Войцеховский, А., Несмелов, С., & Н.А, К. (2005). Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Войцеховский, А.В, С.Н Несмелов, und Кульчицкий Н.А. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Войцеховский, А.В, et al. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.