APA (7th ed.) Citation

Войцеховский, А., Несмелов, С., & Н.А, К. (2005). Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Войцеховский, А.В, С.Н Несмелов, and Кульчицкий Н.А. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.

MLA (8th ed.) Citation

Войцеховский, А.В, et al. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.