Способ электродугового восстановления кремния
Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %.
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2005
|
| Назва видання: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53612 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-53612 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-536122014-01-26T03:09:57Z Способ электродугового восстановления кремния Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. Материалы электроники Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %. 2005 Article Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53612 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Материалы электроники Материалы электроники |
| spellingShingle |
Материалы электроники Материалы электроники Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. Способ электродугового восстановления кремния Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| description |
Путем изготовления электродов состава SiO₂:Zn и их плавления получены кристаллы кремния со степенью чистоты 99,993 мас. %. |
| format |
Article |
| author |
Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. |
| author_facet |
Соловьев, О.В. Масенко, Б.П. Хлопенова, И.А. |
| author_sort |
Соловьев, О.В. |
| title |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_short |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_full |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_fullStr |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_full_unstemmed |
Способ электродугового восстановления кремния |
| title_sort |
способ электродугового восстановления кремния |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2005 |
| topic_facet |
Материалы электроники |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/53612 |
| citation_txt |
Способ электродугового восстановления кремния / О.В. Соловьев, Б.П. Масенко, И.А. Хлопенова // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2005. — № 4. — С. 60-61. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| work_keys_str_mv |
AT solovʹevov sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT masenkobp sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ AT hlopenovaia sposobélektrodugovogovosstanovleniâkremniâ |
| first_indexed |
2025-07-05T04:59:31Z |
| last_indexed |
2025-07-05T04:59:31Z |
| _version_ |
1836781741259358208 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2005, ¹ 4
60
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ
25.04 2005 ã.
Îïïîíåíò ä. õ. í. Â. Í. ÒÎÌÀØÈÊ
(ÈÔÏ èì. Â. Å. Ëàøêàð¸âà, ã. Êèåâ)
Î. Â. ÑÎËÎÂÜÅÂ, ê. ò. í. Á. Ï. ÌÀÑÅÍÊÎ, È. À. ÕËÎÏÅÍÎÂÀ
Óêðàèíà, Õåðñîíñêèé íàöèîíàëüíûé òåõíè÷åñêèé óíèâåðñèòåò
E-mail: khlopynova@mail.ru
ÑÏÎÑÎÁ ÝËÅÊÒÐÎÄÓÃÎÂÎÃÎ ÂÎÑÑÒÀÍÎÂËÅÍÈß ÊÐÅÌÍÈß
Ïóòåì èçãîòîâëåíèÿ ýëåêòðîäîâ ñîñòà-
âà SiO2:Zn è èõ ïëàâëåíèÿ ïîëó÷åíû êðè-
ñòàëëû êðåìíèÿ ñî ñòåïåíüþ ÷èñòîòû
99,993 ìàñ. %.
Îñíîâíûì ìàòåðèàëîì ïðè ïðîèçâîäñòâå ôîòî-
ýëåêòðè÷åñêèõ ïðåîáðàçîâàòåëåé (ÔÝÏ) ñîëíå÷íîé
ýíåðãèè è ìíîãèõ äðóãèõ ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðè-
áîðîâ ÿâëÿåòñÿ êðåìíèé.
 2001 ã. ìèðîâîå ïðîèçâîäñòâî êðåìíèÿ «ñîëíå÷-
íîãî» êëàññà (ÑÊ) ñîñòàâèëî 24000 òîíí. Ê 2010 ã. òîëü-
êî â Åâðîïå îæèäàåòñÿ äåôèöèò ýòîãî ìàòåðèàëà îêîëî
5000 òîíí. Ýòî ñâÿçàíî ïðåæäå âñåãî ñ øèðîêèì ðàç-
âèòèåì ôîòîýíåðãåòèêè, à òàêæå ñ ðåàëèçàöèåé â ðàç-
âèòûõ ñòðàíàõ èçâåñòíûõ ïðîãðàìì � «Ìèëëèîí ñîë-
íå÷íûõ êðûø» â ÑØÀ, «Ñòî òûñÿ÷ ñîëíå÷íûõ êðûø»
â Ãåðìàíèè è ßïîíèè, êîòîðûå ïðåäóñìàòðèâàþò äàëü-
íåéøåå óâåëè÷åíèå êðóïíîòîííàæíîãî ïðîèçâîäñòâà
ýòîãî ïîëóïðîâîäíèêîâîãî ìàòåðèàëà.
