В портфеле редакции
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53404 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | В портфеле редакции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 6, 14. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53404 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-534042014-01-20T03:14:01Z В портфеле редакции Библиография 2006 Article В портфеле редакции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 6, 14. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53404 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Библиография Библиография |
| spellingShingle |
Библиография Библиография В портфеле редакции Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| format |
Article |
| title |
В портфеле редакции |
| title_short |
В портфеле редакции |
| title_full |
В портфеле редакции |
| title_fullStr |
В портфеле редакции |
| title_full_unstemmed |
В портфеле редакции |
| title_sort |
в портфеле редакции |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2006 |
| topic_facet |
Библиография |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53404 |
| citation_txt |
В портфеле редакции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 6, 14. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-05T04:48:44Z |
| last_indexed |
2025-07-05T04:48:44Z |
| _version_ |
1836781063309885440 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6
6
ÒÅÕÍÈ×ÅÑÊÀß ÏÎËÈÒÈÊÀ
Ìîäåðíèçàöèÿ óñòàíîâîê òèïà �Àðñåíèä-1Ì» ïî-
çâîëÿåò âûðàùèâàòü 100-ìì-ìîíîêðèñòàëëû GaAs,
÷òî â íàñòîÿùåå âðåìÿ îñóùåñòâëåíî íà ÃÏ �Ç×Ì�
(ã. Ñâåòëîâîäñê, Óêðàèíà), íî óëó÷øåíèÿ êà÷åñòâà êðè-
ñòàëëîâ ïðè ýòîì íå íàáëþäàåòñÿ. Íåîáõîäèìî îòìå-
òèòü, ÷òî íà ýòîì ïðåäïðèÿòèè ñîñðåäîòî÷åí îãðîì-
íûé ïîòåíöèàë áûâøåãî Ñîâåòñêîãî Ñîþçà äëÿ ïðî-
ìûøëåííîãî ïðîèçâîäñòâà GaAs è ïîëó÷åíèÿ èñõîä-
íûõ êîìïîíåíòîâ (Ga, As). Â Óêðàèíå � ïðè íàäëå-
æàùåé çàèíòåðåñîâàííîñòè ãîñóäàðñòâà è áèçíåñà è
çàðóáåæíûõ èíâåñòèöèÿõ � âîçìîæíî áûñòðîå âîñ-
ñòàíîâëåíèå äî ñîâðåìåííîãî óðîâíÿ îñíîâíûõ çâåíü-
åâ ïðîèçâîäñòâà GaAs � ìàòåðèàëîâåä÷åñêèõ
èññëåäîâàíèé, ïðîìûøëåííîãî ïðîèçâîäñòâà ÏÈ- è ëå-
ãèðîâàííîãî GaAs, ñîçäàíèÿ îáîðóäîâàíèÿ äëÿ âûðà-
ùèâàíèÿ, ïîëó÷åíèÿ âûñîêî÷èñòûõ èñõîäíûõ Ga è As.
 ÍÍÖ "ÕÔÒÈ" ñîçäàíà ðîñòîâàÿ óñòàíîâêà, îò-
âå÷àþùàÿ (ïî çàëîæåííîé èäåîëîãèè) òðåáîâàíèÿì ê
óñòàíîâêàì íîâîãî ïîêîëåíèÿ ÆÃ×-ìåòîäà [10]. Â
óñòàíîâêå èñïîëüçóåòñÿ 4-çîííûé òåïëîâîé óçåë, ïî-
çâîëÿþùèé ïðè ïîíèæåííûõ (<40°Ñ/ñì) îñåâûõ ãðà-
äèåíòàõ òåìïåðàòóðû âáëèçè ôðîíòà êðèñòàëëèçàöèè
âûðàùèâàòü ìîíîêðèñòàëëû GaAs ïîä ñëîåì ôëþñà
c äèàìåòðîì, áëèçêèì ê äèàìåòðó òèãëÿ (äî 100 ìì).
