Стиль цитування APA (7-ме видання)

Misiuk, A., Barcz, A., Ulyashin, A., Prujszczyk, M., Bak-Misiuk, J., & Formanek, P. (2010). Defects in high temperature and high pressure processed Si: N revealed by deuterium plasma treatment. Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Misiuk, A., A. Barcz, A. Ulyashin, M. Prujszczyk, J. Bak-Misiuk, та P. Formanek. Defects in High Temperature and High Pressure Processed Si: N Revealed by Deuterium Plasma Treatment. Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, 2010.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Misiuk, A., et al. Defects in High Temperature and High Pressure Processed Si: N Revealed by Deuterium Plasma Treatment. Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України, 2010.