Электропроводность диарсенида цинка при давлениях 15−50 GPa и температурах 77−400 K - Бабушкин, А.Н.; Татур, С.В.; Лях, Т.С.; Моллаев, А.Ю.; Арсланов, Р.К.; Сайпулаева, Л.А.; Маренкин, С.Ф. (Физика и техника высоких давлений, 2006)
При высоких давлениях до 50 GPa измерена электропроводность диарсенида цинка ZnAs₂ при подъеме и сбросе давления, сделан вывод о существовании при P ≈ 40 GPa структурного фазового перехода. По температурным зависимостям электросопротивления показано, что в интервале температур 250−400 K проводимость определяется активационными механизмами, причем энергии активации изменяются с изменением температуры и давления. Рассчитаны барические зависимости энергии активации и коэффициента R₀.