Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора

Определены конструкция, удельное сопротивление эпитаксиальной пленки и толщина подзатворного окисла, при которых получены требуемые значения порогового напряжения транзистора....

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автори:	Леонов, Н.И., Лемешевская, А.М., Дудар, Н.Л., Гетьман, С.Н.
Формат:	Стаття
Мова:	Russian
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Назва видання:	Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Теми:	Функциональная микро- и наноэлектроника
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/52971
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора / Н.И. Леонов, А.М. Лемешевская, Н.Л. Дудар, С.Н. Гетьман // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 4. — С. 45-47. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Модель алмазного транзистора
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2011)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Разработка конструкции и технологии изготовления комплементарных транзисторов для радиационно стойких ИС
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2011)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
за авторством: Войцеховский, А.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Структура Те–CdTe со свойством электронного переключения с памятью
за авторством: Байдуллаева, А., та інші
Опубліковано: (2007)

Объемные оптические покрытия из халькогенидных стекол для полупроводниковых источников ИК-излучения
за авторством: Кабаций, В.Н.
Опубліковано: (2009)

Исследование пленок поликристаллического кремния для применения в фильтровых спектральных приборах
за авторством: Джавадов, Н.Г.
Опубліковано: (2005)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)

Инфракрасные отрезающие фильтры на основе монокристаллов CdSb, ZnSb для оптофотоэлектронных устройств
за авторством: Ащеулов, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел-InSe-окисел"
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2006)

Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Краснов, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Бобренко, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2009)

Моделирование магнитотранзисторов на основе одномерного уравнения непрерывности
за авторством: Глауберман, М.А., та інші
Опубліковано: (2013)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Катеринчук, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Горбань, А.Н., та інші
Опубліковано: (2008)

Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Сидор, О.Н., та інші
Опубліковано: (2012)

Разработка схемы и топологии элементов матрицы управляемых автоэмиссионных кремниевых микрокатодов
за авторством: Дружинин, А.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Волоконно-оптические демультиплексоры для систем передачи информации
за авторством: Дементьев, С.Г., та інші
Опубліковано: (2010)

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
за авторством: Форш, П.А., та інші
Опубліковано: (2009)

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)

Методика определения эффективной площади фоточувствительного элемента фотодиода
за авторством: Бутенко, В.К., та інші
Опубліковано: (2007)

Оптический аттенюатор
за авторством: Докторович, И.В., та інші
Опубліковано: (2005)

Алмазные фотоприемники ультрафиолетового диапазона
за авторством: Алтухов, А.А., та інші
Опубліковано: (2007)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2012)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Модуляционная поляриметрия полного внутреннего отражения, нарушенного алмазоподобными пленками
за авторством: Максименко, Л.С., та інші
Опубліковано: (2013)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
за авторством: Захарченко, А.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀,₂Ga₀,₈As–n+GaAs–n⁰Ga₀,₉In₀,₁As–Au-структуры
за авторством: Ёдгорова, Д.М., та інші
Опубліковано: (2008)

ПЗС-фотоматрицы с электронным умножением
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)

Координатно-чувствительный детектор заряженных частиц для спектроскопии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Абдулхаев, О.А., та інші
Опубліковано: (2015)

Кинетика деформации ВАХ оксидных варисторных структур, обусловленная перезарядкой локализованных состояний
за авторством: Тонкошкур, А.С., та інші
Опубліковано: (2014)

Акустооптические свойства стекол GexS100–x и акустооптический модулятор на их основе
за авторством: Блецкан, Д.И., та інші
Опубліковано: (2014)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Басанец, В.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Влияние разброса значений электрических параметров RGB-светодиодов на однородность свечения светодиодных экранов при минимальной градации яркости
за авторством: Велещук, В.П., та інші
Опубліковано: (2017)

СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора нового поколения с расширенным полем анализа для масс-спектрометрии
за авторством: Сидоренко, В.П., та інші
Опубліковано: (2018)