Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона....
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53606 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-536062014-01-26T03:09:20Z Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. Функциональная микро- и наноэлектроника Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. 2005 Article Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника |
| spellingShingle |
Функциональная микро- и наноэлектроника Функциональная микро- и наноэлектроника Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона. |
| format |
Article |
| author |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| author_facet |
Войцеховский, А.В. Несмелов, С.Н. Кульчицкий Н.А. |
| author_sort |
Войцеховский, А.В. |
| title |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_short |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_fullStr |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_full_unstemmed |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ |
| title_sort |
емкостные свойства мдп-структур hgcdte/sio₂/si₃n₄ |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Функциональная микро- и наноэлектроника |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53606 |
| citation_txt |
Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А.В. Войцеховский, С.Н. Несмелов, Н.А. Кульчицкий // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 35-38. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT vojcehovskijav emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT nesmelovsn emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 AT kulʹčickijna emkostnyesvojstvamdpstrukturhgcdtesio2si3n4 |
| first_indexed |
2025-07-05T04:59:15Z |
| last_indexed |
2025-07-05T04:59:15Z |
| _version_ |
1836781725095559168 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2005, ¹ 4
35
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
26.01 2005 ã.
Îïïîíåíò ä. ò. í. Ð. Â. ÊÎÍÀÊÎÂÀ
(ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ)
Ä. ô.-ì. í. À. Â. ÂÎÉÖÅÕÎÂÑÊÈÉ, ê. ô.-ì. í. Ñ. Í. ÍÅÑÌÅËÎÂ,
ä. ò. í. Í. À. ÊÓËÜ×ÈÖÊÈÉ
Ðîññèÿ, ã. Òîìñê, Ñèáèðñêèé ôèçèêî-òåõíè÷åñêèé èíñòèòóò;
ã. Ìîñêâà, ÌÃÈÐÝÀ
E�mail: vav@elefot.tsu.ru
ÅÌÊÎÑÒÍÛÅ ÑÂÎÉÑÒÂÀ ÌÄÏ-ÑÒÐÓÊÒÓÐ HgCdTe/ SiO
2
/Si
3
N
4
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå èññëåäîâàíèÿ ïîêà-
çàëè, ÷òî èñïîëüçîâàíèå äâóõñëîéíîãî
äèýëåêòðèêà SiO2/Si3N4 ïåðñïåêòèâíî
äëÿ ïàññèâàöèè ïîâåðõíîñòè ìàòðè÷íûõ
HgCdTe-ôîòîäèîäîâ äëÿ èíôðàêðàñíî-
ãî äèàïàçîíà.
Óçêîçîííûé òâåðäûé ðàñòâîð HgxCd1�xTe øèðîêî
ïðèìåíÿåòñÿ äëÿ ñîçäàíèÿ âûñîêî÷óâñòâèòåëüíûõ èí-
ôðàêðàñíûõ äåòåêòîðîâ, äåéñòâóþùèõ â ñïåêòðàëüíûõ
äèàïàçîíàõ îêîí ïðîçðà÷íîñòè àòìîñôåðû 3�5 è 8�
12 ìêì [1, 2]. Ïðè èçãîòîâëåíèè ìàòðèöû ôîòîäèîäîâ
îäíîé èç ãëàâíûõ ïðîáëåì ÿâëÿåòñÿ ïàññèâàöèÿ ïî-
âåðõíîñòè HgCdTe, âûðàùåííîãî ìåòîäîì ìîëåêóëÿð-
íî-ëó÷åâîé ýïèòàêñèè (ÌËÝ HgCdTe), ñ âûñîêèìè
ïàðàìåòðàìè ãðàíèöû ðàçäåëà "ïîëóïðîâîäíèê�äè-
ýëåêòðèê" [2]. Äèýëåêòðè÷åñêîå ïîêðûòèå, èñïîëüçóå-
ìîå äëÿ ïàññèâàöèè, äîëæíî óäîâëåòâîðÿòü ðÿäó äî-
ñòàòî÷íî æåñòêèõ óñëîâèé: íèçêàÿ òåìïåðàòóðà ñèíòå-
çà (íå áîëåå 100°Ñ), íèçêàÿ ïîâåðõíîñòíàÿ ïëîòíîñòü
âñòðîåííîãî çàðÿäà, õîðîøèå àäãåçèîííûå ñâîéñòâà,
ñòàáèëüíîñòü âî âðåìåíè è ïðè òåðìîîáðàáîòêàõ.
 êà÷åñòâå îñíîâíîãî äèýëåêòðè÷åñêîãî ïîêðûòèÿ,
óäîâëåòâîðÿþùåãî äàííûì òðåáîâàíèÿì, ïðèìåíÿåò-
ñÿ íèçêîòåìïåðàòóðíûé äèîêñèä êðåìíèÿ (òåìïåðà-
òóðà ñèíòåçà 100°Ñ). Îäíàêî íèçêîòåìïåðàòóðíûé
SiO2 àêòèâíî âçàèìîäåéñòâóåò ñ àòìîñôåðíîé âëà-
ãîé, â ðåçóëüòàòå ÷åãî â îáúåìå ïëåíêè íàêàïëèâàåò-
ñÿ ïîëîæèòåëüíûé çàðÿä äî âåëè÷èíû 1012 ñì�2 â òå-
÷åíèå íåñêîëüêèõ íåäåëü. Äëÿ óñòðàíåíèÿ âëèÿíèÿ
àòìîñôåðíîé âëàãè ïðåäëîæåíî èñïîëüçîâàòü âòîðîé
äèýëåêòðèê�ïëàçìîõèìè÷åñêèé íèòðèä êðåìíèÿ
(Si3N4), êîòîðûé íàíîñèòñÿ íà ïðåäâàðèòåëüíî îñàæ-
äåííûé ñëîé SiO2.