Êðåìíèé íàçûâàþò «íåôòüþ» ÕÕI ñòîëåòèÿ. Îä-
íàêî åãî âûñîêàÿ ñåáåñòîèìîñòü ÿâëÿåòñÿ ñóùåñòâåí-
íûì ïðåïÿòñòâèåì â øèðîêîìàñøòàáíîì ïðîìûøëåí-
íîì ïðèìåíåíèè. Íà ñåãîäíÿøíèé äåíü ðÿä ïðè÷èí
ñäåðæèâàåò ðàçâèòèå ôîòîýíåðãåòèêè â Óêðàèíå, îäíà
èç íèõ � îòñóòñòâèå ðàçâåäàííûõ èñòî÷íèêîâ èñõîä-
íîãî ñûðüÿ � ÷èñòûõ êâàðöèòîâ è êðåìíåçåìîâ.
 íàñòîÿùåå âðåìÿ èñïîëüçóþòñÿ ðàçëè÷íûå òåõ-
íîëîãèè äëÿ ïîëó÷åíèÿ êðåìíèÿ [1], íàïðèìåð, âîñ-
ñòàíîâëåíèå ëåòó÷èõ ñîåäèíåíèé Si�H�Cl, SiH4, äâó-
îêèñè êðåìíèÿ (SiO2) è î÷èñòêà ìåòàëëóðãè÷åñêîãî
êðåìíèÿ.
Íàèáîëåå ýêîíîìè÷íûì ñïîñîáîì ïðîèçâîäñòâà
êðåìíèÿ, íåñîìíåííî, ÿâëÿåòñÿ êàðáîòåðìè÷åñêîå âîñ-
ñòàíîâëåíèå äâóîêèñè êðåìíèÿ â äóãîâîé ýëåêòðîïå-
÷è [2]. Îäíàêî ïîëó÷àåìîå ñûðüå èìååò âûñîêèé óðî-
âåíü ïðèìåñåé, ÷òî, î÷åâèäíî, ÿâëÿåòñÿ ðåçóëüòàòîì
èñïîëüçîâàíèÿ íåî÷èùåííûõ èñõîäíûõ ìàòåðèàëîâ,
â îñíîâíîì óãëåðîäà (äðåâåñíûé óãîëü, êîêñ), è çàã-
ðÿçíåíèÿ â ïðîöåññå ïðîèçâîäñòâà, à èìåííî îò ôó-
òåðîâêè ïå÷è, ýëåêòðîäîâ, îáîðóäîâàíèÿ äëÿ øóðîâ-
êè è âûïóñêà ïëàâêè. ×òîáû ïîëó÷àåìûé «ñîëíå÷-
íûé» êðåìíèé ìîæíî áûëî èñïîëüçîâàòü äëÿ ïðîèç-
âîäñòâà ÔÝÏ ñ ÊÏÄ îêîëî 13%, íåîáõîäèìî, ÷òîáû
êîíöåíòðàöèè â íåì îòäåëüíûõ ýëåêòðîàêòèâíûõ ïðè-
ìåñåé áûëè ìåíüøå ìèëëèîííûõ ÷àñòåé, ò. ê. òàêèå
ýëåìåíòû êàê áîð, ôîñôîð, êèñëîðîä è óãëåðîä îêà-
çûâàþò íàèáîëüøåå îòðèöàòåëüíîå âëèÿíèå íà ýôôåê-
òèâíîñòü ôîòîïðåîáðàçîâàòåëåé.
Äëÿ ïîëó÷åíèÿ êðåìíèÿ íàìè ðàçðàáîòàí ñïî-
ñîá åãî ýëåêòðîäóãîâîãî âîññòàíîâëåíèÿ èç
äâóîêèñè êðåìíèÿ [3]. Èñõîäíûì ñûðüåì ìîæåò ñëó-
æèòü êàê ñèíòåòè÷åñêèé êâàðö, òàê è äèîêñèä êðåì-
íèÿ â âèäå áåëîé çîëû, ïîëó÷åííûé â ïðîöåññå äâóõ-
ñòàäèéíîãî ïèðîëèçà èç ðèñîâîé øåëóõè [4].
