Выставки. Конференции·

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2006
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53279
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Выставки. Конференции· // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 30, 35. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-53279
record_format dspace
spelling irk-123456789-532792014-01-19T03:15:25Z Выставки. Конференции· 2006 Article Выставки. Конференции· // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 30, 35. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53279 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
format Article
title Выставки. Конференции·
spellingShingle Выставки. Конференции·
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
title_short Выставки. Конференции·
title_full Выставки. Конференции·
title_fullStr Выставки. Конференции·
title_full_unstemmed Выставки. Конференции·
title_sort выставки. конференции·
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2006
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53279
citation_txt Выставки. Конференции· // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 5. — С. 30, 35. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
first_indexed 2025-07-05T04:43:25Z
last_indexed 2025-07-05T04:43:25Z
_version_ 1836780729208406016
fulltext 30 ÒÅÕÍÈÊÀ È ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ ÑÂ× Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 5 Çàêëþ÷åíèå Òàêèì îáðàçîì, ïðîâåäåíî èññëåäîâàíèå òðåõ êîí- ñòðóêöèé òðàíñôîðìàòîðîâ, âûïîëíåííûõ â ìíîãî- ñëîéíîé GaAs-òåõíîëîãèè. Ïðåäëîæåí ìåòîä ïðî- ãðàììèðîâàíèÿ êîíñòðóêöèè äëÿ èññëåäîâàíèÿ ýëåê- òðîìàãíèòíûõ ñòðóêòóð. Ïîëó÷åíû òðàíñôîðìàòîðû, îáëàäàþùèå øèðîêîé äëÿ äàííîãî äèàïàçîíà ðàáî- ÷åé ïîëîñîé ÷àñòîò (1,5�5 ÃÃö) è èìåþùèå êîýô- ôèöèåíòû ïåðåäà÷è �4...�8 äÁ ïðè êîýôôèöèåíòàõ îòðàæåíèÿ �15...�20 äÁ. Ïðèâåäåíû àíàëèòè÷åñêèå çàâèñèìîñòè ýëåêòðè÷å- ñêèõ è êîíñòðóêòèâíûõ ïàðàìåòðîâ òðàíñôîðìàòîðîâ. Ïðåäñòàâëåíû ðåçóëüòàòû ìîäåëèðîâàíèÿ ñìåñèòåëåé ñ èñïîëüçîâàíèåì ïîëó÷åííûõ òðàíñôîðìàòîðîâ, â êîòîðûõ äîñòèãíóò áîëüøîé êîýôôèöèåíò ïåðåäà÷è ïðè ìàëûõ çíà÷åíèÿõ øóìîâ, èñêàæåíèé è êîýôôèöèåíòå îòðàæåíèÿ. Ïðè ýòîì èññëåäîâàíèÿ ïðîâîäèëèñü â ïðî- ñòåéøèõ îäíîáàëàíñíûõ ñõåìàõ. Ïîòåðè ïðåîáðàçî- âàíèÿ ñìåñèòåëåé ñîñòàâèëè íå áîëåå �6...�8 äÁ â ïîëîñå 1,2�4 ÃÃö. Äèíàìè÷åñêèé äèàïàçîí �30... 5 äÁ. Ïðè èñïîëüçîâàíèè äâóõáàëàíñíûõ ñõåì ñìåñèòå- ëåé ñëåäóåò îæèäàòü ëó÷øèõ ðåçóëüòàòîâ. Òðàíñôîðìàòîðû ìîãóò èñïîëüçîâàòüñÿ â ñìåñè- òåëÿõ, óñèëèòåëÿõ ìîùíîñòè è äðóãèõ ìîíîëèòíûõ ñòðóêòóðàõ. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Kehrer D., Simburger W., Wohlmuth H.-D., Scholtz A. L. Modeling of monolithic lumped planar transformers up to 20 GHz // IEEE Custom Integrated Circuits Conference.� San Diego.� 2001.� P. 401�404. 2. Øåëêîâíèêîâ Á. Í., Áîíäàðü Ä. Á., Ãëóáîêîâ À. À. Ìîäåëè- ðîâàíèå ìîíîëèòíûõ ïëàíàðíûõ òðàíñôîðìàòîðîâ íà ïîäëîæêå èç GaAs / 14-ÿ Ìåæäóíàð. Êðûìñêàÿ ìèêðîâîëíîâàÿ êîíô. «ÑÂ×- òåõíèêà è òåëåêîììóíèêàöèîííûå òåõíîëîãèè».� Ñåâàñòîïîëü.� 2004.� Ñ. 16�20. 3. Long J. R. Monolithic transformers for silicon RFIC design // IEEE J. of Solid State Circuits.