 äàííîé ðàáîòå ïðèâåäåíû ðåçóëüòàòû ýêñïåðèìåí-
òàëüíûõ èññëåäîâàíèé âîëüò-ôàðàäíûõ õàðàêòåðèñòèê
(ÂÔÕ) ÌÄÏ-ñòðóêòóð íà îñíîâå ÌËÝ HgCdTe.
Îáðàçöû è ìåòîäèêà ýêñïåðèìåíòîâ
Ïëåíêè ãåòåðîýïèòàêñèàëüíîãî HgCdTe âûðàùè-
âàëèñü ìåòîäîì ìîëåêóëÿðíî-ëó÷åâîé ýïèòàêñèè íà
ïîäëîæêàõ GaAs. Ïðè âûðàùèâàíèè ýïèòàêñèàëüíûõ
ïëåíîê HgCdTe âáëèçè ïîâåðõíîñòè ñîçäàâàëèñü âà-
ðèçîííûå ñëîè òîëùèíîé 0,5 ìêì ñ ýêñïîíåíöèàëü-
íûì ïîâûøåíèåì êîìïîíåíòíîãî ñîñòàâà CdTe (xCdTe)
îò 0,219�0,231 (â îáúåìå) äî 0,45 (ó ïîâåðõíîñòè).
Äëÿ ÷àñòè îáðàçöîâ (ñåðèè 2, 4, ñì. òàáëèöó) ýòîò
ïðèïîâåðõíîñòíûé øèðîêîçîííûé ñëîé óäàëÿëñÿ ïó-
òåì òðàâëåíèÿ â ðàñòâîðå Br2�HBr, à äëÿ äðóãèõ îá-
ðàçöîâ äèýëåêòðèêè íàíîñèëèñü ïîâåðõ âàðèçîííîãî
ñëîÿ (ñåðèè 1, 3, 5, 6).
Èññëåäîâàëèñü ÌÄÏ-ñòðóêòóðû ñ àíîäíî-îêèñíîé
ïëåíêîé (ÀÎÏ) â êà÷åñòâå äèýëåêòðèêà, à òàêæå ñ äâóõ-
ñëîéíûì äèýëåêòðèêîì (SiO2�Si3N4) ïðè ðàçëè÷íûõ
ïàðàìåòðàõ ýïèòàêñèàëüíîé ïëåíêè HgCdTe. Òîëùèíà
SiO2 ñîñòàâëÿëà 70 íì, òîëùèíà Si3N4 � 30 íì. Íà
ïîâåðõíîñòè äèýëåêòðèêà ôîðìèðîâàëàñü ìàòðèöà
ïîëåâûõ ýëåêòðîäîâ (ýëåìåíòîâ ìàòðèöû) ïóòåì íà-
ïûëåíèÿ èíäèÿ ÷åðåç ñïåöèàëüíûå ìàñêè.
Íåêîòîðûå èñõîäíûå ïàðàìåòðû (ñîñòàâ â ðàáî-
÷åì ñëîå, êîíöåíòðàöèè n(p) è ïîäâèæíîñòè µ îñíîâ-
íûõ íîñèòåëåé ïðè 77 Ê) ÌÄÏ-ñòðóêòóð ðàçëè÷íûõ
ñåðèé ïðèâåäåíû â òàáëèöå.
ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð èçìåðÿëèñü íà àâòîìàòèçè-
ðîâàííîé óñòàíîâêå [3] â äèàïàçîíå ÷àñòîò òåñòîâîãî
ñèãíàëà 1 êÃö�2 ÌÃö ïðè èçìåíåíèè íàïðÿæåíèÿ
ñìåùåíèÿ ñî ñêîðîñòüþ 20 ìÂ/ñ èç îáëàñòè îòðèöà-
òåëüíûõ íàïðÿæåíèé â îáëàñòü ïîëîæèòåëüíûõ (ïðÿ-
ìàÿ ðàçâåðòêà) è íàîáîðîò (îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà). Òî÷-
íîñòü èçìåðåíèÿ åìêîñòè ñîñòàâëÿëà 1%.
Äëÿ èñêëþ÷åíèÿ äåôåêòîîáðàçóþùåé îïåðàöèè ðàñ-
ïàéêè ñòðóêòóð áûëà ñîçäàíà îõëàæäàåìàÿ æèäêèì
àçîòîì èçìåðèòåëüíàÿ êàìåðà, ïîçâîëÿþùàÿ èçìåðÿòü
õàðàêòåðèñòèêè ñòðóêòóð ïðè èñïîëüçîâàíèè óïðàâëÿ-
åìîãî ìèêðîìåòðè÷åñêèìè âèíòàìè òîíêîãî (60 ìêì)
âîëüôðàìîâîãî çîíäà. Ýëåìåíò âûáèðàåòñÿ âèçóàëüíî
ïðè ïîìîùè ìèêðîñêîïà, óñòàíîâëåííîãî íàä äâîé-
íûì ëåéêîñàïôèðîâûì îêíîì. Äëÿ èñêëþ÷åíèÿ âëèÿ-
Àâòîðû áëàãîäàðÿò ñîòðóäíèêîâ ÈÔÏ ÑÎ ÐÀÍ Þ. Ã. Ñèäîðîâà,
Â. Ñ. Âàðàâèíà, Í. Í. Ìèõàéëîâà, Â. Â. Âàñèëüåâà, Ò. È. Çàõàðüÿø,
Þ. Ï. Ìàøóêîâà çà èçãîòîâëåíèå ýêñïåðèìåíòàëüíûõ îáðàçöîâ.