 êà÷åñòâå âîññòàíîâèòåëÿ ìîæåò áûòü èñïîëüçî-
âàí ìåòàëë, êîòîðûé äîëæåí ñîîòâåòñòâîâàòü ñëåäó-
þùèì òðåáîâàíèÿì:
� èìåòü äîñòàòî÷íî âûñîêóþ ýëåêòðîïðîâîäíîñòü;
� íå ñìåøèâàòüñÿ ñ êðåìíèåì è íå îáðàçîâûâàòü
ñ íèì óñòîé÷èâûõ ñîåäèíåíèé;
� îáëàäàòü âûñîêîé ðåàêöèîííîé ñïîñîáíîñòüþ;
� èìåòü âûñîêóþ ñòåïåíü ÷èñòîòû;
� îáëàäàòü äîñòóïíîé öåíîé.
Âñåì âûøåïåðå÷èñëåííûì òðåáîâàíèÿì íàèáîëåå
ñîîòâåòñòâóåò öèíê.
Ìåòîäèêà ýëåêòðîäóãîâîãî âîññòàíîâëåíèÿ êðåì-
íèÿ èç äèîêñèäà êðåìíèÿ âêëþ÷àëà ïðèãîòîâëåíèå
øèõòû ñîñòàâà SiO2:Zn, èçãîòîâëåíèå ýëåêòðîäîâ äàí-
íîãî ñîñòàâà, íåïîñðåäñòâåííî âîññòàíîâëåíèå êðåì-
íèÿ â êâàðöåâîì ðåàêòîðå îò èñòî÷íèêà ïèòàíèÿ ýëåê-
òðîäóãîâîãî ãåíåðàòîðà äóãè ïåðåìåííîãî òîêà, ïðî-
ìûâêà ïîëó÷åííîãî ìàòåðèàëà õèìè÷åñêèìè ìåòîäà-
ìè è åãî àíàëèç.
Ïåðâûé òåõíîëîãè÷åñêèé ýòàï � ïðèãîòîâëåíèå
øèõòû SiO2:Zn è èçãîòîâëåíèå ýëåêòðîäîâ äàííîãî
ñîñòàâà � âêëþ÷àë â ñåáÿ ñëåäóþùèå òåõíîëîãè-
÷åñêèå îïåðàöèè è ïðèåìû [5, 6]: ìåõàíè÷åñêîå èç-
ìåëü÷åíèå öèíêà, îòæèã ìåòàëëà-âîññòàíîâèòåëÿ, ðàñ-
ñåâ èñõîäíûõ êîìïîíåíòîâ, ñìåøèâàíèå, ïðåññîâà-
íèå, ñïåêàíèå.
Îòæèã öèíêà ïðîâîäèëè ñ öåëüþ ïîâûøåíèÿ ïëà-
ñòè÷íîñòè è ïðåññóåìîñòè, ãëàâíûì îáðàçîì çà ñ÷åò
âîññòàíîâëåíèÿ îñòàòî÷íûõ îêèñëîâ. ×àñòèöû ðàç-
ìåðîì 40�50 ìêì îòæèãàëè â âîññòàíîâèòåëüíîé
ñðåäå âîäîðîäà ïðè òåìïåðàòóðå (0,4...0,6)Òïë, ãäå Òïë
� òåìïåðàòóðà ïëàâëåíèÿ ìåòàëëà.
Ðàññåâ îñóùåñòâëÿëè äëÿ óðàâíèâàíèÿ ÷àñòèö èñ-
õîäíûõ êîìïîíåíòîâ ïî ìàññå, èñïîëüçóÿ ñèòà ñ ðàç-
ìåðàìè ÿ÷åéêè 60 ìêì, ïîìåùåííûå â êîæóõ âåíòè-
ëÿöèîííîé ñèñòåìû.
