Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе

Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2006
1. Verfasser: Джафарова, Э.А.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2006
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-53397
record_format dspace
spelling irk-123456789-533972014-01-20T03:13:59Z Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе Джафарова, Э.А. Функциональная микро- и наноэлектроника Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры. 2006 Article Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
spellingShingle Функциональная микро- и наноэлектроника
Функциональная микро- и наноэлектроника
Джафарова, Э.А.
Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Предложены способы изготовления полупроводникового переключателя, ячейки памяти и диодной матрицы с идентичными параметрами (по Unp) на основе Al-SiO₂-Si-М-структуры.
format Article
author Джафарова, Э.А.
author_facet Джафарова, Э.А.
author_sort Джафарова, Э.А.
title Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_short Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_full Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_fullStr Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_full_unstemmed Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
title_sort нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2006
topic_facet Функциональная микро- и наноэлектроника
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53397
citation_txt Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе / Э.А. Джафарова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 39-42. — Бібліогр.: 7 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT džafarovaéa nestacionarnyeélektronnyeprocessyvbarʹernyhstrukturahipriborynaihosnove
first_indexed 2025-07-05T04:48:28Z
last_indexed 2025-07-05T04:48:28Z
_version_ 1836781046094364672
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6 39 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 30.05 2006 ã. Îïïîíåíò ä. ô.-ì. í. À. À. ÅÂÒÓÕ (ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ) Ê. ô.