Èñõîäíûå ïàðàìåòðû ÌÄÏ-ñòðóêòóð
Íîìåð
ñåðèè
Òèï ÌÄÏ-ñòðóêòóðû xCdTe
Íàëè÷èå
âàðèçîííîãî
ñëîÿ
n(p), ñì–3 µ, ñì2/Â ñ
1 p-HgCdTe/SiO2/Si3N4 0,227 Åñòü 7 1015 400
2 p-HgCdTe/SiO2/Si3N4 0,227 Íåò 7 1015 400
3 n-HgCdTe/SiO2/Si3N4 0,231 Åñòü 3,5 1014 69000
4 n-HgCdTe/SiO2/Si3N4 0,231 Íåò 3,5 1014 69000
5 p-HgCdTe/ÀÎÏ 0,219 Åñòü 7,2 1015 490
6 n-HgCdTe/ÀÎÏ 0,222 Åñòü 1,8 1014 78000
·
·
·
·
·
·
·
36
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2005, ¹ 4
íèÿ çàñâåòêè íà èçìåðåíèÿ ÂÔÕ îêíî ïîñëå îïóñêà-
íèÿ çîíäà ïåðåêðûâàëîñü îõëàæäàåìîé çàñëîíêîé.
Ðàñ÷åò èäåàëüíûõ ÂÔÕ, íåîáõîäèìûé äëÿ îïðåäå-
ëåíèÿ ïàðàìåòðîâ ÌÄÏ-ñòðóêòóð, ïðîâîäèëñÿ ñ ó÷å-
òîì ýôôåêòîâ âûðîæäåíèÿ è íåïàðàáîëè÷íîñòè çîíû
ïðîâîäèìîñòè â HgCdTe ïî ìîäåëè, îïèñàííîé â [4].
Äëÿ ïîñòðîåíèÿ èäåàëüíûõ ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð íà îñ-
íîâå âàðèçîííîãî HgCdTe îñóùåñòâëÿëîñü ÷èñëåííîå
ðåøåíèå óðàâíåíèÿ Ïóàññîíà äëÿ íåîäíîðîäíîãî ïî-
ëóïðîâîäíèêà ìåòîäîì ñòðåëüáû.
Ýêñïåðèìåíòàëüíûå ðåçóëüòàòû
1) ÂÔÕ p-HgCdTe/SiO2/Si3N4/In.
Íà ðèñ. 1 ïðèâåäåíû ÂÔÕ äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð 1-é
è 2-é ñåðèé ïðè ðàçíûõ ÷àñòîòàõ è íàïðàâëåíèÿõ ðàç-
âåðòêè íàïðÿæåíèÿ. Êàê âèäíî èç ðèñóíêà, ÂÔÕ ÌÄÏ-
ñòðóêòóð èìåþò íèçêî÷àñòîòíûé âèä ïðè ÷àñòîòàõ òå-
ñòîâîãî ñèãíàëà 1 è 5 êÃö è âèä, ïðîìåæóòî÷íûé
ìåæäó âûñîêî÷àñòîòíûì è íèçêî÷àñòîòíûì, â äèàïà-
çîíå ÷àñòîò 200�1000 êÃö.
Ðàñ÷åò èäåàëüíûõ íèçêî÷àñòîòíûõ ÂÔÕ ïîçâîëèë
óñòàíîâèòü, ÷òî ìîäåëü, ó÷èòûâàþùàÿ íåïàðàáîëè÷-
íîñòü çîíû ïðîâîäèìîñòè è èñïîëüçóþùàÿ ñòàòèñòè-
êó Ôåðìè�Äèðàêà, õîðîøî îïèñûâàåò ýêñïåðèìåí-
òàëüíûå ÂÔÕ. Íà èäåàëüíûõ ÂÔÕ íàáëþäàåòñÿ, àíà-
ëîãè÷íî ýêñïåðèìåíòàëüíûì õàðàêòåðèñòèêàì, ðàç-
ëè÷èå åìêîñòåé â îáîãàùåíèè è ñèëüíîé èíâåðñèè.
Èíòåðåñíîé îñîáåííîñòüþ ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð
HgCdTe/SiO2/Si3N4 ÿâëÿåòñÿ íàëè÷èå ãèñòåðåçèñà ÂÔÕ
â îáëàñòè ñëàáîé èíâåðñèè è îòñóòñòâèå çàìåòíûõ
ðàçëè÷èé ÂÔÕ ïðè ïðÿìîé è îáðàòíîé ðàçâåðòêå â
îáåäíåíèè � ñëàáîì îáîãàùåíèè. Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóê-
òóð íà îñíîâå HgCdTe ñ âàðèçîííûì ñëîåì (1-ÿ ñå-
ðèÿ) ãëóáèíà ïðîâàëà ÂÔÕ áîëüøå, ÷åì äëÿ ñòðóêòóð
íà îñíîâå HgCdTe áåç âàðèçîííîãî ñëîÿ (2-ÿ ñåðèÿ),
÷òî îáúÿñíÿåòñÿ óìåíüøåíèåì êîíöåíòðàöèè íåîñíîâ-
íûõ íîñèòåëåé ïðè óâåëè÷åíèè êîìïîíåíòíîãî ñîñòàâà
CdTe âáëèçè ïîâåðõíîñòè. Çíà÷èòåëüíîå óìåíüøåíèå
åìêîñòè â îáîãàùåíèè îáúÿñíÿåòñÿ âëèÿíèåì ñîïðî-
òèâëåíèÿ îáúåìà ýïèòàêñèàëüíîé ïëåíêè íà èçìåðÿå-
ìóþ åìêîñòü ïðè èñïîëüçîâàíèè ïàðàëëåëüíîé ñõå-
ìû çàìåùåíèÿ.