Ñìåøèâàíèå SiO2 è öèíêà ïðîèçâîäèëè ñ èñïîëü-
çîâàíèåì øàðîâîé ìåëüíèöû ñ òàêèì ðàñ÷åòîì, ÷òî-
áû ñîäåðæàíèå âîññòàíîâèòåëÿ áûëî íà 20�30%
áîëüøå ñòåõèîìåòðè÷åñêîé âåëè÷èíû.
Ïðåññîâàíèå ïðîâîäèëè ïðè ïîìîùè ìàòðèöû-ïó-
àíñîíà äâóõñòîðîííåãî ñæàòèÿ ñ ðàçìåðàìè áðèêå-
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2005, ¹ 4
61
ÌÀÒÅÐÈÀËÛ ÝËÅÊÒÐÎÍÈÊÈ
òîâ 4×4×40 ìì íà ãèäðàâëè÷åñêîì ïðåññå ïðè äàâëå-
íèè 1000�1500 êãñ/ñì2.
Ìàññà ïîëó÷åííûõ çàãîòîâîê ñîñòàâëÿåò 2 ã.
Ñëåäóþùåé òåõíîëîãè÷åñêîé îïåðàöèåé èçãîòîâëå-
íèÿ ýëåêòðîäîâ ÿâëÿëîñü ñïåêàíèå, êîòîðîå ïðîèçâî-
äèëè ïðè òåìïåðàòóðå (0,7�0,9)Òïë â òîêå âîäîðîäà.
Ïðèìåíåíèå àòìîñôåðû âîäîðîäà ïðîäèêòîâàíî
íåîáõîäèìîñòüþ ïðåäîõðàíåíèÿ ñïåêàåìûõ ìàòåðèà-
ëîâ îò îêèñëåíèÿ â ïðîöåññå òåðìè÷åñêîé îáðàáîò-
êè. Óäàëåíèå ãàçîâ ïðè ñïåêàíèè è âîññòàíîâëåíèå
îêèñëîâ ïðèâåëè ê óëó÷øåíèþ ïîâåðõíîñòè êîíòàêòà
ìåæäó ÷àñòèöàìè.
Èçãîòîâëåííûå ýëåêòðîäû îáëàäàëè ñëåäóþùèìè
ñâîéñòâàìè: âûñîêîé ýëåêòðî- è òåïëîïðîâîäíîñòüþ,
íåîáõîäèìîé ìåõàíè÷åñêîé ïðî÷íîñòüþ êàê ïðè êîì-
íàòíîé, òàê è ïðè âûñîêèõ òåìïåðàòóðàõ, ñòàáèëüíî-
ñòüþ â õîäå âîññòàíîâëåíèÿ.
Íà ðèñ. 1 ïðåäñòàâëåí ðåàêòîð, ñ ïîìîùüþ êîòî-
ðîãî ïîëó÷àëè êðåìíèé ïî ðåàêöèè
2Zn+SiO2→Si+2ZnÎ.
Ïðîöåññ îñóùåñòâëÿëè ñëåäóþùèì îáðàçîì. Ïî-
ëó÷åííûå ýëåêòðîäû 2 è 3 óñòàíàâëèâàëè â çàæèìàõ,
îäèí èç êîòîðûõ ïîäâèæåí è îñíàùåí ðåãóëèðóþùèì
ìåõàíèçìîì 4. Âêëþ÷èâ âûñîêî÷àñòîòíûé ãåíåðàòîð
äóãè ïåðåìåííîãî òîêà, ìåäëåííî ñâîäèëè ýëåêòðî-
äû 2 è 3 ñ ïîìîùüþ ðåãóëèðîâî÷íîãî ìåõàíèçìà 4
äî âîçíèêíîâåíèÿ äóãè ìåæäó íèìè. Ïîñëå ýòîãî
óñòàíîâêó ïåðåâîäèëè íà àâòîìàòè÷åñêèé ðåæèì äëÿ
óñòàíîâëåíèÿ óñòîé÷èâîãî ïðîöåññà âîññòàíîâëåíèÿ.
