Выставки. Конференции
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2006
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53405 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Выставки. Конференции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 42, 64, 3-я и 4-я стр. обл.. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53405 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-534052014-01-20T03:14:05Z Выставки. Конференции 2006 Article Выставки. Конференции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 42, 64, 3-я и 4-я стр. обл.. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53405 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Выставки. Конференции |
| spellingShingle |
Выставки. Конференции Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| title_short |
Выставки. Конференции |
| title_full |
Выставки. Конференции |
| title_fullStr |
Выставки. Конференции |
| title_full_unstemmed |
Выставки. Конференции |
| title_sort |
выставки. конференции |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2006 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53405 |
| citation_txt |
Выставки. Конференции // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2006. — № 6. — С. 42, 64, 3-я и 4-я стр. обл.. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-05T04:48:47Z |
| last_indexed |
2025-07-05T04:48:47Z |
| _version_ |
1836781065879945216 |
| fulltext |
42
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6
(∆Uîòñ=0,85 B ïðè Ò=300 Ê). Ðàçáðîñ ïðÿìîãî ïàäå-
íèÿ íàïðÿæåíèÿ äèîäîâ â ìàòðèöå â îñíîâíîì îáóñ-
ëîâëåí ðàçáðîñîì ïîñëåäîâàòåëüíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ
áàçû, ìîäóëèðîâàííîãî áëàãîäàðÿ èíæåêöèè íåîñíîâ-
íûõ íîñèòåëåé â n-Si.
Ïðåäëîæåííûå êîíñòðóêöèè è òåõíîëîãèÿ èçãîòîâ-
ëåíèÿ ÄÌ ïîçâîëÿþò çíà÷èòåëüíî óâåëè÷èòü ÷èñëî
ýëåìåíòîâ íà åäèíèöó ïëîùàäè ïðè èäåíòè÷íûõ ïà-
ðàìåòðàõ ïðÿìîãî ïàäåíèÿ íàïðÿæåíèÿ ïðè ôèêñèðî-
âàííîì Iïð.
* * *
Òàêèì îáðàçîì, èññëåäîâàíèå íåñòàöèîíàðíûõ
ýëåêòðîííûõ ïðîöåññîâ â áàðüåðíûõ ñòðóêòóðàõ ïî-
êàçàëî, ÷òî ñîñòîÿíèå ýëåêòðè÷åñêè àêòèâíûõ öåíò-
ðîâ íèêåëÿ â êðåìíèè óñòîé÷èâî âî âðåìåíè ïðè òåð-
ìîîáðàáîòêå íèæå 200°C. Íà÷èíàÿ ñ 300°Ñ íàáëþäà-
åòñÿ îòæèã ýòèõ öåíòðîâ. Ïàðàìåòðû è êîíöåíòðàöèÿ
óðîâíåé Ni â Si â ïðîöåññå γ-îáëó÷åíèÿ â èíòåðâàëå
äîç äî 2·1018 êâ·ñì�2 íå èçìåíÿþòñÿ, è ïðèñóòñòâèå
îòíîñèòåëüíî ìàëîãî êîëè÷åñòâà ìåæäîóçåëüíûõ àòî-
ìîâ íèêåëÿ íå âëèÿåò íà ñêîðîñòü ðàäèàöèîííîãî
äåôåêòîîáðàçîâàíèÿ.
Ïðåäëîæåíû ñïîñîáû èçãîòîâëåíèÿ ïîëóïðîâîä-
íèêîâîãî ïåðåêëþ÷àòåëÿ, ÿ÷åéêè ïàìÿòè è äèîäíîé
ìàòðèöû ñ èäåíòè÷íûìè ïàðàìåòðàìè (ïî Uïð) íà îñ-
íîâå Al�SiÎ2�ïSi�M-ñòðóêòóðû.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Áåðìàí Ë. Ñ., Ëåáåäåâ À. À. Åìêîñòíàÿ ñïåêòðîñêîïèÿ ãëó-
áîêèõ öåíòðîâ â ïîëóïðîâîäíèêàõ.� Ë.: Íàóêà, 1981.
2. Chiavorotti G. P., Conti M. Characterization of properties of
nickel in silicon using thermally stimulated capacitance method //
Solid State Electronics.� 1977.� Vol. 20.� P. 907�909.
3. Indusckhar H., Kumar V. Electrical properties of nikel-related
deep levels in silicon // J. Appl. Phys.� 1987.� Vol. 61, N 4.�
P. 1449�1455.
4. Lemke H. Dotierung seigenschaften von nickel in silicium //
Phys. Stat. Sol.� 1987.� Vol. 99.� P. 205�213.
5. Êîòèíà È. Ì., Êóðÿòêîâ Â. Â. Åìêîñòíàÿ ñïåêòðîñêîïèÿ
ãëóáîêèõ öåíòðîâ Cu, Au, Ag è Ni â ãåðìàíèè // ÔÒÏ.� 1987.�
T. 21, âûï. 6.� Ñ. 1039�1043.
6. Ôèñòóëü Â. È. Àòîìû ëåãèðóþùèõ ïðèìåñåé â ïîëóïðîâîä-
íèêàõ.� Ì.: Ôèçìàòëèò, 2004.
