåò,
Ðåäàêöèÿ æóðíàëà «ÒÊÝÀ»
3
14
17
20
22
29
33
35
40
43
46
50
54
57
61
28, 32, 39, 45, 49, 64
16
3-ÿ, 4-ÿ ñòð. îáë.
(ðîñiéñüêîþ ìîâîþ)
ÒÅÕÍÎËÎÃIß
ÒÀ
ÊÎÍÑÒÐÓÞÂÀÍÍß
Â
ÅËÅÊÒÐÎÍÍIÉ
ÀÏÀÐÀÒÓÐI
ÍÀÓÊÎÂÎ-ÒÅÕͲ×ÍÈÉ ÆÓÐÍÀË
гê âèäàííÿ 31-é
¹ 5 (71)2007
Ç̲ÑÒ
Åëåêòðîíí³ çàñîáè: äîñë³äæåííÿ, ðîçðîáêè
Åëåêòðîíí³ ïðèëàäè íà îñíîâ³ íàï³â³çîëÿòîð³â. Ñòàôåºâ
Â. ². (3)
Äàò÷èêè ïðèñêîðåííÿ òà ñèëè ³íåðö³¿ ³ òÿæ³ííÿ. Ãîëóá
Â. Ñ. (14)
Åêñïåðèìåíòàëüíå äîñë³äæåííÿ ïîäâ³éíî¿ ä³ôðàêö³¿ åëåê-
òðîìàãí³òíî¿ õâèë³ íà îá�ºêò³, ÿêèé îïðîì³íþºòüñÿ. Âî-
ëîä³í ². Î., Êîñÿê³í Â. Ì., Ñåðãåºâ Â. ²., Ôåäîðîâà Ç. Ì.,
×àïëèã³í Î. Î., ×èãàðåâ Á. Ì. (17)
Òîíêîïë³âêîâ³ åëåìåíòè êðåìí³ºåâèõ ä³îä³â Øîòê³ äëÿ âè-
ñîêîòåìïåðàòóðíîãî ì³êðîìîíòàæó. Áàðàíîâ Â. Â., Ñî-
ëîâéîâ ß. Î., Êîøêàðîâ Ã. Â. (20)
Ðîçðàõóíîê åëåêòðîìàãí³òíîãî ïîëÿ ó åëåêòðîííèõ ìî-
äóëÿõ ç âèêîðèñòàííÿì ³íòåãðàëó Çîìåðôåëüäà. Êîíí³êîâ
². À. (22)
Òåõí³êà íàäâèñîêèõ ÷àñòîò
Çàñòîñóâàííÿ ãåíåòè÷íîãî àëãîðèòìó ó çàäà÷àõ äîïóñêî-
âîãî ñèíòåçó ì³êðîïîëîñêîâèõ ïðèñòðî¿â. Êðèùóê Â. Ì.,
Êàðïóêîâ Ë. Ì., Øèëî Ã. Ì., Ôàðàôîíîâ Î. Þ., Àðòþ-
øåíêî Á. À. (29)
Ñåíñîåëåêòðîí³êà
Ïîâåðõíåâî-áàð�ºðí³ ñòðóêòóðè äëÿ óëüòðàô³îëåòîâèõ ñåí-
ñîð³â ïîëóì�ÿ. Áîáðåíêî Þ. Ì., Øåðåìåòîâà Ã. ²., Ñåì³-
ê³íà Ò. Â., ßðîøåíêî Ì. Â. (33)
Ðîçðàõóíîê êîåô³ö³ºíòà ïåðåòâîðåííÿ êîíäóêòîìåòðè÷-
íîãî äàò÷èêà á³îñåíñîðà. Ìèõàëü Î. Î., Ðóáàí÷óê Ì. Ï.