Ðåãóëèðîâàíèå äèàìåòðà êðèñòàëëà îñóùåñòâëÿåòñÿ
ïóòåì ñîãëàñîâàíèÿ ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ êðèñòàë-
ëà, ñêîðîñòè è âðåìåíè ïîäúåìà òèãëÿ è ñêîðîñòè
ñíèæåíèÿ òåìïåðàòóðû íèæíåãî íàãðåâàòåëÿ äëÿ ïîä-
äåðæàíèÿ ïîñòîÿííîãî òåìïåðàòóðíîãî ãðàäèåíòà íà
ôðîíòå êðèñòàëëèçàöèè. Çàëîæåííàÿ âîçìîæíîñòü
ïîñëå ðîñòîâîãî îòæèãà êðèñòàëëà â ñëîå ôëþñà
îáåñïå÷èâàåò ñíèæåíèå íåîäíîðîäíîñòè ðàñïðåäåëå-
íèÿ ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ è ñòðóêòóðíûõ ïàðàìåòðîâ.
Ïðîöåññ âûðàùèâàíèÿ êðèñòàëëà îñóùåñòâëÿåòñÿ â
àâòîìàòè÷åñêîì ðåæèìå îò ìèêðîïðîöåññîðà ñ âîç-
ìîæíûì ïåðåõîäîì ê ïîëíîìó êîìïüþòåðíîìó êîíò-
ðîëþ è óïðàâëåíèþ.
 íàñòîÿùåå âðåìÿ ïðè ôèíàíñîâîé ïîääåðæêå
Ìèíïðîìïîëèòèêè Óêðàèíû îñóùåñòâëÿåòñÿ óñîâåð-
øåíñòâîâàíèå òåïëîâîãî óçëà óñòàíîâêè, ðàçðàáîòêà
àâòîìàòèçèðîâàííîãî ïðîãðàììèðóåìîãî óïðàâëåíèÿ
ïðîöåññîì ðîñòà ñ êîìïüþòåðíûì êîíòðîëåì è îïòè-
ìèçàöèÿ òåõíîëîãè÷åñêèõ ðåæèìîâ âûðàùèâàíèÿ
êðèñòàëëîâ. Ïî îêîí÷àíèè ýòèõ ðàáîò óñòàíîâêà áó-
äåò ñäàíà â ýêñïëóàòàöèþ ñ îòðàáîòêîé íà íåé òåõíî-
ëîãèè ïîëó÷åíèÿ ìîíîêðèñòàëëîâ ÏÈ-GaAs ñ âûñî-
êèìè ýëåêòðîôèçè÷åñêèìè ïàðàìåòðàìè è áîëåå ñî-
âåðøåííîé ñòðóêòóðîé ïî ñðàâíåíèþ ñ êðèñòàëëàìè,
âûðàùåííûìè �îáû÷íûì� ìåòîäîì ÆÃ×.
***
Òàêèì îáðàçîì, èç àíàëèçà ïîñëåäíèõ ðàçðàáîòîê
ïî ñîçäàíèþ ðîñòîâîãî îáîðóäîâàíèÿ äëÿ ïðîèçâîä-
ñòâà GaAs-ìîíîêðèñòàëëîâ ìåòîäîì ×îõðàëüñêîãî ñ
æèäêîñòíîé ãåðìåòèçàöèåé ðàñïëàâà ñëîåì áîðíîãî
àíãèäðèäà âèäíà òåíäåíöèÿ ê óâåëè÷åíèþ äèàìåòðà
ìîíîêðèñòàëëîâ. Áîëåå ïîëîâèíû ïëàñòèí èç àðñå-
íèäà ãàëëèÿ èçãîòàâëèâàþòñÿ äèàìåòðîì 100 ìì. Äî-
ñòèæåíèå íåîáõîäèìûõ ýëåêòðîôèçè÷åñêèõ è ñòðóê-
òóðíûõ ñâîéñòâ ìîíîêðèñòàëëîâ áîëüøèõ äèàìåòðîâ
ðåàëèçóåòñÿ ïóòåì èñïîëüçîâàíèÿ ìíîãîçîííûõ íà-
ãðåâàòåëåé, îáåñïå÷èâàþùèõ íèçêèå òåìïåðàòóðíûå
ãðàäèåíòû íà ôðîíòå êðèñòàëëèçàöèè, ïîëíîé àâòî-
ìàòèçàöèè ïðîöåññà âûðàùèâàíèÿ, ïðèìåíåíèÿ âû-
ñîêî÷èñòûõ èñõîäíûõ è âñïîìîãàòåëüíûõ ìàòåðèà-
ëîâ.
