Создание Т-образного затвора в малошумящих полевых СВЧ-транзисторах - Босый, В.И.; Коржинский, Ф.И.; Семашко, Е.М.; Середа, И.В.; Середа, Л.Д.; Ткаченко, В.В. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Получены экспериментальные образцы транзисторов с Т-образными затворами высотой 1,1 мкм, длиной нижней части 0,15 мкм и верхней части - 0,8-1,0 мкм.