Îäíîâðåìåííî îñóùåñòâëÿëè ïîäà÷ó àðãîíà â ðåàê-
òîð è îòâîä îòðàáîòàííûõ ïîáî÷íûõ ãàçîîáðàçíûõ ïðî-
äóêòîâ ðåàêöèè ÷åðåç îòâåðñòèÿ â òåôëîíîâûõ çàòâî-
ðàõ 5, êîòîðûå âìîíòèðîâàíû â ðåàêòîð 1. Ïî ìåðå
âûðàáîòêè ðàáî÷åé ÷àñòè ýëåêòðîäîâ ãåíåðàòîð äóãè
îòêëþ÷àëè. Âîññòàíîâëåííûé êðåìíèé ñîáèðàëñÿ â
âèäå êàïåëü íà ñòåíêàõ ðåàêòîðà, èçîáðàæåííûõ íà
ðèñ. 2.
Çàêëþ÷èòåëüíûì ýòàïîì ïîëó÷åíèÿ êðåìíèÿ ÿâëÿ-
ëàñü õèìè÷åñêàÿ ïðîìûâêà ïîëó÷åííîãî ìàòåðèàëà â
êèñëîòàõ. Îáðàáîòêà â àçîòíîé êèñëîòå ïîçâîëèëà î÷è-
ñòèòü åãî îò íåïðîðåàãèðîâàâøåãî öèíêà, à ïðîìûâêà
â ïëàâèêîâîé êèñëîòå � îò îñòàòêîâ SiO2.
 ðåçóëüòàòå ýëåêòðîäóãîâîãî âîññòàíîâëåíèÿ
êðåìíèÿ èç SiO2 ïîëó÷åííûé ìàòåðèàë ïîñëå õè-
ìè÷åñêîé îáðàáîòêè èìåë âèä êðèñòàëëîâ ðàçìåðîì
îêîëî 50 ìêì ñî ñòåïåíüþ ÷èñòîòû 99,993 ìàñ. %.
Òåõíîëîãè÷åñêàÿ ñõåìà èçãîòîâëåíèÿ ýëåêòðîäîâ
ñîñòàâà SiO2:Zn îáåñïå÷èâàåò ìàêñèìàëüíî âûñîêèé
ïðîöåíò âûõîäà êðåìíèÿ. Êàê ïîêàçàëè ðåçóëüòàòû èñ-
ñëåäîâàíèÿ è èñïîëüçîâàíèÿ ýëåêòðîäîâ, ìåëêîäèñ-
ïåðñíàÿ ñòðóêòóðà êîìïîíåíòîâ, ñìåøèâàíèå âîññòà-
íîâèòåëÿ ñ äèîêñèäîì êðåìíèÿ, ïîëó÷åííîãî èç ðèñî-
âîé øåëóõè, è îïòèìàëüíàÿ òåõíîëîãèÿ èõ èçãîòîâëå-
íèÿ ïîâûøàåò âûõîä âîññòàíàâëèâàåìîãî êðåìíèÿ íà
15�20% ïî ñðàâíåíèþ ñ ýëåêòðîäàìè, èçãîòîâëåí-
íûìè èç ìåëêîäèñïåðñíîãî ñèíòåòè÷åñêîãî êâàðöà.
Ó÷èòûâàÿ ðàçëè÷íûå òåõíîëîãè÷åñêèå ïîòðåáíî-
ñòè ïðè äàëüíåéøåì èñïîëüçîâàíèè âîññòàíàâëèâàå-
ìîãî ìàòåðèàëà, ìîæíî ïîëó÷àòü êðèñòàëëû áîëüøåé
âåëè÷èíû, âïëîòü äî êàïëåâèäíûõ îáðàçîâàíèé, ñíè-
æàÿ âîëüò-àìïåðíûå õàðàêòåðèñòèêè óñòàíîâêè.
Ïðè ïîñëåäóþùåì âûðàùèâàíèè ìîíîêðèñòàëëè-
÷åñêèõ ñëèòêîâ ïî ìåòîäó ×îõðàëüñêîãî ïðîèñõîäèò
î÷èñòêà êðåìíèÿ îò ïðèìåñåé, è âûðàùåííûå ñëèòêè
ñ óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì 0,25�0,20 Îì·ñì â äàëü-
íåéøåì ïðèãîäíû äëÿ èçãîòîâëåíèÿ ôîòîýëåêòðè÷å-
ñêèõ ïðåîáðàçîâàòåëåé.