 Óêðàèíå ê íàñòîÿùåìó âðåìåíè åùå ñîõðàíè-
ëèñü óñëîâèÿ äëÿ âîçðîæäåíèÿ âñåé èíôðàñòðóêòó-
ðû ïðîèçâîäñòâà ìîíîêðèñòàëëîâ àðñåíèäà ãàëëèÿ �
îò ñîçäàíèÿ ðîñòîâîãî îáîðóäîâàíèÿ äî ïîëó÷åíèÿ
ïðîäóêöèè íà îñíîâå GaAs.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Íàóìîâ À. Â. Îáçîð ìèðîâîãî ðûíêà àðñåíèäà ãàëëèÿ //
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.�
2005.� ¹ 6.� Ñ. 53�57.
2. Seide A., Eicher S., Flade T. et al. 200 mm GaAs crystal growth
by the temperature gradient controlled LEC method // J. Cryst.
Growth.� 2001.� Vol. 225.� P. 561�565.
3. Îáîðóäîâàíèå äëÿ ñèíòåçà è âûðàùèâàíèÿ ìîíîêðèñòàë-
ëîâ.� Êàòàëîã ÏÎ �Äîíåö�.� Ëóãàíñê, 1992.
4. Ïðîñïåêò ôèðìû Special Gas Control, Âåëèêîáðèòàíèÿ.�
1988.
5. Inada T., Komata S., Ohnishi M. et al. Development of mass
production line for 150 mm GaAs wafers // GaAs MANTECH
Conferens 1999, Digest of Press.� P. 205�208.
6. Otoki Y., Kamogawa H., Ohnishi M. et al. Large volume
production of large size GaAs substrates and epitaxial wafers for
microwave divices // GaAs 99 � Munich 1999, Conference
Proceedings.� P. 314�319.
7. Flade T., Jurisch M., Kleinwechter A. et al. State of the art 6 SI
GaAs wafers made of conventionally grown LEC-crystals // J. Cryst.
Growth.� 1999.� Vol. 198/199.� P. 336�342.
8. Wafer World Inc.� Silicon Wafer Manufacturer 06.03.06 at
URL. http://www.waferworld.com.
9. SEMI unveils 200 mm GaAs substrate standard (February
2006).� News�Compound� 21.02.06 at URL. http://
www.compoundsemiconductor.net/articles/news/.
10. Êîâòóí Ã. Ï., Êðàâ÷åíêî À. È., Ùåðáàíü À. Ï. Óñòàíîâêà
äëÿ âûðàùèâàíèÿ ìàëîäèñëîêàöèîííûõ ìîíîêðèñòàëëîâ GaAs
áîëüøîãî äèàìåòðà // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîí-
íîé àïïàðàòóðå.� 2001.� ¹ 6.� Ñ. 52�53.