Ñëåäóåò îòìåòèòü, ÷òî âëèÿíèå ñîïðîòèâëåíèÿ
îáúåìà íà èçìåðÿåìûå äèôôåðåíöèàëüíóþ åìêîñòü è
ïðîâîäèìîñòü ÌÄÏ-ñòðóêòóð íà îñíîâå ýïèòàêñèàëü-
íîãî HgCdTe ìîæåò ïðîÿâëÿòüñÿ â âèäå ìàêñèìóìîâ
íà ÂÔÕ â îáëàñòè ñëàáîãî îáîãàùåíèÿ. Ñîïðîòèâëå-
íèå îáúåìà ýïèòàêñèàëüíîé ïëåíêè ìîæåò áûòü íàé-
äåíî ïî ðåçóëüòàòàì èçìåðåíèé åìêîñòè è äèôôåðåí-
öèàëüíîé ïðîâîäèìîñòè ÌÄÏ-ñòðóêòóðû â îáîãàùå-
íèè íà âûñîêèõ ÷àñòîòàõ, ÷òî ïîçâîëÿåò ïðè ïîìîùè
ìåòîäà ýêâèâàëåíòíûõ ñõåì ðàññ÷èòàòü ÂÔÕ ïðè èñ-
êëþ÷åíèè âëèÿíèÿ ñîïðîòèâëåíèÿ îáúåìà.
Íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí äëÿ ñòðóêòóð 1-é ñå-
ðèè ñîñòàâëÿåò �0,44 Â ïðè ïðÿìîì õîäå ðàçâåðòêè
è �0,38 Â ïðè îáðàòíîì õîäå ðàçâåðòêè. Âûäåðæêà
ñòðóêòóðû ïðè íàïðÿæåíèÿõ àìïëèòóäîé 10 Â îáå-
èõ ïîëÿðíîñòåé â òå÷åíèå 10 ìèí íå ïðèâîäèò ê çà-
ìåòíîìó èçìåíåíèþ íàïðÿæåíèÿ ïëîñêèõ çîí. Ïëîò-
íîñòü ñóììàðíîãî ýôôåêòèâíîãî çàðÿäà íà ãðàíè-
öå ðàçäåëà "äèýëåêòðèê�ïîëóïðîâîäíèê" (îáóñëîâ-
ëåííîãî ñóììàðíûì âëèÿíèåì ðàçíîñòè ðàáîò âû-
õîäà èç ìåòàëëà è ïîëóïðîâîäíèêà, ôèêñèðîâàí-
íûì è ïîäâèæíûì çàðÿäîì â äèýëåêòðèêå, à òàêæå
çàðÿäîì ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé) ñîñòàâëÿåò
1,58·10�4 Êë/ì2 ïðè ïðÿìîé è 1,37·10�4 Êë/ì2 ïðè
îáðàòíîé ðàçâåðòêå íàïðÿæåíèÿ.
Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð 2-é ñåðèè íàïðÿæåíèå ïëîñ-
êèõ çîí ïðè ïðÿìîé è îáðàòíîé ðàçâåðòêå ñîñòàâëÿåò
�0,72 Â, ÷òî ñîîòâåòñòâóåò ïëîòíîñòè ýôôåêòèâíîãî
ïðèâåäåííîãî çàðÿäà 2,5·10�4 Êë/ì2. Ïîäà÷à ïîëîæè-
òåëüíîãî íàïðÿæåíèÿ ñìåùåíèÿ ïðèâîäèò ê ïîÿâëå-
íèþ èíäóöèðîâàííîãî îòðèöàòåëüíîãî çàðÿäà âåëè-
÷èíîé îêîëî 0,9·10-4 Êë/ì2.
2) ÂÔÕ n-HgCdTe/SiO2/Si3N4/In.
