Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом - Москаль, Д.С.; Надточий, В.А. (Физика и техника высоких давлений, 2008)
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решением уравнения теплопроводности найдено распределение температур и механических напряжений на поверхности полупроводника для случая импульсного лазерного облучения.