â
ï
î
ð
òô
åë
å
ð
åä
à
ê
ö
è
è
Ø
Ø
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè
Òåõíîëîãèè èçãîòîâëåíèÿ óñòðîéñòâ íà îñíîâå ôîòîííûõ êðèñòàëëîâ. (Óêðàèíà, ã. Êèåâ)
Ïîëó÷åíèå ïîâåðõíîñòíî-áàðüåðíûõ ñòðóêòóð íà îñíîâå ÷åòûð¸õêîìïîíåíòíûõ òâ¸ðäûõ ðàñòâî-
ðîâ À4Â6. (Óêðàèíà, ã. Êèðîâîãðàä)
Èññëåäîâàíèå âëèÿíèÿ ìåõàíè÷åñêèõ íàïðÿæåíèé íà ñâîéñòâà ïîëóïðî-
âîäíèêîâûõ ñòðóêòóð. (Ðîññèÿ, ã. Êàëóãà)
Ìàëîøóìÿùèé óñèëèòåëü äèàïàçîíà ÷àñòîò 7,525�8,025 ÃÃö ñ äîïóñòè-
ìîé âõîäíîé ìîùíîñòüþ 7 Âò. (Óêðàèíà, ã. Êèåâ)
Èññëåäîâàíèå ïðîöåññîâ íàíåñåíèÿ ïëåíîê ýëåêòðîïëàçìåííûì âîçäåé-
ñòâèåì. (Óêðàèíà, ã. Çàïîðîæüå)
Ø
Ø
Ø
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â
ï
î
ð
òô
åë
å
ð
åä
à
ê
ö
è
è
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6
14
ÝËÅÊÒÐÎÍÍÛÅ ÑÐÅÄÑÒÂÀ: ÈÑÑËÅÄÎÂÀÍÈß, ÐÀÇÐÀÁÎÒÊÈ
0 0 0 0 0( ) 1 ; ( , ) ( ) ( ),z t x y x yη = η = δ ⋅δ (21)
òî øåñòèêðàòíîå èíòåãðèðîâàíèå ïî ôîðìóëå (17) ñ
ó÷åòîì ôîðìóëû (11) ïðè ðàñïðåäåëåíèè çàðÿäà (21)
è èñïîëüçîâàíèè ìåòîäà ÑÃÐ äëÿ èíòåãðèðîâàíèÿ ïî
z è z0 äàåò:
è 2 2
0
Arsh
( )
K l
T b
lb b s
ϒ
υ
υ=
ϕ = +
+ υτ +
∑
2 2
Arsh
( )
b
l
l s
+ −
+ υτ +
2 2 2
( ) arctg
( ) ( )
.bl
s
s l b s
− υτ +
υτ + + + υτ +
(22)
Êàê ïîêàçûâàåò âû÷èñëèòåëüíûé ýêñïåðèìåíò,
àíàëîãè÷íûé îïèñàííîìó â [19], ôîðìóëû (19), (20),
(22) äàþò äâóõñòîðîííþþ îöåíêó ïîòåíöèàëà ïðè íå-
èçâåñòíîì, â òîì ÷èñëå ìåíÿþùåìñÿ, ðàñïðåäåëåíèè
çàðÿäà â îáúåìå èñòî÷íèêà. Ïðè K=1/4πε0 ôîðìóëû
(16), (19), (20), (22) ïîçâîëÿþò âû÷èñëèòü êîýôôè-
öèåíò çàòóõàíèÿ α ïîòåíöèàëà ýëåêòðè÷åñêîãî ïîëÿ,
ñîçäàâàåìîãî èñòî÷íèêîì ïîëÿ ìàëûõ ðàçìåðîâ (êî-
ýôôèöèåíò ïåðåäà÷è êàíàëà ïàðàçèòíîé ñâÿçè ïî íà-
ïðÿæåíèþ):
ï è
/ .α = ϕ ϕ (23)
Íà îñíîâàíèè ïðèíöèïà âçàèìíîñòè [1] ìîæíî
óòâåðæäàòü, ÷òî ôîðìóëà (23) ïîçâîëÿåò îöåíèòü â
êâàçèñòàöèîíàðíîì ïðèáëèæåíèè ñòåïåíü âçàèìíîãî
âëèÿíèÿ äâóõ îáúåêòîâ íà ðàññòîÿíèè, çíà÷èòåëüíî
ïðåâûøàþùåì ðàçìåðû èñòî÷íèêà ïîìåõè, â ñëîèñ-
òîé ñðåäå.
