Эффекты переключения и памяти в МОП-структурах Al-SiO₂-Si - Искендер-заде, З.А.; Ахундов, М.Р.; Джафарова, Э.А.; Алиханова, Ш.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2004)
Показана возможность практического применения Al-SiO₂-Si-структур в создании стабильных и управляемых элементов памяти.