-ì. í. Ý. À. ÄÆÀÔÀÐÎÂÀ Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, Èíñòèòóò ôèçèêè E-mail: delm@physics.ab.az Ïðåäëîæåíû ñïîñîáû èçãîòîâëåíèÿ ïî- ëóïðîâîäíèêîâîãî ïåðåêëþ÷àòåëÿ, ÿ÷åé- êè ïàìÿòè è äèîäíîé ìàòðèöû ñ èäåí- òè÷íûìè ïàðàìåòðàìè (ïî Unp) íà îñ- íîâå Al�SiO2�Si�Ì-ñòðóêòóðû. Èçâåñòíî, ÷òî ïîëó÷åíèå ïîëóïðîâîäíèêîâ ñ çà- äàííûìè ñâîéñòâàìè äîñòèãàåòñÿ ââåäåíèåì â ïîëó- ïðîâîäíèê ñïåöèàëüíî âûáðàííîé ïðèìåñè â íóæ- íîé êîíöåíòðàöèè. Îñîáîå ìåñòî â ôîðìèðîâàíèè ñâîéñòâ ïîëóïðîâîäíèêîâ çàíèìàþò ïðèìåñè ñ ãëó- áîêèìè óðîâíÿìè (ÃÓ) â çàïðåùåííîé çîíå. Ëåãèðî- âàíèå ïðèìåñÿìè ñ ÃÓ ñóùåñòâåííî èçìåíÿåò ñâîé- ñòâà ïîëóïðîâîäíèêà, ðàñøèðÿåò ñôåðó ïðèìåíåíèÿ ñóùåñòâóþùèõ ïðèáîðîâ è ïîçâîëÿåò ñîçäàâàòü ïðèí- öèïèàëüíî íîâûå ïðèáîðû. Ïîýòîìó èññëåäîâàíèå íå- ñòàöèîíàðíûõ ýëåêòðîííûõ ïðîöåññîâ â áàðüåðíûõ ñòðóêòóðàõ, èçãîòîâëåííûõ íà îñíîâå ðàçëè÷íûõ ïî- ëóïðîâîäíèêîâ ñ ãëóáîêèìè ïðèìåñÿìè, ÿâëÿåòñÿ îäíèì èç îñíîâíûõ íàïðàâëåíèé ñîâðåìåííîé ìèê- ðîýëåêòðîíèêè.  íàñòîÿùåé ðàáîòå èññëåäóþòñÿ áàðüåðíûå ñòðóê- òóðû, ïîëó÷åííûå ïðåäâàðèòåëüíîé äèôôóçèåé áîðà â n-Si äëÿ ïîëó÷åíèÿ ð�n-ïåðåõîäà è äàëüíåéøåé äèô- ôóçèè ïðèìåñåé ïåðåõîäíûõ ìåòàëëîâ (Ni, Ti, Òà è W) â ãîòîâûå ïåðåõîäû, à òàêæå ñîçäàíèåì áàðüåðà Øîòòêè íà n-Si è p-Si, ïðåäâàðèòåëüíî ëåãèðîâàííûõ ïðèìåñÿìè ñ ãëóáîêèìè óðîâíÿìè. Èññëåäîâàíèÿ òåìïåðàòóðíîé çàâèñèìîñòè âðåìåíè æèçíè íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé (ìå- òîä ïåðåõîäíûõ õàðàêòåðèñòèê âîññòàíîâëåíèÿ îá- ðàòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ ð�n-ïåðåõîäà) ñ ó÷åòîì èç- ìåíåíèÿ ïëîòíîñòè ñîñòîÿíèé Nc è Pv ïîçâîëèëè óñòàíîâèòü, ÷òî ïðè ëåãèðîâàíèè n-Si ïðèìåñÿìè ïå- ðåõîäíûõ ìåòàëëîâ (Ni, W, Òà è Ti) îáðàçóþòñÿ ÃÓ àêöåïòîðíîãî òèïà ñ ïàðàìåòðàìè Åv+0,20 ý (Ni), Ev+0,45 ýB (W), E V +0,41 ý (Òà) è Ev+0,36 ý (Ti) (ðèñ. 1). Ýôôåêòèâíîå ñå÷åíèå çàõâàòà äûðêè íà ýòè óðîâíè ðàâíî σð≈10�15 ñì2 (σn/σp≈5) è èçìåíÿåòñÿ ñ èçìåíåíèåì òåìïåðàòóðû ïî çàêîíó σð≈Ò�n, ãäå n=3�5.  êà÷åñòâå îñíîâíûõ ìåòîäîâ èññëåäîâàíèÿ íàìè èñïîëüçîâàíû ìåòîäû íåñòàöèîíàðíîé åìêîñòíîé ñïåêòðîñêîïèè (ÍÅÑÃÓ) è ôîòîåìêîñòè, ïîäðîáíî îïèñàííûå â [1]. ÍÅÑÒÀÖÈÎÍÀÐÍÛÅ ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ Â ÁÀÐÜÅÐÍÛÕ ÑÒÐÓÊÒÓÐÀÕ È ÏÐÈÁÎÐÛ ÍÀ ÈÕ ÎÑÍÎÂÅ Èçâåñòíî, ÷òî ñêîðîñòü òåðìè÷åñêîé ýìèññèè íî- ñèòåëåé ñ ÃÓ â îäíó èç çîí en(ep) äëÿ ñëó÷àÿ en>>ep ðàâíà 1 c exp .T n n n T E e N kT − = σ ν ⋅ − = θ   Çäåñü vn � òåïëîâàÿ ñêîðîñòü ýëåêòðîíîâ, θT � âðå- ìÿ ðåëàêñàöèè çàïîëíåíèÿ ãëóáîêîãî óðîâíÿ ýëåêò- ðîíàìè, îñòàëüíûå îáîçíà÷åíèÿ îáùåïðèíÿòûå. Ñ ïîìîùüþ æå ìåòîäà ôîòîåìêîñòè èçìåðÿþò ñêî- ðîñòè îïòè÷åñêîé ïåðåçàðÿäêè. Ñêîðîñòü òåðìè÷å- ñêîé ýìèññèè íàõîäÿò èç èçìåðåíèé âåëè÷èíû áàðüåð- íîé åìêîñòè îáðàòíî ñìåùåííîãî ð�n-ïåðåõîäà èëè áàðüåðà Øîòòêè â ïðîöåññå èçìåíåíèÿ çàïîëíåíèÿ ãëó- áîêèõ óðîâíåé ýëåêòðîíàìè èëè äûðêàìè. Èç çàâè- ñèìîñòè lg(θT2)=f(1/T) íàõîäÿò ýíåðãèþ èîíèçàöèè ÃÓ è ñå÷åíèå çàõâàòà íîñèòåëåé σn. Èçìåðåíèå ñïåêòðîâ ÍÅÑÃÓ ïðîâîäèëîñü íà àâ- òîìàòèçèðîâàííîé óñòàíîâêå, â êîòîðîé â êà÷åñòâå èçìåðèòåëÿ åìêîñòè èñïîëüçîâàí ìîñò ïîëíûõ ïðî- âîäèìîñòåé ÌÏÏ-300. Ðàáîòà óñòàíîâêè îñíîâàíà íà èçìåðåíèè åìêîñòè äèîäà C(t) â ôèêñèðîâàííûå ìî- ìåíòû âðåìåíè t1 è t2 ïîñëå âêëþ÷åíèÿ îáðàòíîãî ñìåùåíèÿ, îïðåäåëåíèÿ ðàçíîñòè ∆Ñ=Ñ(t1)�C(t2) è ðåãèñòðàöèè çàâèñèìîñòè ∆Ñ îò òåìïåðàòóðû. Îïðåäåëåííûå òðåáîâàíèÿ ïðåäúÿâëÿþòñÿ è ê èñ- ñëåäóåìûì îáðàçöàì. Îïòèìàëüíûì ñ÷èòàåòñÿ òà- ln [τ 0( 30 0/ T )3/ 2 ] , 1 0�6 c 4 3 2 1 2 2,5 3 103/T, Ê�1 Ni Ti W Ta Ðèñ. 1. Òåìïåðàòóðíàÿ çàâèñèìîñòü âðåìåíè æèçíè äû- ðîê â n-Si ñ ïðèìåñÿìè ïåðåõîäíûõ ìåòàëëîâ 40 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6 êîå ñîîòíîøåíèå, êîãäà êîíöåíòðàöèÿ êîìïåíñèðóþ- ùåé ïðèìåñè Nt ìåíüøå êîíöåíòðàöèè ìåëêîé Nì, ò. å. Nt/Nì<<1 (äëÿ íàøèõ èçìåðåíèé Nt/Nì≥10�4). Äëÿ ñòðóêòóð íà êðåìíèè, ëåãèðîâàííîì W, Òà è Ti, ýòî óñëîâèå íå âûïîëíÿåòñÿ, ïîýòîìó èññëåäîâàíèÿ ñïåê- òðîâ çäåñü ìîãóò íîñèòü òîëüêî îöåíî÷íûé õàðàêòåð. Èñõîäÿ èç ýòîãî ìû ïîäðîáíî îñòàíîâèëèñü íà èñ- ñëåäîâàíèÿõ êðåìíèåâûõ ñòðóêòóð ñ ïðèìåñüþ íè- êåëÿ. Èññëåäóåìûå îáðàçöû n- è p-Ge ñîäåðæàëè â êà- ÷åñòâå ìåëêîé ïðèìåñè ñîîòâåòñòâåííî ñóðüìó èëè ãàëëèé. Íèêåëü ââîäèëñÿ ïðè âûðàùèâàíèè êðèñòàë- ëà. Äèîäíûå ñòðóêòóðû äëÿ èçìåðåíèé ïðåäñòàâëÿëè ñîáîé áàðüåðû Øîòòêè (ïîëó÷åííûå íàïûëåíèåì Àu èëè Sb íà n- è p-Ge, ñîîòâåòñòâåííî) è ð+�n-ïåðåõî- äû íà n-Ge<Ni>, èçãîòîâëåííûå âæèãàíèåì In â âà- êóóìå. Íåñìîòðÿ íà áîëüøîå ÷èñëî ðàáîò, ïîñâÿùåííûõ èññëåäîâàíèþ ÃÓ Ni â Ge è Si, ñâåäåíèÿ îòíîñèòåëü- íî ýíåðãåòè÷åñêîãî ñïåêòðà Ni â íèõ íåîäíîçíà÷íû [2�6]. Êðîìå òîãî, íàáëþäàåòñÿ áîëüøîé ðàçáðîñ çíà÷åíèé ýíåðãèè èîíèçàöèè óðîâíåé íèêåëÿ â êðåì- íèè. Ïî-âèäèìîìó, ýòî ñâÿçàíî ñ íåñîâåðøåíñòâîì èñïîëüçîâàííûõ ìåòîäèê è ñëîæíîñòüþ ïîâåäåíèÿ íèêåëÿ â êðåìíèè. Ýêñïåðèìåíòû ïîêàçàëè, ÷òî äèôôóçèîííîå ëåãè- ðîâàíèå Si<Ni> ïðèâîäèò ê îáðàçîâàíèþ òðåõ ãëóáî- êèõ óðîâíåé àêöåïòîðíîãî òèïà ñ ýíåðãèÿìè èîíèçà- öèè Åñ�0,20 ý (óðîâåíü À, ñì. ðèñ. 2), Åñ�0,41 ý (óðîâåíü Â) è Åv+0,18 ý (óðîâåíü Ñ). Îïðåäåëåíû ýôôåêòèâíûå ñå÷åíèÿ çàõâàòà îñíîâíûõ íîñèòåëåé íà ýòè öåíòðû: σn=3,20·10�16 ñì2, σn=1,10·10�16 ñì2 è σp=1,01·10�13 ñì2. Êîíöåíòðàöèè ýòèõ öåíòðîâ íàõî- äÿòñÿ â ïðÿìîé çàâèñèìîñòè îò òåìïåðàòóðû äèôôó- çèè è ñêîðîñòè îõëàæäåíèÿ îáðàçöîâ ïîñëå âûñîêî- òåìïåðàòóðíîé îáðàáîòêè (Nt≈1013�1014 ñì�3). ÃÓ óðîâíåé D, Å è F îáëàäàþò íåçíà÷èòåëüíîé êîíöåíò- ðàöèåé è íåñòàáèëüíû âî âðåìåíè. Ñïåêòð ÍÅÑÃÓ, ïîêàçàííûé êðèâîé 3 íà ðèñ. 2, ñíÿò äëÿ ð�n-ïåðåõîäà íà n-Si<Ni> â ðåæèìå èíæåê- öèè [1, ñ. 25], êîãäà ãëóáîêèé óðîâåíü ÷àñòè÷íî ìîæíî çàïîëíèòü íåîñíîâíûìè íîñèòåëÿìè ïóòåì ïðîïóñ- êàíèÿ ïðÿìîãî òîêà.  ýòîì ñëó÷àå öåíòðû, êîòîðûå ñîçäàþò ãëóáîêèå àêöåïòîðíûå óðîâíè Ñ è Å, íàõîäÿ- ùèåñÿ â íèæíåé ïîëîâèíå çàïðåùåííîé çîíû êðåì- íèÿ, êîìïåíñèðóþòñÿ èíæåêòèðîâàííûìè äûðêàìè, âñëåäñòâèå ÷åãî óìåíüøàåòñÿ ïîëíûé çàðÿä àêöåïòî- ðîâ, ÷òî ïðèâîäèò ê óìåíüøåíèþ åìêîñòè. Ãëóáîêèé óðîâåíü Ev+0,20 ýÂ, íàéäåííûé èç èçìåðåíèé âðåìå- íè æèçíè íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé ñ ó÷åòîì îøèáêè èçìåðåíèÿ, èìååò òó æå ïðèðîäó, ÷òî è óðîâåíü Ev+0,18 ýÂ, îïðåäåëåííûé èç ÍÅÑÃÓ. Èç èçìåðåíèé ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ ñâîéñòâ Si<Ni> îïðåäåëåíà âåëè÷èíà ýíåðãèè îïòè÷åñêîé èîíèçàöèè ÃÓ íèêåëÿ, êîòîðàÿ íàõîäèòñÿ â óäîâëåòâîðèòåëüíîì ñîãëàñèè ñî çíà÷åíèÿìè ýíåðãèè òåðìè÷åñêîé èîíè- çàöèè. Èçâåñòíî, ÷òî íèêåëü â ãåðìàíèè ÿâëÿåòñÿ äâîé- íûì àêöåïòîðîì è îáðàçóåò äâà ÃÓ â çàïðåùåííîé çîíå. Èç ñïåêòðîâ ÍÅÑÃÓ ìû òàêæå îáíàðóæèëè äâà ÃÓ íèêåëÿ àêöåïòîðíîãî òèïà â ãåðìàíèè ñ ýíåðãèÿìè èîíèçàöèè Åñ�0,30 ý è Ev+0,23 ý ñ σn=8,5·10-15 ñì2 è σp=9,7·10�13 cì2. Ñîïîñòàâëåíèå ïàðàìåòðîâ ÃÓ, à òàêæå ôîòîýëåêòðè÷åñêèõ ñâîéñòâ Ge<Ni>, ñ ñîîò- âåòñòâóþùèìè äàííûìè äëÿ Si<Ni> óêàçûâàåò íà ñõîäñòâî â ïîâåäåíèè íèêåëÿ â êðèñòàëëàõ, èìåþ- ùèõ ñòðóêòóðó òèïà àëìàçà, ò. å. Ni â Si òàêæå ÿâëÿåò- ñÿ äâîéíûì àêöåïòîðîì (óðîâíè  è Ñ); ÃÓ Åñ�0,20 ý ñâÿçàí ñî ñòðóêòóðíûì äåôåêòîì, âîçíèêàþùèì ïðè äèôôóçèè àòîìîâ íèêåëÿ. Èññëåäîâàíî âëèÿíèå íèçêîòåìïåðàòóðíîãî (T=100�600°C) îòæèãà (ÍÒÎ) íà ïîâåäåíèå àòîìîâ íèêåëÿ â êðåìíèè è óñòàíîâëåíî, ÷òî ñîñòîÿíèÿ ýëåê- òðè÷åñêè àêòèâíûõ öåíòðîâ íèêåëÿ â êðåìíèè óñòîé- ÷èâû âî âðåìåíè ïðè òåìïåðàòóðå íèæå 200°Ñ. Èç àíàëèçà êèíåòèêè íèçêîòåìïåðàòóðíîãî îòæèãà ïðè òåìïåðàòóðå âûøå 200°Ñ îöåíåíà ýíåðãèÿ òåðìè÷å- ñêîé àêòèâàöèè îòæèãà ÃÓ ñ Åñ�0,41 ýÂ, ñîñòàâèâøàÿ 1,2�1,5 ýÂ. Íàáëþäàþùàÿñÿ êèíåòèêà îòæèãà îáúÿñ- íåíà â ðàìêàõ ìîäåëè Ïåííèíãà. Óìåíüøåíèå êîí- öåíòðàöèè ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ öåíòðîâ â ïðîöåñ- ñå îòæèãà ÿâëÿåòñÿ ñëåäñòâèåì íåçíà÷èòåëüíîãî ñìå- ùåíèÿ óçåëüíûõ àòîìîâ íèêåëÿ â ìåæäîóçëèå. Ñ öåëüþ èññëåäîâàíèÿ ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè áàðüåðíûå ñòðóêòóðû íà Si<Ni> áûëè ïîäâåðãíóòû γ-îáëó÷åíèþ (èíòåíñèâíîñòü ïîòîêà êâàíòîâ I=2,58·1012 êâ·ñì�2·ñ�1). Óñòàíîâëåíî, ÷òî γ-îáëó÷å- íèå íå èçìåíÿåò êîíöåíòðàöèþ è ïàðàìåòðû ÃÓ íèêå- ëÿ â n-Si è ïðèñóòñòâèå íèêåëÿ â ìàëûõ êîíöåíòðàöè- ÿõ íå âëèÿåò íà ñêîðîñòü ðàäèàöèîííîãî äåôåêòîîá- ðàçîâàíèÿ äî äîç 1018 êâ·ñì�2. Ñ öåëüþ âûÿñíåíèÿ ñòðóêòóðû öåíòðà, âîçíèêàþ- ùåãî ïðè äèôôóçèîííîì ëåãèðîâàíèè êðåìíèÿ íèêå- ëåì, è åãî çàðÿäîâîãî ñîñòîÿíèÿ áûëè ïðîâåäåíû èññëåäîâàíèÿ ïàðàìàãíèòíûõ ñâîéñòâ îáðàçóþùèõ- ∆C , î òí . å ä. 6 4 2 0 6 4 2 0 30 20 10 0 �1 �2 �3 50 100 150 200 250 300 Ò, Ê À Â Ñ D E F A B C E 1 2 3 Ðèñ. 2. Ñïåêòðû ÍÅÑÃÓ Si<Ni>: 1 � äëÿ ñòðóêòóð íà îñíîâå n-Si<Ni>; 2 � äëÿ ñòðóêòóð íà îñíîâå ð-Si<Ni>; 3 � ñïåêòð äëÿ n-Si<Ni>, èçìåðåííûé â ðåæèìå èíæåêöèè Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6 41 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ ñÿ öåíòðîâ íèêåëÿ ñ ïîìîùüþ ÝÏÐ. Áûë îáíàðóæåí íîâûé ñïåêòð ÝÏÐ-öåíòðîâ, ñâÿçàííûõ ñ íèêåëåì â êðåìíèè n-òèïà ïðîâîäèìîñòè. Ýòîò ñïåêòð âîçíèêà- åò îò öåíòðà â îòðèöàòåëüíîì çàðÿäîâîì ñîñòîÿíèè, âêëþ÷àþùåãî àòîì íèêåëÿ â ïîëîæåíèè çàìåùåíèÿ. Ïîêàçàíî, ÷òî ñèììåòðèÿ íàáëþäàþùåãîñÿ ïàðàìàã- íèòíîãî öåíòðà è ïàðàìåòðû ñâåðõòîíêîãî âçàèìîäåé- ñòâèÿ íàõîäÿòñÿ â ñîãëàñèè ñ ìîäåëüþ Óîòêèíñà äëÿ èîíîâ ïåðåõîäíûõ ìåòàëëîâ â êðåìíèè.  ðàáîòå èññëåäîâàëèñü òàêæå íåñòàöèîíàðíûå ýëåêòðîííûå ïðîöåññû â ÌÄÏ-ñòðóêòóðàõ íà îñíîâå Si ñ öåëüþ ðàçðàáîòêè íîâûõ ïðèáîðîâ íà èõ îñíîâå. Èññëåäóåìûå ñòðóêòóðû ïîëó÷åíû íà îñíî- âå Si n- è ð-òèïîâ, ëåãèðîâàííûõ ñîîòâåòñòâåííî ôîñ- ôîðîì è áîðîì, ñ èñõîäíûì ρ=0,005�20 Îì·ñì. Îêèñåë ïîëó÷åí òåðìîîáðàáîòêîé Si-ïëàñòèí ïîñëå- äîâàòåëüíî â ñóõîì, âëàæíîì è ñóõîì êèñëîðîäå («ñîñòàâíîé» îêèñåë). Òîëùèíà ïîëó÷åííûõ îêèñ- ëîâ ñîñòàâèëà 0,4�0,8 ìêì. Ïîñëå íàïûëåíèÿ àëþ- ìèíèÿ ñ ïîìîùüþ ôîòîëèòîãðàôèè ôîðìèðîâàëèñü çàòâîðû ðàçëè÷íîãî äèàìåòðà.  [7] áûëî ïîêàçàíî, ÷òî ïðè ïðèëîæåíèè ê ñòðóê- òóðå Al�SiÎ2�nSi íåêîòîðîãî ïîðîãîâîãî íàïðÿæåíèÿ (Uêð) îíà èç âûñîêîîìíîãî ñîñòîÿíèÿ ïåðåêëþ÷àåòñÿ â íèçêîîìíîå. Ïðè ýòîì â ðåçóëüòàòå ýëåêòðè÷åñêîãî ïðîáîÿ äèýëåêòðèêà â òîíêîé ïëåíêå SiÎ2 îáðàçóåòñÿ òîêîïðîâîäÿùàÿ àëþìèíèåâàÿ äîðîæêà (êàíàë), è ðàñ- ïëàâëåííûé àëþìèíèé ïîä äåéñòâèåì ýëåêòðè÷åñêî- ãî ïîëÿ Åêð=(4�6)·106 ·ñì�1 è òåïëà, âûäåëÿåìîãî ïðè ïåðåêëþ÷åíèè ñòðóêòóðû, äèôôóíäèðóåò â n-Si, èçìåíÿÿ òèï åãî ïðîâîäèìîñòè, ò. å. îáðàçóåòñÿ ð�n- ïåðåõîä. Îáðàçîâàíèå ð�n-ïåðåõîäà ïðîèñõîäèò