Îäíàêî ïðèíÿòàÿ ïðè èññëåäîâàíèè ìàòåìàòè÷å-
ñêàÿ ìîäåëü ôèçè÷åñêèõ ÿâëåíèé íå ó÷èòûâàåò ÷àñòîò-
íóþ çàâèñèìîñòü êîýôôèöèåíòà ïåðåäà÷è, à òàêæå
ðåàëüíî ñóùåñòâóþùèõ â ìèêðîñõåìå ñâÿçåé ÷åðåç
ýëåìåíòû ýëåêòðè÷åñêîé ïðèíöèïèàëüíîé ñõåìû. Ýòîò
íåäîñòàòîê ëåãêî óñòðàíèòü, åñëè âû÷èñëèòü ñîáñòâåí-
íûå è âçàèìíóþ åìêîñòè íàçâàííûõ âûøå îáúåêòîâ
è âêëþ÷èòü ýòè åìêîñòè â ýêâèâàëåíòíóþ ñõåìó, ïî
êîòîðîé ìîæíî ðàññ÷èòàòü òîêè è íàïðÿæåíèÿ â ìèê-
ðîñõåìå âî âñåì äèàïàçîíå ðàáî÷èõ ÷àñòîò èëè âî
âðåìåííîé îáëàñòè. Íóæíûå åìêîñòè, êàê èçâåñòíî
[20, ñ. 7], ðàññ÷èòûâàþòñÿ ÷åðåç ïîòåíöèàëüíûå êî-
ýôôèöèåíòû; ñîîòíîøåíèå (15) ôàêòè÷åñêè ïðåäñòàâ-
ëÿåò ñîáîé ôîðìóëó äëÿ ðàñ÷åòà âçàèìíîãî ïîòåíöè-
àëüíîãî êîýôôèöèåíòà, à ñîîòíîøåíèå (16) � ôîð-
ìóëó äëÿ ðàñ÷åòà ñîáñòâåííîãî ïîòåíöèàëüíîãî êî-
ýôôèöèåíòà ìåòîäîì Õîó [20, ñ. 21].
***
Ïîëó÷åííûå ðåçóëüòàòû ìîãóò áûòü ïîëåçíû ïðè
ðàçðàáîòêå ìàòåìàòè÷åñêîãî è ïðîãðàììíîãî îáåñ-
ïå÷åíèÿ ÑÀÏÐ, à òàêæå íà ñòàäèè ïðåäïðîåêòíûõ èñ-
ñëåäîâàíèé ïðè ÷èñëåííî-ýâðèñòè÷åñêîé îïòèìèçà-
öèè ñõåìîòåõíè÷åñêèõ è êîíñòðóêòîðñêèõ ðåøåíèé.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Òèõîíîâ À. Í., Ñàìàðñêèé À. À. Óðàâíåíèÿ ìàòåìàòè÷å-
ñêîé ôèçèêè.� Ì.: Íàóêà, 1977.
2. Ïàíîâñêèé Â., Ôèëèïñ Ì. Êëàññè÷åñêàÿ ýëåêòðîäèíàìè-
êà.� Ì.: Ôèçìàòãèç, 1963.
3. Ñåìåíöîâ Â. È. Ðàñ÷åò åìêîñòåé ïëîñêèõ ïðîâîäíèêîâ â
ñëîèñòûõ ñðåäàõ // Ðàäèîòåõíèêà.� 1973.� Ò. 28, ¹ 10.�
Ñ. 84�90.
4. Êîííèêîâ È. À. Ðàñ÷åò åìêîñòåé ïðÿìîóãîëüíûõ ïëåíî÷-
íûõ ïðîâîäíèêîâ ñ ïðîèçâîëüíûì êîýôôèöèåíòîì ôîðìû // Ñóäî-
ñòðîåíèå.� 1980.� ¹ 8.� C. 32�33.
5. Çàáîðîâñêèé À. È. Ýëåêòðîðàçâåäêà.� Ì.: Ãîñòîïòåõèçäàò,
1963.
6. Ìîðñ Ô. Ì., Ôåøáàõ Ã. Ìåòîäû òåîðåòè÷åñêîé ôèçèêè.
Ò. 1.� Ì.: ÈË, 1958.
7. Êîðí Ã. À., Êîðí Ò. Ì. Ñïðàâî÷íèê ïî ìàòåìàòèêå äëÿ
íàó÷íûõ ðàáîòíèêîâ è èíæåíåðîâ.� ÑÏá: Ëàíü, 2003.
8. Ãðàäøòåéí È. Ñ., Ðûæèê È. Ì. Òàáëèöû èíòåãðàëîâ, ñóìì,
ðÿäîâ è ïðîèçâåäåíèé.� Ì.: Ôèçìàòãèç, 1971.
9. Ñïðàâî÷íèê ïî ñïåöèàëüíûì ôóíêöèÿì // Ïîä ðåä. Ì. Àá-
ðàìîâèöà, È. Ñòèãàí.� Ì.: Íàóêà, 1979.