Íà ðèñ. 2 ïðèâåäåíû ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð
n-HgCdTe/SiO2/Si3N4 3-é è 4-é ñåðèé. Êàê ñëåäóåò èç
ðèñ. 2, à, äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð íà îñíîâå HgCdTe ñ
âàðèçîííûì ñëîåì (3-ÿ ñåðèÿ) òèïè÷åí ãèñòåðåçèñ â
ðåæèìå îáåäíåíèÿ è îòñóòñòâèå ãèñòåðåçèñà â èíâåð-
ñèè; ÷àñòîòíàÿ äèñïåðñèÿ íåçíà÷èòåëüíà. Ãëóáèíà
ïðîâàëà ÂÔÕ äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð ñ âàðèçîííûì ñëî-
åì áîëüøå, ÷åì äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð áåç âàðèçîííîãî
ñëîÿ. Äëÿ îáðàçöà áåç âàðèçîííîãî ñëîÿ (4-ÿ ñåðèÿ)
íàáëþäàåòñÿ óâåëè÷åíèå ãëóáèíû ïðîâàëà ïðè óâå-
ëè÷åíèè ÷àñòîòû òåñòîâîãî ñèãíàëà, ÷òî ìîæåò áûòü
îáóñëîâëåíî âëèÿíèåì íà èçìåðÿåìóþ åìêîñòü åì-
�2 �1 0 1 2
90
80
70
60
50
40
Å
ì
êî
ñò
ü,
ï
Ô
à)
Íàïðÿæåíèå, Â
1 ÌÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
600 êÃö, ïðÿìàÿ
ðàçâåðòêà
200 êÃö, ïðÿìàÿ
ðàçâåðòêà
1 êÃö, îáðàòíàÿ
ðàçâåðòêà
1 êÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
Ðèñ. 1. ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð p-HgCdTe/SiO2/Si3N4 1-é ñå-
ðèè (à) è 2-é ñåðèè (á) ïðè ðàçíûõ ÷àñòîòàõ è íàïðàâëå-
íèÿõ ðàçâåðòêè
�2 �1 0 1 2
Íàïðÿæåíèå, Â
100
90
80
70
60
50
40
Å
ì
êî
ñò
ü,
ï
Ô
á)
1 êÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
600 êÃö, ïðÿìàÿ
ðàçâåðòêà
600 êÃö,
îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
1 ÌÃö, îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2005, ¹ 4
37
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
êîñòè ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé íà íèçêèõ ÷àñòîòàõ.
Äëÿ ñòðóêòóð äàííîé ñåðèè òèïè÷åí íèçêî÷àñòîòíûé
âèä ÂÔÕ ïðè ÷àñòîòàõ òåñòîâîãî ñèãíàëà äî 1 ÌÃö.
Îòñóòñòâèå çàìåòíîé ÷àñòîòíîé äèñïåðñèè åìêîñòè â
îáîãàùåíèè ñâÿçàíî ñ áîëåå âûñîêîé ïðîâîäèìîñòüþ
ïëåíêè (4 Îì�1·ñì�1).
Èíòåðåñíîé îñîáåííîñòüþ, íàáëþäàâøåéñÿ äëÿ
áîëüøîãî ÷èñëà îáðàçöîâ, ÿâëÿåòñÿ áîëüøèé ãèñòåðå-
çèñ ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð n-HgCdTe/SiO2/Si3N4 ñ ïðè-
ïîâåðõíîñòíûìè øèðîêîçîííûìè ñëîÿìè (ïî ñðàâíå-
íèþ ñ ÌÄÏ-ñòðóêòóðàìè áåç âàðèçîííûõ ñëîåâ). Òàê-
æå äëÿ âñåõ ñòðóêòóð ñ äâóõñëîéíûì äèýëåêòðèêîì
(SiO2/Si3N4) îòìå÷åíî íàëè÷èå çàìåòíîãî ãèñòåðåçè-
ñà â îáëàñòè ïîëîæèòåëüíûõ (îòíîñèòåëüíî ìèíèìó-
ìà ÂÔÕ) íàïðÿæåíèé, ÷òî ïîçâîëÿåò ïðåäïîëîæèòü,
÷òî ïðè÷èíîé ãèñòåðåçèñà ÿâëÿåòñÿ èíæåêöèÿ ýëåêò-
ðîíîâ èç ïðèïîâåðõíîñòíîãî ñëîÿ ïîëóïðîâîäíèêà â
äèýëåêòðèê.
Äëÿ ñòðóêòóð 3-é ñåðèè íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí
ñîñòàâëÿåò 0,42 Â ïðè ïðÿìîé ðàçâåðòêå íàïðÿæåíèÿ
è 1,53 Â ïðè îáðàòíîé ðàçâåðòêå, à äëÿ ñòðóêòóð 4-é
ñåðèè � �0,48 Â. Âåëè÷èíà ïëîòíîñòè îòðèöàòåëüíî-
ãî ýôôåêòèâíîãî çàðÿäà ñîñòàâëÿåò äëÿ ñòðóêòóð 3-é
ñåðèè 1,3·10�4 Êë/ì2 è 4,8·10�4 Êë/ì2, à äëÿ ÌÄÏ-
ñòðóêòóðû 4-é ñåðèè òèïè÷åí ïîëîæèòåëüíûé çàðÿä ñ
ïëîòíîñòüþ 1,44·10�4 Êë/ì2.
3) ÂÔÕ p- è n-HgCdTe/ÀÎÏ/In.
Ñ öåëüþ ñðàâíåíèÿ õàðàêòåðèñòèê ÌÄÏ-ñòðóêòóð
ñ ðàçëè÷íûìè äèýëåêòðèêàìè áûëè ïðîâåäåíû èññëå-
äîâàíèÿ ÂÔÕ ñòðóêòóð HgCdTe/ÀÎÏ ïðè ðàçíûõ òè-
ïàõ ïðîâîäèìîñòè âàðèçîííîãî ïîëóïðîâîäíèêà.