***
Ïðåäëîæåííûé ñïîñîá ïîçâîëÿåò ïîëó÷àòü êðåì-
íèé ñî ñòåïåíüþ ÷èñòîòû 99,993 ìàñ. % è îáåñïå÷è-
âàåò åãî ïðîèçâîäñòâî ïî öåíå 10�15 $/êã çà ñ÷åò
óìåíüøåíèÿ çàãðÿçíåíèé ïðè èñïîëüçîâàíèè èñõîä-
íîãî ñûðüÿ, ñíèæåíèÿ ýíåðãîçàòðàò è ãàáàðèòîâ óñòà-
íîâêè, à òàêæå ñîêðàùåíèÿ ñòàäèé î÷èñòêè. Ïðè ïî-
ñëåäóþùåé êðèñòàëëèçàöèîííîé î÷èñòêå âûðàùèâà-
íèåì ñëèòêà èç ðàñïëàâà ìîæíî ïîâûñèòü óðîâåíü
÷èñòîòû ïðîäóêòà äî 99,999 ìàñ. %.
ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ
1. Òåõíîëîãèÿ ïîëóïðîâîäíèêîâîãî êðåìíèÿ / Ïîä ðåä. Ý. Ñ.
Ôàëüêåâè÷.� Ì.: Ìåòàëëóðãèÿ, 1992.
2. Aulich H. A., Grabmaier J. G. Solar-grade silicon prepared by
advanced carbothermic reduction of silica // Siemens Forschungs und
Entwicklungs.� 1986.� Bd 15, N. 4.� S. 157�210.
3. Äåêëàð. ïàò. 20040503388 Óêðàèíû. Ñïîñîá ïîëó÷åíèÿ
êðåìíèÿ / Ì. Â. Ïîâñòÿíîé, Î. Â. Ñîëîâü¸â, Á. Ï. Ìàñåíêî, È. À.
Õëîïåíîâà.� 2005.� Áþë. ¹ 3.
4. Ìàðîí÷óê È. Å., Ìàñåíêî Á. Ï., Ïîâñòÿíîé Ì. Â. è äð.
Ïîëó÷åíèå êðåìíèÿ ýëåêòðîäíûì âîññòàíîâëåíèåì ïðîäóêòîâ ïè-
ðîëèçà ðèñîâîé øåëóõè // Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåê-
òðîííîé àïïàðàòóðå.� 2003.� ¹ 1.� Ñ. 42�43.
5. Êèïàðèñîâ Ñ. Ñ., Ëèáåíñîí Ã. À. Ïîðîøêîâàÿ ìåòàëëóð-
ãèÿ.� Ì.: Ìåòàëëóðãèÿ, 1972.
6. Äåêëàð. ïàò. 20041008446 Óêðàèíû. Ñïîñîá èçãîòîâëåíèÿ
ýëåêòðîäîâ äëÿ ýëåêòðîäóãîâîãî âîññòàíîâëåíèÿ êðåìíèÿ èç äè-
îêñèäà êðåìíèÿ / Ì. Â. Ïîâñòÿíîé, Î. Â. Ñîëîâü¸â, È. À. Õëîïå-
íîâà.� 2005.� Áþë. ¹ 7.
Àðãîí
1 2 3
4
5
6
Ê âîäÿíîìó
çàòâîðó
Ðèñ. 1. Ýëåêòðîäóãîâàÿ óñòàíîâêà äëÿ âîññòàíîâëåíèÿ
êðåìíèÿ èç SiO2:
1 � êâàðöåâûé ðåàêòîð; 2 � íåïîäâèæíûé ýëåêòðîä; 3 � ïî-
äâèæíûé ýëåêòðîä; 4 � ðåãóëèðîâî÷íûé ìåõàíèçì; 5 � òåôëî-
íîâûå çàòâîðû; 6 � øòóöåð
Ðèñ. 2. Êðèñòàëë êðåìíèÿ:
à � óâåëè÷åíèå ×10; á � óâåëè÷åíèå ×17,5
à) á)
|