7. Iskender-zade Z. A., Abdullaev A. G., Jafarova Å. À., Akhundov
M. R. Investigation of p-n junctions in n-Si obtained by electro-
migration of Al through a thin SiO2 film // Solid State Communi-
cations.� 1984.� Vol. 49, N 3.� P. 273�276.
ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ
ÌÃÒÓ èì. Í. Ý. Áàóìàíà
è ÎÀÎ Öåíòðàëüíûé íàó÷íî-èññëåäîâàòåëüñêèé òåõíîëîãè÷åñêèé
èíñòèòóò "ÒÅÕÍÎÌÀØ"
îðãàíèçóþò è ïðîâîäÿò â ñåíòÿáðå 2007 ãîäà íà áàçå Ìîñêîâñêîãî
ãîñóäàðñòâåííîãî òåõíè÷åñêîãî óíèâåðñèòåòà èì. Í. Ý. Áàóìàíà
XIII Ìåæäóíàðîäíóþ íàó÷íî-òåõíè÷åñêóþ êîíôåðåíöèþ
"ÂÛÑÎÊÈÅ ÒÅÕÍÎËÎÃÈÈ Â ÏÐÎÌÛØËÅÍÍÎÑÒÈ ÐÎÑÑÈÈ"
(ÌÀÒÅÐÈÀËÛ È ÓÑÒÐÎÉÑÒÂÀ ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÎÉ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
È ÌÈÊÐÎÔÎÒÎÍÈÊÈ)
Ñïðàâêè ïî å-mail:
belyanin@tehnomash.ru
samoyloviñh@tehnomash.ru
Áåëÿíèí Àëåêñåé Ôåäîðîâè÷
Ñàìîéëîâè÷ Ìèõàèë Èñààêîâè÷
Ìèíèñòåðñòâî âûñøåãî è ñðåäíåãî ñïåöèàëüíîãî îáðàçîâàíèÿ Ðåñïóáëèêè Óçáåêèñòàí,
Ôèçè÷åñêèé ôàêóëüòåò Íàöèîíàëüíîãî óíèâåðñèòåòà Óçáåêèñòàíà èì. Ìèðçî Óëóãáåêà
îðãàíèçóþò 1�3 ôåâðàëÿ 2007 ãîäà â ã. Òàøêåíòå
Ìåæäóíàðîäíóþ êîíôåðåíöèþ
"ÍÅÐÀÂÍÎÂÅÑÍÛÅ ÏÐÎÖÅÑÑÛ Â ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÀÕ
È Â ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂÛÕ ÑÒÐÓÊÒÓÐÀÕ"
Ïðåäïîëàãàåòñÿ çàñëóøàòü äîêëàäû ïî ñëåäóþùèì íàïðàâëåíèÿì:
1. Ôîòîýëåêòðè÷åñêèå ÿâëåíèÿ â ïîëóïðîâîäíèêàõ.
2. Òåðìî- è òåíçîýëåêòðè÷åñêèå ÿâëåíèÿ â ïîëóïðîâîäíèêàõ.
3. Ïîâåðõíîñòíûå êèíåòè÷åñêèå ýôôåêòû â ïîëóïðîâîäíèêàõ.
4. Ìåòîäû êîíòðîëÿ ïàðàìåòðîâ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ìàòåðèàëîâ è ïðèáîðîâ.
5. Íàíîýëåêòðîíèêà è ôèçè÷åñêèå ïðîöåññû â íàíîðàçìåðíûõ ñòðóêòóðàõ.
6. Ìåòîäèêà ïðåïîäàâàíèÿ ôèçè÷åñêèõ äèñöèïëèí.
700178, ã. Òàøêåíò, Óçáåêèñòàí, ÂÓÇ ãîðîäîê, ÍÓÓç èì. Ì. Óëóãáåêà, Ôèçè÷åñêèé ôàêóëüòåò.
Òåë. 396-08-94, 396-02-32
E-mail: vlasov@uzsci.net, omamatkarimov@nuuz.uzsci.net
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2006, ¹ 6
64
ÌÅÒÐÎËÎÃÈß. ÑÒÀÍÄÀÐÒÈÇÀÖÈß
èíòåãðèðóþùèõ ñôåð. Ýòîò èçëó÷àòåëü îáëàäàåò
ïðåèìóùåñòâàìè èíòåãðèðóþùåé ñôåðû, íî ëèøåí
äâóõ åå ïðèíöèïèàëüíûõ íåäîñòàòêîâ � ìàëîãî äè-
íàìè÷åñêîãî äèàïàçîíà è ìàëîé ìàêñèìàëüíîé ÿðêî-
ñòè.
