Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом
Исследовано воздействие лазерного импульса с длиной волны τP = 1 ms, λ = 0.694 μm и энергией ≤ 1 J на поверхность (111) монокристаллического GaAs. Установлено, что минимальные сдвиговые напряжения, при которых активируются процессы точечного дефектообразования, составляют ~ 100 МPа. Численным решени...
Gespeichert in:
| Datum: | 2008 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Донецький фізико-технічний інститут ім. О.О. Галкіна НАН України
2008
|
| Schriftenreihe: | Физика и техника высоких давлений |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70449 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Распределение термоупругих напряжений по поверхности монокристаллов GaAs, облучаемой лазерным импульсом / Д.С. Москаль, В.А. Надточий // Физика и техника высоких давлений. — 2008. — Т. 18, № 2. — С. 154-160. — Бібліогр.: 20 назв. — рос. |