� 2000.� Vol. 35, N 9.� P. 1368�1392. 4. Long J. R. Monolithic transformers for silicon RFIC design // IEEE J. of Solid State Circuits.� 2000.� Vol. 35, N 9.� P. 1368�1382. 5. Design and Analysis of On-Chip Symmetric Parallel-Plate Coupled-Line Balun for Silicon RF Integrated circuits. H.Y. D. Yang and J. A. Castaneda. Broadcom Corporation, El Segundo, CA 90245. 6. Cheung D. T. S., Long J. R., Hadaway R. A., Harame D. L. Monolithic transformers for silicon RF IC design / Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting.� Minneapolis.� 1998.� P. 105�108. 7. Sevick J. Understanding transformer operation in double- balanced diode mixers // Applied microwave & wireless, 2000, p. 80�81. 8. Ansoft HFSS in versions 5 and 6 and online help / Ansoft Corpo- ration, Pittsburgh, PA 15219. 9. Agilent Advanced design system (ADS), 2002, User Manuals / Agilent technology, Palo Alto, CA 94304. ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 5 35 ÒÅÕÍÈÊÀ È ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ ÑÂ× óìåíèÿ íàéòè öåëåñîîáðàçíûé êîìïðîìèññ ìåæäó òðåáîâàíèÿìè, ñ îäíîé ñòîðîíû, âûñîêîãî óðîâíÿ ðà- äèîôèçè÷åñêèõ ñâîéñòâ, à ñ äðóãîé ñòîðîíû, âûñî- êîãî óðîâíÿ ýêñïëóàòàöèîííûõ ïîêàçàòåëåé, ïîñêîëü- êó ýòî � âñåãäà ïðîòèâîðå÷èâûå òðåáîâàíèÿ. Èçâåñò- íî, ÷òî ÷åì âûøå êîíöåíòðàöèÿ íàïîëíèòåëÿ ïðè êîí- êðåòíîé åãî äèñïåðñíîñòè, òåì ëó÷øå ðàäèîôèçè÷å- ñêèå ïîêàçàòåëè, îäíàêî òåì õóæå ïîêàçàòåëè ìåõàíè- ÷åñêîé ïðî÷íîñòè, âûøå äîëÿ ðåàêöèîííîñïîñîáíûõ îáëàñòåé ïîêðûòèÿ, íèæå óñòîé÷èâîñòü ïîêðûòèÿ ê ýêñïëóàòàöèè âî âëàæíîé ñðåäå. 3) Ìíîãîñëîéíûå ðàäèîìàòåðèàëû ïîçâîëÿþò ðå- àëèçîâàòü íàèáîëåå âûñîêèå óðîâíè è ðàäèîôèçè÷å- ñêèõ, è ýêñïëóàòàöèîííûõ ïîêàçàòåëåé, îäíàêî òðåáó- þò áîëüøèõ çàòðàò âðåìåíè íà èçãîòîâëåíèå, ïîñêîëü- êó íàíåñåíèå ïîñëåäóþùåãî ñëîÿ îñóùåñòâëÿåòñÿ ëèøü ïîñëå îòâåðæäåíèÿ ïðåäûäóùåãî. Ýòîò íåäî- ñòàòîê öåëåñîîáðàçíî ïðåîäîëåâàòü ïðèìåíÿÿ âûñî- êî÷àñòîòíûé íàãðåâ îòâåðæäàåìîé ñìåñè íàïîëíèòå- ëÿ è ñâÿçóþùåãî. Ïðè ýòîì ïðîöåññ îòâåðæäåíèÿ óñêîðÿåòñÿ â ñîòíè ðàç, à äîëÿ ðåàêöèîííîñïîñîá- íûõ îáëàñòåé êîìïîçèòà óìåíüøàåòñÿ ïðèìåðíî â ÷åòûðå ðàçà [8]. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Äåìüÿí÷óê Á. À. Ïðèíöèïû è ïðèìåíåíèÿ ìèêðîâîëíîâî- ãî íàãðåâà.� Îäåññà: ×åðíîìîðüå, 2004. 2. Êèíãñòîí Ã. Ì., Äæåññè Ë. Á. Ïðîáîïîäãîòîâêà â ìèêðî- âîëíîâûõ ïå÷àõ.� Ì.: Ìèð, 1991. 3. ÃÎÑÒ 12.1.006�76. Ïðåäåëüíî äîïóñòèìûå íîðìû ïëîò- íîñòè ïîòîêà ýíåðãèè ýëåêòðîìàãíèòíûõ ïîëåé. 4. ÎÑÒ 4ÃÎ. 054.102. Ïîãëîòèòåëè âûñîêî÷àñòîòíîé ýíåðãèè. 5. Õèïïåëü À. Ð. Äèýëåêòðèêè è âîëíû.� Ì.: Èçä-âî èíîñòð. ëèòåð., 1960. 6. Äåìüÿí÷óê Á. À. Êîýôôèöèåíò ïðåîáðàçîâàíèÿ ýëåêòðî- ìàãíèòíîé ýíåðãèè â òåïëîâóþ â êóñî÷íî-îäíîðîäíîé ñðåäå ñ ãðàäèåíòîì ïîòåðü // Ñá. íàó÷. òðóäîâ ÎÈÑÂ.� 2003.� ¹ 8.� Ñ. 36�40. 7. Äåìüÿí÷óê Á. À. Ìíîãîêðèòåðèàëüíîå ñîïîñòàâëåíèå ýê- ðàíèðóþùèõ êîìïîçèòíûõ ïðåîáðàçîâàòåëåé ýëåêòðîìàãíèòíîé ýíåðãèè â òåïëîâóþ // Òàì æå.� 2004.� ¹ 9.� Ñ. 31�38. 8. Øòóðìàí À. À., ×åðêàøèí À. Í. Óñêîðåííîå îòâåðæäåíèå ýïîêñèäíûõ êîìïîçèòîâ â ïîëå ÒÂ× // Ïëàñòè÷åñêèå ìàññû.� 1987.� ¹ 6.� Ñ. 38�41. ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