Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ - Вакив, Н.М.; Круковский, С.И.; Тимчишин, В.Р.; Васькив, А.П. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2013)
Разработана технология выращивания двухсторонних высоковольтных кремниевых p—i—n-структур методом жидкофазной эпитаксии в едином технологическом процессе. Электрофизические параметры полученных структур позволяют изготавливать на их основе высоковольтные диоды.