çà î÷åíü êîðîòêîå âðåìÿ áåç äëèòåëüíîé âûñîêîòåìïå- ðàòóðíîé äèôôóçèè, ÷òî èñêëþ÷àåò çàãðÿçíÿåìîñòü êðåìíèÿ â ïðîöåññå òåõíîëîãè÷åñêèõ îïåðàöèé. Òà- êîé ð�n-ïåðåõîä èìååò êîýôôèöèåíò âûïðÿìëåíèÿ ïî- ðÿäêà 104�106 ïðè Uïð=1 Â. Îáðàçîâàíèå ð�n-ïåðåõîäà ïîäòâåðæäåíî ýëåêò- ðîííî-ìèêðîñêîïè÷åñêèìè èññëåäîâàíèÿìè. Ñâèäå- òåëüñòâîì ýëåêòðîäèôôóçèè àëþìèíèÿ â n-Si è îáðà- çîâàíèÿ îáëàñòè ð-òèïà ïðîâîäèìîñòè íåïîñðåäñòâåí- íî ïîä êàíàëîì (ò. å. òîêîïðîâîäÿùåé àëþìèíèåâîé äîðîæêè â îêèñëå) ÿâëÿåòñÿ èçîáðàæåíèå ëîêàëü- íîé îáëàñòè p-Si â ðåæèìå íàâåäåííîãî òîêà. Íàâå- äåííûé òîê â ïîëóïðîâîäíèêå âîçíèêàåò ëèøü â òîì ñëó÷àå, åñëè ãåíåðèðîâàííûå ýëåêòðîííûì ëó÷îì íå- ðàâíîâåñíûå íîñèòåëè òîêà ðàçäåëÿþòñÿ âíóòðåííèì âñòðîåííûì ïîëåì ñëîÿ îáúåìíîãî çàðÿäà (ÑÎÇ) ð� n-ïåðåõîäà. Èçîáðàæåíèå îáúåêòà âîçíèêàåò â âèäå èçìåíåíèÿ ÿðêîñòè ñâå÷åíèÿ ýêðàíà (ðèñ. 3). Íà îñíîâàíèè ïðîâåäåííûõ èññëåäîâàíèé áûë ïðåäëîæåí ñïîñîá èçãîòîâëåíèÿ ïåðåêëþ÷àòåëÿ íà îñíîâå ñòðóêòóðû Al�SiO2�nSi.  çàêðûòîì ñîñòîÿ- íèè äèôôåðåíöèàëüíîå ñîïðîòèâëåíèå Al�SiO2�nSi- ñòðóêòóð èçìåíÿåòñÿ â ïðåäåëàõ 5·1013�1011 Îì, â ñîñòîÿíèè âûñîêîé ïðîâîäèìîñòè I=10�3À, è â ýòîì ñîñòîÿíèè ñòðóêòóðà ìîæåò íàõîäèòüñÿ ïðîèçâîëüíî äîëãî. Äëÿ âûêëþ÷åíèÿ ñòðóêòóðû íà íåå íåîáõîäè- ìî ïîäàòü îäèíî÷íûé èìïóëüñ àìïëèòóäîé 50�100  è äëèòåëüíîñòüþ 5�10 ìêñ. Íàïðÿæåíèå ïåðåêëþ÷åíèÿ Uêð ëèíåéíî óâåëè÷è- âàåòñÿ ñ ðîñòîì òîëùèíû îêèñíîãî ñëîÿ SiO2 (0,4� 0,8 ìêì) è ïðàêòè÷åñêè ñòàáèëüíî â èññëåäóåìîì èíòåðâàëå òåìïåðàòóð. Ïåðåêëþ÷åíèå ïðîèñõîäèò çà î÷åíü êîðîòêîå âðåìÿ (t<<1 ñ). ×èñëî ïåðåêëþ÷å- íèé ñîñòàâëÿåò 106�107 ðàç. Ïðè èçãîòîâëåíèè òàêîãî ïåðåêëþ÷àòåëÿ èñêëþ- ÷àåòñÿ äëèòåëüíûé âûñîêîòåìïåðàòóðíûé îòæèã äëÿ äèôôóçèè ïðèìåñåé â ïîëóïðîâîäíèêå, ïðèâîäÿùèé ê âîçíèêíîâåíèþ òåðìè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé, ñòðóê- òóðíûõ äåôåêòîâ è ê áîêîâîé äèôôóçèè ïîä çàùèòíûé ñëîé îêèñè ïðè ïðèìåíåíèè ïëàíàðíîé òåõíîëîãèè. Íà îñíîâå èññëåäóåìîé ñòðóêòóðû ïðåäëîæåíà òàêæå ÿ÷åéêà ïàìÿòè (ïðîãðàììèðóåìûé çàïîìèíàþ- ùèé ýëåìåíò), êîòîðàÿ ïðåäñòàâëÿåò ñîáîé ïîñëåäî- âàòåëüíî ñîåäèíåííûå ýëåêòðîííûé êëþ÷ è ïîëóïðî- âîäíèêîâûé äèîä, îáðàçóþùèåñÿ ïîä êîíòàêòîì çà- òâîðà â ïðîöåññå îäíîé òåõíîëîãè÷åñêîé îïåðàöèè � ïåðåíîñà òèïîìåíÿþùåé ïðèìåñè ïðè Uêð èç êîíòàê- òà çàòâîðà ÷åðåç êàíàëû â äèýëåêòðèêå â èñõîäíóþ ïîäëîæêó. Íåêîíòðîëèðóåìàÿ îáëàñòü ôîðìèðîâàíèÿ êàíàëà (ïîä êîíòàêòîì çàòâîðà) ÿâëÿåòñÿ äîñòàòî÷íî áîëü- øîé, ÷òî âåäåò ê çàìåòíîìó ðàçáðîñó