Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ - Войцеховский, А.В.; Несмелов, С.Н.; Кульчицкий Н.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2005)
Экспериментальные исследования показали, что использование двухслойногоe диэлектрика SiO₂/Si₃N₄ перспективноe для пассивации поверхности матричных HgCdTe-фотодиодов для инфракрасного диапазона.