Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении
На базовых образцах CdGeAs2, CdGeP2 и высокотемпературных ферромагнитных полупроводниках Cd1–хMnхGeAs2, Cd1–хCrхGeAs2 и Cd1–хMnхGeP2 в аппарате высокого давления типа «тороид» измерены барические (до 9 GPa) и температурные зависимости удельного электросопротивления ρ, коэффициента Холла RH при 77–40...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2009
|
| Schriftenreihe: | Физика и техника высоких давлений |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/69158 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Комплексное исследование допированных ферромагнитных полупроводников при высоком давлении / А.Ю. Моллаев // Физика и техника высоких давлений. — 2009. — Т. 19, № 1. — С. 171-181. — Бібліогр.: 8 назв. — рос. |