10. Ñêîáëî Â. Ñ. Ìåòîäèêà àïïðîêñèìàöèè öèëèíäðè÷åñêèõ
ôóíêöèé // Èçâåñòèÿ âóçîâ. Ïðèáîðîñòðîåíèå.� 2005.� ¹ 7.�
Ñ. 61�63.
11. Õåììèíã Ð. Â. ×èñëåííûå ìåòîäû äëÿ íàó÷íûõ ðàáîòíè-
êîâ è èíæåíåðîâ.� Ì.: Íàóêà, 1972.
12. Êîííèêîâ È. À., Ñîêîëîâ Ñ. À., ßí÷óê Å. Ñ. Ðàíæèðîâàíèå
ýëåêòðîìàãíèòíûõ ñâÿçåé â êîììóíèêàòîðàõ ìèêðîñáîðîê ñóäî-
âîé ÐÝÀ // Ñóäîñòðîåíèå.� 1986.� ¹ 10.� Ñ. 32�34.
13. Ìóðîãà Ñ. Ñèñòåìíîå ïðîåêòèðîâàíèå ÑÁÈÑ. Ò. 1.� Ì.:
Ìèð, 1986.
14. Ôåððè Ä., Ýéêåðñ Ë., Ãðèíè÷ Ý. Ýëåêòðîíèêà óëüòðàáîëü-
øèõ èíòåãðàëüíûõ ñõåì.� Ì.: Ìèð, 1991.
15. Êàíòîðîâè÷ Ë. Â., Àêèëîâ Ã. Ï. Ôóíêöèîíàëüíûé àíà-
ëèç.� ÑÏá.: Íåâñêèé äèàëåêò, 2004.
16. Cao Wei, Harrington R. F., Mautz J. R., Sarcar T. K.
Multiconductor transmission lines in multilayered dielectric media //
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques.� 1984.�
Vol. 32, N 4.� P. 439�450.
17. Äâàéò Ã. Â. Òàáëèöû èíòåãðàëîâ è äðóãèå ìàòåìàòè÷åñêèå
ôîðìóëû.� Ì.: Íàóêà, 1978.
18. Ìàêñâåëë Äæ. Ê. Òðàêòàò îá ýëåêòðè÷åñòâå è ìàãíåòèçìå.
T. 2.� Ì.: Íàóêà, 1989.
19. Êîííèêîâ È. À. Åìêîñòü òîíêîãî ïðîâîäíèêà ïðÿìîóãîëü-
íîãî ñå÷åíèÿ â ìèêðîñõåìå // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â
ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.� 2006.� ¹ 4.� C. 18�23.
20. Èîññåëü Þ. ß., Êî÷àíîâ Ý. Ñ., Ñòðóíñêèé Ì. Ã. Ðàñ÷åò
ýëåêòðè÷åñêîé åìêîñòè.� Ë.: Ýíåðãèÿ, 1969.
â
ï
îð
òô
åë
å
ðå
äà
ê
ö
è
è
Ø
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè
Êîíäåíñîð òåïëîâîé òðóáû íà îñíîâå àäèàáàòè÷åñêîãî ðàçìàãíè÷èâàíèÿ ïàðàìàãíèòíîãî âåùåñòâà.
(Ðîññèÿ, ã. Òàãàíðîã)
Ìåòîäèêà îïðåäåëåíèÿ ýôôåêòèâíîé ïëîùàäè ôîòî÷óâñòâèòåëüíîãî ýëåìåí-
òà ôîòîäèîäà. (Óêðàèíà, ã. ×åðíîâöû)
Ïîâûøåíèå òåïëîâîé íàäåæíîñòè ÈÑ íà ýòàïå ðàçìåùåíèÿ ýëåìåíòîâ. (Àð-
ìåíèÿ, ã. Åðåâàí)
Ïðîåêòèðîâàíèå è àíàëèç ñóììàòîðîâ â ñðåäå Active-HDL. (Óêðàèíà,
ã. Îäåññà)
Ø
Ø
Ø
â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â
ï
îð
òô
åë
å
ðå
äà
ê
ö
è
è
|