ïàðàìåòðîâ ñôîðìèðîâàííûõ ýëåêòðîäèôôóçèåé ð�n-ïåðåõîäîâ. Ïîýòîìó ïðåäëîæåíà êîíñòðóêöèÿ äèîäíîé ìàòðèöû (ÄÌ, ðèñ. 4) ñ ïðåäâàðèòåëüíî çàäàííîé ëîêàëüíîé îáëàñòüþ îáðàçîâàíèÿ êàíàëà â òîíêîì îêèñëå (ñëîé 2) òîëùèíîé 0,15�0,3 ìêì ïîä ýëåêòðîäîì çàòâîðà 4. Ìàêñèìàëüíûé ðàçáðîñ âåëè÷èíû ïàäåíèÿ íàïðÿæå- íèÿ â ÄÌ èç 6 äèîäîâ ∆Uïð.max=20 ì (Iïð=1 ìÀ) ïðè ñðåäíåì ðàçáðîñå ∆Uïð.ñð.=5 ìÂ. Íàïðÿæåíèå òîêî- âîé îòñå÷êè äëÿ âñåõ äèîäîâ â ìàòðèöå îäèíàêîâî Ðèñ. 3. Ìèêðîôîòîãðàôèÿ ð�n-ïåðåõîäà, îáðàçîâàííîãî â Al�SiO2�nSi�M-ñòðóêòóðå ïðè åå ïåðåêëþ÷åíèè â ðå- æèìå íàâåäåííîãî òîêà ïðè U0=34 ê (×1800) 3 2 1 5 7 6 5 3 4 Ðèñ. 4. Ïîïåðå÷íûé ðàçðåç äèîäíîé ìàòðèöû ñî ñòðóê- òóðîé Al�SiO2�nSi�Ì: 1 � n-Si; 2, 4 � ïåðâûé è âòîðîé ñëîè SiO2; 3 � äèñêðåòíûé êîíòàêò (çàòâîð); 5 � ð-îáëàñòü; 6, 7 � îáùèå êîíòàêòû 42 ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6 (∆Uîòñ=0,85 B ïðè Ò=300 Ê). Ðàçáðîñ ïðÿìîãî ïàäå- íèÿ íàïðÿæåíèÿ äèîäîâ â ìàòðèöå â îñíîâíîì îáóñ- ëîâëåí ðàçáðîñîì ïîñëåäîâàòåëüíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ áàçû, ìîäóëèðîâàííîãî áëàãîäàðÿ èíæåêöèè íåîñíîâ- íûõ íîñèòåëåé â n-Si. Ïðåäëîæåííûå êîíñòðóêöèè è òåõíîëîãèÿ èçãîòîâ- ëåíèÿ ÄÌ ïîçâîëÿþò çíà÷èòåëüíî óâåëè÷èòü ÷èñëî ýëåìåíòîâ íà åäèíèöó ïëîùàäè ïðè èäåíòè÷íûõ ïà- ðàìåòðàõ ïðÿìîãî ïàäåíèÿ íàïðÿæåíèÿ ïðè ôèêñèðî- âàííîì Iïð. * * * Òàêèì îáðàçîì, èññëåäîâàíèå íåñòàöèîíàðíûõ ýëåêòðîííûõ ïðîöåññîâ â áàðüåðíûõ ñòðóêòóðàõ ïî- êàçàëî, ÷òî ñîñòîÿíèå ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ öåíò- ðîâ íèêåëÿ â êðåìíèè óñòîé÷èâî âî âðåìåíè ïðè òåð- ìîîáðàáîòêå íèæå 200°C. Íà÷èíàÿ ñ 300°Ñ íàáëþäà- åòñÿ îòæèã ýòèõ öåíòðîâ. Ïàðàìåòðû è êîíöåíòðàöèÿ óðîâíåé Ni â Si â ïðîöåññå γ-îáëó÷åíèÿ â èíòåðâàëå äîç äî 2·1018 êâ·ñì�2 íå èçìåíÿþòñÿ, è ïðèñóòñòâèå îòíîñèòåëüíî ìàëîãî êîëè÷åñòâà ìåæäîóçåëüíûõ àòî- ìîâ íèêåëÿ íå âëèÿåò íà ñêîðîñòü ðàäèàöèîííîãî äåôåêòîîáðàçîâàíèÿ. Ïðåäëîæåíû ñïîñîáû èçãîòîâëåíèÿ ïîëóïðîâîä- íèêîâîãî ïåðåêëþ÷àòåëÿ, ÿ÷åéêè ïàìÿòè è äèîäíîé ìàòðèöû ñ èäåíòè÷íûìè ïàðàìåòðàìè (ïî Uïð) íà îñ- íîâå Al�SiÎ2�ïSi�M-ñòðóêòóðû. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Áåðìàí Ë. Ñ., Ëåáåäåâ À. À. Åìêîñòíàÿ ñïåêòðîñêîïèÿ ãëó- áîêèõ öåíòðîâ â ïîëóïðîâîäíèêàõ.� Ë.: Íàóêà, 1981. 2. Chiavorotti G. P., Conti M. Characterization of properties of nickel in silicon using thermally stimulated capacitance method // Solid State Electronics.� 1977.� Vol. 20.� P. 907�909. 