Войцеховский, А., Несмелов, С., & Н.А, К. (2005). Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Войцеховский, А.В, С.Н Несмелов, та Кульчицкий Н.А. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Войцеховский, А.В, et al. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.