Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского - Ковтун, Г.П.; Щербань, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2006)
Рассмотрены современные достижения в создании ростового оборудования для производства ПИ-GaAs методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики и анализ установок нового и предшествующего поколений.