Ðàçðàáîòàíà ìàòåìàòè÷åñêàÿ ìîäåëü è ïðîâåäåíî
ýêñïåðèìåíòàëüíîå èññëåäîâàíèå òàêîãî èçëó÷àòåëÿ.
Ïðîâåäåííûå èññëåäîâàíèÿ ïîêàçàëè, ÷òî ïðåäëîæåí-
íûé èçëó÷àòåëü ñîîòâåòñòâóåò òåõíè÷åñêèì òðåáîâà-
íèÿì äëÿ èçìåðåíèÿ ýíåðãåòè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê ñî-
âðåìåííûõ è ïåðñïåêòèâíûõ öèôðîâûõ îïòèêî-ýëåê-
òðîííûõ ñèñòåì ñ ìàòðè÷íûìè ïðèåìíèêàìè èçëó÷å-
íèÿ: ìàêñèìàëüíàÿ ÿðêîñòü ñîñòàâèëà 3,5·103 Âò/(ñð·ì2),
ïðè ýòîì åå íåðàâíîìåðíîñòü â âûõîäíîì çðà÷êå íå
ïðåâûñèëà 0,2%. Áûë äîñòèãíóò äèàïàçîí èçìåíåíèÿ
ÿðêîñòè áîëåå 106 ïðè íåëèíåéíîñòè 0,5%.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Áîðîâèöêèé Â. Í. Âûáîð öèôðîâîé êàìåðû äëÿ îïòè÷åñêî-
ãî ìèêðîñêîïà // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé
àïïàðàòóðå.� 2004.� ¹ 1.� Ñ. 21�26.
2. Âîðîïàé Å. Ñ., Òîðïà÷åâ Ï. À. Òåõíèêà ôîòîìåòðèè âûñî-
êîãî àìïëèòóäíîãî ðàçðåøåíèÿ.� Ìèíñê: Óíèâåðñèòåòñêàå, 1988.
3. Èøàíèí Ã. Ã., Ïàíêîâ Ý. Ä., Àíäðååâ À. Ï. è äð. Èñòî÷íèêè
è ïðèåìíèêè èçëó÷åíèÿ.� ÑÏá: Ïîëèòåõíèêà, 1991.
4. Power light source Luxeon� Star. Technical Datasheet DS23
// Lumileds Lighting Catalogue, San Jose, USA.� 2003.
5. Èâàíîâ À. Ï. Îïòèêà ðàññåèâàþùèõ ñðåä.� Ìèíñê: Íàóêà
è òåõíèêà, 1969.
6. Ìèõååíêî Ë. À., Áîðîâèöêèé Â. Í. Îñâåòèòåëüíûé êàíàë
öèôðîâîãî ìèêðîñêîïà íà áàçå äèôôóçíîãî èçëó÷àòåëÿ // Òåõíî-
ëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå.� 2006.�
¹ 1.� Ñ. 20�27.
7. Ïàò. 1804594 Ðîññèè. Äèôôóçíûé èçëó÷àòåëü / Á. Ì. Ìî-
ëîêîâ, Ë. À. Ãîðáû÷, Ò. Ï. Ñàõàíñêàÿ. � 1993.� Áþë. ¹ 1.
8. Ñàõíîâñêèé Ì. Þ., Ãóìèíñêèé Ñ. Ã., Êðàâöîâ Â. Å. è äð. Îá
îñîáåííîñòÿõ èçìåðåíèÿ ïîòîêà èçëó÷åíèÿ ñâåòîäèîäîâ ñ ïîìî-
ùüþ ôîòîìåòðè÷åñêîãî øàðà // Îïòèêà è ñïåêòðîñêîïèÿ.� 1979.�
Ò. 46, âûï. 3.� Ñ. 515�523.
9. Öûïêèí À. Ã., Öûïêèí Ã. Ã. Ìàòåìàòè÷åñêèå ôîðìóëû. Àëãåáðà.
Ãåîìåòðèÿ. Ìàòåìàòè÷åñêèé àíàëèç: Ñïðàâî÷íèê.� Ì.: Íàóêà, 1985.
10. Ñàïîæíèêîâ Ð. À. Òåîðåòè÷åñêàÿ ôîòîìåòðèÿ.� Ì.: Ýíåð-
ãèÿ, 1977.
11. Êóíåöêèé Ì. Ã., Ãóìèíåöêèé Ñ. Ã., Ñàõíîâñêèé Ì. Þ. è äð.
Èññëåäîâàíèå êîýôôèöèåíòîâ ÿðêîñòè ïîêðûòèé èç êðàñêè íà îñ-
íîâå ÂàSO4 // Îïòèêî-ìåõàíè÷åñêàÿ ïðîìûøëåííîñòü.� 1981.�
¹ 6.� Ñ. 3�4.
12. Ëàìïû íàêàëèâàíèÿ ãàëîãåííûå / Êàòàëîã ïðîäóêöèè.�
Ì.: Èíôîðìýëåêòðî, 1988.
ÂÛÑÒÀÂÊÈ. ÊÎÍÔÅÐÅÍÖÈÈ
|