(35)
Ôóíêö³îíàëüíà ì³êðî- òà íàíîåëåêòðîí³êà
Ñòðóêòóðà Òå�CdTe ç âëàñòèâ³ñòþ åëåêòðîííîãî ïåðåêëþ-
÷åííÿ ç ïàì�ÿòòþ. Áàéäóëëàºâà À., Áîðù Â. Â., Âåëåùóê
Â. Ï., Âëàñåíêî Î. ²., Äàóëåòìóðàòîâ Á. Ê., Ëåâèöüêèé
Ñ. Ì., Ìîçîëü Ï. ª. (40)
Ãåòåðîïåðåõ³ä íà îñíîâ³ êðèñòàëó FeIn2Se4, îäåðæàíîãî
çà ìåòîäîì Áðèäæìåíà. Êîâàëþê Ç. Ä., Êàòåðèí÷óê Â. Ì.,
Íåòÿãà Â. Â., Çàñëîíê³í À. Â. (43)
Òåõíîëîã³÷í³ ïðîöåñè òà îáëàäíàííÿ
Ïîð³âíÿëüíèé àíàë³ç òåõíîëîã³é âèãîòîâëåííÿ êðåìí³º-
âèõ ñõåì ç÷èòóâàííÿ ³íôîðìàö³¿ ç ²×-ôîòîä³îä³â. Ðåâà
Â. Ï., Êîðèíåöü Ñ. Â., Ïèñàðåíêî Ë. Î., Äóõí³í Ñ. ª., Áàð-
ñóêîâà Í. Î. (46)
Òåõíîëîã³ÿ âèãîòîâëåííÿ àâòîåì³ñ³éíèõ êðåìí³ºâèõ êà-
òîä³â ñóáì³êðîííèõ ðîçì³ð³â. Äðóæèí³í À. Î., Ãîëîòà
Â. ²., Êîãóò ². Ò. (50)
Ñïðÿìîâàíà êðèñòàë³çàö³ÿ ñèë³öèäíèõ ïë³âîê íà êðåìí³ºâ³é
ï³äêëàäö³. Áºëîóñîâ ². Â. (54)
Óëüòðàçâóêîâà î÷èñòêà îïòèêî-ìåõàí³÷íèõ ñèñòåì. Òî-
ìàëü Â. Ñ. (57)
Ìàòåð³àëè åëåêòðîí³êè
Ñèíòåç ôåððîìàãí³òíèõ îêñèä³â � íàïîâíþâà÷³â ðàä³î-
ìàòåð³àë³â. Äåì�ÿí÷óê Á. Î., Ïîë³ùóê Â. Þ. (61)
CONTENT
Electronic means: investigations, development
Electronic devices on the basis of semiinsulating crystal.
Stafeev V. I. (3)
Acceleration sensors, and inertia and gravity forces. Golub
V. S. (14)
About a experiments` results for research to double diffrac-
tion of electromagnetic wave on a radiation`s object. Volodin
I. A., Kosyakin V. N., Sergeev V. I., Fedorova Z. N., Chaplygin
A. A., Chigarev B. N. (17)
Thin-film elements of silicon Schottky diodes for high-
temperature packaging. Baranov V. V., Solovyev Ya. A.,
Koshkarov G. V. (20)
Ñomputation of electromagnetic field in electronic units on
the basis of calculation of the Sommerfeld integral. Konnikov
I. A. (22)
Engineering of superhigh frequencies
Tolerance assignment of microstrip devices with genetic
algorithm. Krischuk V. N., Karpukov L. M., Shilo G. N.,
Farafonov A. Yu., Artyushenko B. A. (29)
Sensoelectronics
Surface-barrier structures for UV flame sensors. Bobrenko
Yu. N., Sheremetova G. I., Semikina T. V., Yaroshenko N. V.
(33)
Calculation of transformation factor of conductimetric gauge
of the biosensor. Michal A. A., Rubanchuk M. P. (35)
Functional micro- and nanoelectronics
Structure Te-CdTe with properties of electronic switching
with memory. Baidullaeva A., Borshch V. V., Veleschuk V. P.,
Vlasenko O. I., Dauletmuratov B. K., Levytskyi S. N., Mozol�
P. E. (40)
Heterojunction on the basis of FeIn2Se4 crystal obtained by
the Bridgman method. Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M.,
Netyaga V. V., Zaslonkin V. A. (43)
Technological processes and equipment
The technologies of manufacture silicon readout devices
for IR sensor, comparative analysis. Reva V. Ð., Korinetz
S. V., Pysarenko L. A., Dukhnin S. E., Barsukova N. A. (46)
The preparation technology of field emission silicon cathode.
Druzhynin A. A., Holota V. I., Kogut I. T. (50)
Directional crystallization of films silicide on silicon sub-
strate. Belousov I. V. (54)
Ultrasonic clearing of optics-mechanical systems. Tomal
V. S. (57)
Materials of electronics
Synthesis of ferromagnetic oxides � loadingof radio-
materials. Demyanchuk B. A., Polishchuk V. E. (61)
|