Íà ðèñ. 3 ïðèâåäåíû ýêñïåðèìåíòàëüíûå ÂÔÕ äëÿ
ÌÄÏ-ñòðóêòóð íà îñíîâå HgCdTe p- è n-òèïîâ ïðîâî-
äèìîñòè. Áîëüøèå çíà÷åíèÿ åìêîñòè äèýëåêòðèêà äëÿ
ñòðóêòóð ñ ÀÎÏ, îáóñëîâëåííûå áîëüøîé äèýëåêòðè-
÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòüþ, îïðåäåëÿþò âàæíóþ ðîëü
âëèÿíèÿ ñîïðîòèâëåíèÿ îáúåìà ïëåíêè íà ôîðìèðîâà-
íèå ýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê. ×àñòîòíàÿ äèñïåð-
ñèÿ åìêîñòè â îáîãàùåíèè è ñèëüíîé èíâåðñèè ÿðêî
âûðàæåíà ïðè ïðîâîäèìîñòÿõ îáúåìà 0,63 Îì�1·ñì�1
(ðèñ. 3, à) è 2,6 Îì�1·ñì�1 (ðèñ. 3, á).
Ðèñ. 2. ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð n-HgCdTe/SiO2/Si3N4 3-é ñåðèè (à) è 4-é ñåðèè (á) ïðè ðàçíûõ ÷àñòîòàõ è íàïðàâëåíèÿõ
ðàçâåðòêè
à)
�3 �2 �1 0 1 2 3
80
70
60
50
40
Å
ì
êî
ñò
ü,
ï
Ô
Íàïðÿæåíèå, Â
5 êÃö,
îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
2 êÃö,
îáðàòíàÿ
ðàçâåðòêà
1 ÌÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
5 êÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
�3 �2 �1 0 1 2
Íàïðÿæåíèå, Â
80
70
60
Å
ì
êî
ñò
ü,
ï
Ô
á)
1 ÌÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
5 êÃö, ïðÿìàÿ
ðàçâåðòêà
200 êÃö, ïðÿìàÿ
ðàçâåðòêà
1 ÌÃö, îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
�2 �1 0 1
Å
ì
êî
ñò
ü,
ï
Ô
Íàïðÿæåíèå, Â
5 êÃö, îáðàòíàÿ
ðàçâåðòêà
5 êÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
à)
200 êÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
1 ÌÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
800
600
400
200
Ðèñ. 3. ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð p-HgCdTe/ÀÎÏ/In 5-é ñåðèè
(à) è 6-é ñåðèè (á) íà ðàçíûõ ÷àñòîòàõ
�2,0 �1,5 �1,0 �0,5 0,0
Íàïðÿæåíèå, Â
á)
Å
ì
êî
ñò
ü,
ï
Ô
500
400
300
200
100
10 êÃö, ïðÿìàÿ ðàçâåðòêà
10 êÃö, îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
200 êÃö,
îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
1 ÌÃö,
îáðàòíàÿ ðàçâåðòêà
38
ÔÓÍÊÖÈÎÍÀËÜÍÀß ÌÈÊÐÎ- È ÍÀÍÎÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÀ
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2005, ¹ 4
ïîäà÷å íàïðÿæåíèÿ îò �2  äî 2 Â). Íàïðÿæåíèå ïëîñ-
êèõ çîí ÌÄÏ-ñòðóêòóð HgCdTe/ÀÎÏ çàâèñèò îò òîãî,
êàêîé àìïëèòóäû îòðèöàòåëüíîå íàïðÿæåíèå ïðèêëà-
äûâàëîñü ê äàííîé ñòðóêòóðå. Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð
HgCdTe/ÀÎÏ ïðè íóëåâîì ñìåùåíèè ðåàëèçóåòñÿ ðå-
æèì îáîãàùåíèÿ.
Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð ñ àíîäíûì îêñèäîì òèïè÷åí ãè-
ñòåðåçèñ ÂÔÕ ïðè íàïðÿæåíèÿõ, ñîîòâåòñòâóþùèõ ðå-
æèìàì îáîãàùåíèÿ, îáåäíåíèÿ, èíâåðñèè, è ïëîòíîñòü
ïîäâèæíîãî çàðÿäà ñîñòàâëÿåò îêîëî 5·10�4 Êë/ì2 ïðè
èçìåíåíèÿõ íàïðÿæåíèÿ îò �2 Â äî 2 Â.
ÌÄÏ-ñòðóêòóðû ñ äâóõñëîéíûì äèýëåêòðèêîì
(SiO2/Si3N4) îáëàäàþò ìàëîé åìêîñòüþ äèýëåêòðèêà
(70�90 ïÔ), ÷òî ñâÿçàíî ñ ìåíüøåé, ÷åì â ÀÎÏ, äè-
ýëåêòðè÷åñêîé ïðîíèöàåìîñòüþ SiO2/Si3N4, ãèñòåðå-
çèñîì â îáëàñòè ïîëîæèòåëüíûõ (îòíîñèòåëüíî íàïðÿ-
æåíèÿ ïëîñêèõ çîí) íàïðÿæåíèé. Ïîäà÷à íàïðÿæåíèé
â äèàïàçîíå �10 Â...10 Â íå ïðèâîäèò ê ïðîáîþ äè-
ýëåêòðèêà, à òàêæå ê íàêîïëåíèþ ôèêñèðîâàííîãî çà-
ðÿäà â äèýëåêòðèêå. Íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí äëÿ ÌÄÏ-
ñòðóêòóð íà îñíîâå HgCdTe ñ âàðèçîííûìè ñëîÿìè
ïðè ïðÿìîé ðàçâåðòêå íàïðÿæåíèÿ íå ïðåâûøàåò ïî
ìîäóëþ 0,4 Â, ÷òî ñîîòâåòñòâóåò ïëîòíîñòè ýôôåêòèâ-
íîãî çàðÿäà îêîëî 1,4·10�4 Êë/ì2.
Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð ñ äâóõñëîéíûì äèýëåêòðèêîì
íà îñíîâå HgCdTe áåç âàðèçîííûõ ñëîåâ ïëîòíîñòü
ýôôåêòèâíîãî çàðÿäà ìîæåò äîñòèãàòü 5·10�4 Êë/ì2.
Ïëîòíîñòü ïîäâèæíîãî çàðÿäà äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð
HgCdTe/SiO2/Si3N4 ìîæåò äîñòèãàòü 3,5·10�4 Êë/ì2 äëÿ
ñëó÷àÿ íàëè÷èÿ âàðèçîííûõ ñëîåâ, à äëÿ ÌÄÏ-ñòðóê-
òóð íà îñíîâå îäíîðîäíîãî ïîëóïðîâîäíèêà ýëåêòðîí-
íîãî òèïà ïðîâîäèìîñòè ïëîòíîñòü ïîäâèæíîãî çàðÿ-
äà ñóùåñòâåííî ìåíüøå. Ïðè íóëåâîì ñìåùåíèè äëÿ
ÌÄÏ-ñòðóêòóð HgCdTe/SiO2/Si3N4 òèïè÷íà ðåàëèçàöèÿ
ðåæèìîâ ñëàáîãî îáîãàùåíèÿ, îáåäíåíèÿ èëè ñëàáîé
èíâåðñèè â çàâèñèìîñòè îò òèïà ïðîâîäèìîñòè ïîëó-
ïðîâîäíèêà è íàëè÷èÿ âàðèçîííûõ ñëîåâ.
Çàêëþ÷åíèå
Íà îñíîâàíèè ïðîâåäåííûõ èññëåäîâàíèé ìîæíî
ñäåëàòü âûâîä î ïåðñïåêòèâíîñòè èñïîëüçîâàíèÿ
äâóõñëîéíîãî äèýëåêòðèêà SiO2/Si3N4 äëÿ öåëåé ïàñ-
ñèâàöèè ïîâåðõíîñòè ìàòðè÷íûõ ôîòîïðèåìíèêîâ íà
îñíîâå HgCdTe èç-çà âûñîêîé ýëåêòðè÷åñêîé ïðî÷-
íîñòè, ñòàáèëüíîñòè è âîçìîæíîñòåé ìèíèìèçàöèè
ôèêñèðîâàííîãî è ïîäâèæíîãî çàðÿäîâ â ýòîì äè-
ýëåêòðè÷åñêîì ïîêðûòèè.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Ðîãàëüñêèé À. Èíôðàêðàñíûå äåòåêòîðû.� Íîâîñèáèðñê:
Íàóêà, 2003.
2. Îâñþê Â. Í., Êóðûøåâ Ã. Ë., Ñèäîðîâ Þ. Ã. è äð. Ìàòðè÷íûå
ôîòîïðèåìíûå óñòðîéñòâà èíôðàêðàñíîãî äèàïàçîíà.� Íîâîñè-
áèðñê: Íàóêà, 2001.
3. Âîéöåõîâñêèé À. Â., Äàâûäîâ Â. Í. Ôîòîýëåêòðè÷åñêèå
ÌÄÏ-ñòðóêòóðû èç óçêîçîííûõ ïîëóïðîâîäíèêîâ.� Òîìñê: Ðà-
äèî è ñâÿçü, 1990.
4. Âîéöåõîâñêèé À. Â., Íåñìåëîâ Ñ. Í., Êóëü÷èöêèé Í. À.
Åìêîñòíûå ñâîéñòâà ÌÄÏ-ñòðóêòóð HgCdTe/SiO2�Si3N4 // Ìàò-ëû
10-é Ìåæäóíàð. íàó÷.-òåõí. êîíô. «Âûñîêèå òåõíîëîãèè â ïðî-
ìûøëåííîñòè Ðîññèè».� Ìîñêâà.� 2004.� Ñ. 141�147.
Íàëè÷èå ìàêñèìóìà â îáëàñòè ñëàáîãî îáîãàùå-
íèÿ íà ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð n-HgCdTe/ÀÎÏ ñâÿçàíî ñ
íåìîíîòîííîé çàâèñèìîñòüþ èçìåðÿåìîé åìêîñòè îò
åìêîñòè îáëàñòè ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà ïðè çíà-
÷èòåëüíîì ñîïðîòèâëåíèè îáúåìà ýïèòàêñèàëüíîé
ïëåíêè. Íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí íà íèçêèõ ÷àñòîòàõ
äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð 5-é ñåðèè ïðè ïðÿìîé è îáðàòíîé
ðàçâåðòêå ñîñòàâëÿåò ñîîòâåòñòâåííî �1,25 è �1,1 Â,
ýôôåêòèâíûé ïðèâåäåííûé çàðÿä ðàâåí 4·10�3 è
3,5·10�3 Êë/ì2, ñîîòâåòñòâåííî. Ãèñòåðåçèñ ïðîÿâ-
ëÿåòñÿ äëÿ ñòðóêòóð 5-é ñåðèè è â èíâåðñèè, è â îáåä-
íåíèè, âåëè÷èíà ýôôåêòèâíîãî ïîäâèæíîãî çàðÿäà ñî-
ñòàâëÿåò 5·10�4 Êë/ì2.
Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð 6-é ñåðèè ïðè ïîäà÷å íàïðÿæåíèÿ
äî �2 Â ïðè ïðÿìîé ðàçâåðòêå íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí
ñîñòàâëÿåò �1,38 Â, ïðè îáðàòíîé � �1,08 Â, ÷òî ñîîò-
âåòñòâóåò ïëîòíîñòÿì çàðÿäà 2,8·10�3 è 2,2·10�3 Êë/ì2,
ñîîòâåòñòâåííî. Ïëîòíîñòü ïîäâèæíîãî çàðÿäà äëÿ
ÌÄÏ-ñòðóêòóð 6-é ñåðèè ñîñòàâëÿåò 6·10�4 Êë/ì2.
 èñõîäíîì ñîñòîÿíèè íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí äëÿ
ÌÄÏ-ñòðóêòóð HgCdTe/ÀÎÏ ñîñòàâëÿåò îêîëî �0,5 Â,
÷òî ñîîòâåòñòâóåò ïëîòíîñòè ïðèâåäåííîãî ê ãðàíèöå
ðàçäåëà çàðÿäà 10�3 Êë/ì2. Ïîñëå ïîäà÷è îòðèöàòåëü-
íîãî íàïðÿæåíèÿ, ñîîòâåòñòâóþùåãî èíâåðñèè, õàðàê-
òåðèñòèêè ÌÄÏ-ñòðóêòóð ñäâèãàþòñÿ â îáëàñòü îòðè-
öàòåëüíûõ íàïðÿæåíèé, ÷òî ñâèäåòåëüñòâóåò î íàêîï-
ëåíèè â ÀÎÏ ïîëîæèòåëüíîãî çàðÿäà. Íàïðÿæåíèå
ïëîñêèõ çîí ÌÄÏ-ñòðóêòóð HgCdTe/ÀÎÏ çàâèñèò îò
òîãî, êàêîé àìïëèòóäû îòðèöàòåëüíîå íàïðÿæåíèå ïðè-
êëàäûâàëîñü ê äàííîé ñòðóêòóðå. Äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð
n-HgCdTe/ÀÎÏ ïðè íóëåâîì ñìåùåíèè ðåàëèçóåòñÿ
ðåæèì îáîãàùåíèÿ, äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð p-HgCdTe/ÀÎÏ
ðåàëèçóåòñÿ ðåæèì èíâåðñèè.  îòëè÷èå îò ñòðóêòóð ñ
äâóõñëîéíûì äèýëåêòðèêîì, â äàííîì ñëó÷àå ãèñòå-
ðåçèñ ÂÔÕ íàáëþäàåòñÿ âî âñåé îáëàñòè íàïðÿæåíèé,
ñîîòâåòñòâóþùèõ ìîäóëÿöèè ÂÔÕ.
Îáñóæäåíèå ðåçóëüòàòîâ ýêñïåðèìåíòà
Òàêèì îáðàçîì, ýêñïåðèìåíòàëüíî èññëåäîâàíû
ÂÔÕ ÌÄÏ-ñòðóêòóð p(n)-HgCdTå/SiO2/Si3N4 è p(n)-
HgCdTå/ÀÎÏ, â òîì ÷èñëå ñ ïðèïîâåðõíîñòíûìè âàðè-
çîííûìè ñëîÿìè. Ïîêàçàíî, ÷òî ñîïðîòèâëåíèå îáúåìà
ýïèòàêñèàëüíîé ïëåíêè ñóùåñòâåííî âëèÿåò íà èçìåðÿ-
åìóþ åìêîñòü ÌÄÏ-ñòðóêòóð p-HgCdTe/SiO2/Si3N4,
n-HgCdTe/ÀÎÏ è p-HgCdTe/ÀÎÏ ïðè êîíöåíòðàöèè îñ-
íîâíûõ íîñèòåëåé â ïëåíêå 1014�1015 ñì�3.
ÌÄÏ-ñòðóêòóðû ñ àíîäíûì îêñèäîì îáëàäàþò áîëü-
øîé åìêîñòüþ äèýëåêòðèêà (600�700 ïÔ), áîëüøåé
ìîäóëÿöèåé åìêîñòè íà íèçêèõ ÷àñòîòàõ (300�500 ïÔ),
÷àñòîòíîé äèñïåðñèåé åìêîñòè â îáîãàùåíèè. Ïîäà÷à
îòðèöàòåëüíîãî íàïðÿæåíèÿ àìïëèòóäîé â íåñêîëüêî
âîëüò ÷àñòî ïðèâîäèò ê ïðîáîþ ÀÎÏ.  èñõîäíîì ñî-
ñòîÿíèè íàïðÿæåíèå ïëîñêèõ çîí äëÿ ÌÄÏ-ñòðóêòóð
HgCdTe/ÀÎÏ ñîñòàâëÿåò îêîëî �0,5 Â, ÷òî ñîîòâåòñòâó-
åò ïëîòíîñòè ïðèâåäåííîãî ê ãðàíèöå ðàçäåëà çàðÿäà
îêîëî 10�3 Êë/ì2. Ïîñëå ïîäà÷è îòðèöàòåëüíîãî íà-
ïðÿæåíèÿ, ñîîòâåòñòâóþùåãî èíâåðñèè, õàðàêòåðèñ-
òèêè ÌÄÏ-ñòðóêòóð ñäâèãàþòñÿ â îáëàñòü îòðèöàòåëü-
íûõ íàïðÿæåíèé, ÷òî ñâèäåòåëüñòâóåò î íàêîïëåíèè â
ÀÎÏ ïîëîæèòåëüíîãî çàðÿäà (äî 4·10�3 Êë/ì2 ïðè
|