3. Indusckhar H., Kumar V. Electrical properties of nikel-related deep levels in silicon // J. Appl. Phys.� 1987.� Vol. 61, N 4.� P. 1449�1455. 4. Lemke H. Dotierung seigenschaften von nickel in silicium // Phys. Stat. Sol.� 1987.� Vol. 99.� P. 205�213. 5. Êîòèíà È. Ì., Êóðÿòêîâ Â. Â. Åìêîñòíàÿ ñïåêòðîñêîïèÿ ãëóáîêèõ öåíòðîâ Cu, Au, Ag è Ni â ãåðìàíèè // ÔÒÏ.� 1987.� T. 21, âûï. 6.� Ñ. 1039�1043. 6. Ôèñòóëü Â. È. Àòîìû ëåãèðóþùèõ ïðèìåñåé â ïîëóïðîâîä- íèêàõ.� Ì.: Ôèçìàòëèò, 2004. 7. Iskender-zade Z. A., Abdullaev A. G., Jafarova Å. À., Akhundov M. R. Investigation of p-n junctions in n-Si obtained by electro- migration of Al through a thin SiO2 film // Solid State Communi- cations.� 1984.� Vol. 49, N 3.� P. 273�276. ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ ÌÃÒÓ èì. Í. Ý. Áàóìàíà è ÎÀÎ Öåíòðàëüíûé íàó÷íî-èññëåäîâàòåëüñêèé òåõíîëîãè÷åñêèé èíñòèòóò "ÒÅÕÍÎÌÀØ" îðãàíèçóþò è ïðîâîäÿò â ñåíòÿáðå 2007 ãîäà íà áàçå Ìîñêîâñêîãî ãîñóäàðñòâåííîãî òåõíè÷åñêîãî óíèâåðñèòåòà èì. Í. Ý. Áàóìàíà XIII Ìåæäóíàðîäíóþ íàó÷íî-òåõíè÷åñêóþ êîíôåðåíöèþ "ÂÛÑÎÊÈÅ ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ Â ÏÐÎÌÛØËÅÍÍÎÑÒÈ ÐÎÑÑÈÈ" (ÌÀÒÅÐÈÀËÛ È ÓÑÒÐÎÉÑÒÂÀ ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÎÉ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ È ÌÈÊÐÎÔÎÒÎÍÈÊÈ) Ñïðàâêè ïî å-mail: belyanin@tehnomash.ru samoyloviñh@tehnomash.ru Áåëÿíèí Àëåêñåé Ôåäîðîâè÷ Ñàìîéëîâè÷ Ìèõàèë Èñààêîâè÷ Ìèíèñòåðñòâî âûñøåãî è ñðåäíåãî ñïåöèàëüíîãî îáðàçîâàíèÿ Ðåñïóáëèêè Óçáåêèñòàí, Ôèçè÷åñêèé ôàêóëüòåò Íàöèîíàëüíîãî óíèâåðñèòåòà Óçáåêèñòàíà èì. Ìèðçî Óëóãáåêà îðãàíèçóþò 1�3 ôåâðàëÿ 2007 ãîäà â ã. Òàøêåíòå Ìåæäóíàðîäíóþ êîíôåðåíöèþ "ÍÅÐÀÂÍÎÂÅÑÍÛÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ Â ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÀÕ È Â ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÛÕ ÑÒÐÓÊÒÓÐÀÕ" Ïðåäïîëàãàåòñÿ çàñëóøàòü äîêëàäû ïî ñëåäóþùèì íàïðàâëåíèÿì: 1. Ôîòîýëåêòðè÷åñêèå ÿâëåíèÿ â ïîëóïðîâîäíèêàõ. 2. Òåðìî- è òåíçîýëåêòðè÷åñêèå ÿâëåíèÿ â ïîëóïðîâîäíèêàõ. 3. Ïîâåðõíîñòíûå êèíåòè÷åñêèå ýôôåêòû â ïîëóïðîâîäíèêàõ. 4. Ìåòîäû êîíòðîëÿ ïàðàìåòðîâ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ è ïðèáîðîâ. 5. Íàíîýëåêòðîíèêà è ôèçè÷åñêèå ïðîöåññû â íàíîðàçìåðíûõ ñòðóêòóðàõ. 6. Ìåòîäèêà ïðåïîäàâàíèÿ ôèçè÷åñêèõ äèñöèïëèí. 700178, ã. Òàøêåíò, Óçáåêèñòàí, ÂÓÇ ãîðîäîê, ÍÓÓç èì. Ì. Óëóãáåêà, Ôèçè÷åñêèé ôàêóëüòåò. Òåë. 396-08-94, 396-02-32 E-mail: vlasov@uzsci.net, omamatkarimov@nuuz.uzsci.net