Список рецензентов номера
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70559 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Список рецензентов номера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 66. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-70559 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-705592014-11-09T03:01:56Z Список рецензентов номера 2014 Article Список рецензентов номера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 66. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70559 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Список рецензентов номера |
| spellingShingle |
Список рецензентов номера Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| title_short |
Список рецензентов номера |
| title_full |
Список рецензентов номера |
| title_fullStr |
Список рецензентов номера |
| title_full_unstemmed |
Список рецензентов номера |
| title_sort |
список рецензентов номера |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2014 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70559 |
| citation_txt |
Список рецензентов номера // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2014. — № 2-3. — С. 66. — рос. |
| series |
Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| first_indexed |
2025-07-05T19:45:30Z |
| last_indexed |
2025-07-05T19:45:30Z |
| _version_ |
1836837482760503296 |
| fulltext |
Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2014, ¹ 2–3
66
МАТЕРИАЛЫ ЭЛЕКТРОНИКИ
lize sharp impurity boundary between the layers of p- and n-type conductivity. The method of forming sharp
hetero boundaries in p-GaAs:Zn/n-GaAs:Si systems can be used for manufacturing wide range of epitaxial
structures.
Keywords: epitaxial layer, gallium arsenide, МОСVD, heteroboundary, rare-earth element, doping.
REFERENCES
1. V. Petrova-Koch, R. Hezel, A. Gotszberger. High-
efficient low cost photovoltaics. Springer, 2009.
2. Dong J. R., Teng J. H., S. J. Chua, Foo B. C., Y. J.
Wang, R. Yin. MOCVD growth of 980 nm InGaAs/GaAs/
AlGaAs graded index separate confinement heterostructure
quantum well lasers with tertiarybutylarsine. Journal
of Crystal Growth, 2006, vol. 289, iss. 1, pp. 59-62.
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2005.10.138
3. Shastry S. K., Zemon S., Kenneson D. G., Lambert G.
Control of residual imprities in very high purity GaAs grown
by organometallic vapor phase epitaxy. Appl. Phys.Lett.,
1988, vol. 52, iss. 2, p. 150. DOI: 10.1063/1.99034
4. Shunro Fuek, Masasi Umemura, Naoshi Yamada,
Kazuhiro Kuwahara, Tetsuji Imai. Morfology of GaAs
homoepitaxial layer grown on (111)A substrate planes
by organometalllic vapor phase deposition. Journal
of Applied Physics, 1990, vol. 68, iss. 1, pp. 97-100.
DOI: 10.1063/1.347076
5. Masashi Umemura, Kazuhiro Kuwahara, Shunro Fuke,
Masahiro Sato and Tetsuji Imai. Morphology of AlGaAs layer
grown on GaAs(111)A substrate plane by organometallic vapor
phase epitaxy. J. Appl. Phys., 1992, vol. 72, iss. 1, p. 313.
DOI: 10.1063/1.352141
6. Hanna M. C., Lu Z. H., Majerfeld A. Very high carbon
incorporation in metalorganic vapor phase epitaxy of heavily
doped p-type GaAs. Appl. Phys.Lett., 1991, vol. 58, iss. 2,
p. 164. DOI: 10.1063/1.104960
7. Watanabe N., Ito H. Saturation of hole concentration
in carbon-doped GaAs grown by metalorganic chemical vapour
deposition. J. C. Cryst. Growth, 1997, vol. 182, no 1-2, pp.
30-36. DOI: 10.1016/S0022-0248(97)00333-3
8. Hanna M. C., Lu Z. H., Oh E. G., Mao E., Majerfeld
A. Atmospheric pressure organometallic vapor phase epitaxy
growth of high-mobility GaAs using trimethylgallium and
arsine. Appl. Phys.Lett., 1990, vol. 57, iss. 11, p. 1120. DOI:
10.1063/1.103509
9. Marmalyuk А. А. Materialy Elektronnoi Tekhniki
[Materials of Electronic Technics], 2005, no 1, pp. 17-23.
10. Marmalyuk А. А. Materialy Elektronnoi Tekhniki
[Materials of Electronic Technics], 2004, no 3, pp 14-18.
Р Е Ö Е Н Ç Е Н Т Ы Н О М Е Р А
Áараíов Валеíòиí Владимирович, доêт. техí. íàуê, пðофессоð, Áелоðуссêèй госудàðствеííый
уíèвеðсèтет èíфоðмàтèêè è ðàдèоэлеêтðоíèêè, г. Мèíсê
Áоíдареíко Алексаíдр Федорович, êàíд. тех. íàуê, доцеíт, Доíбàссêèй госудàðствеííый техíèче-
сêèй уíèвеðсèтет, г. Алчевсê
Гаврыш Василий Иванович, доêт. техí. íàуê, доцеíт, Нàцèоíàльíый уíèвеðсèтет «Львовсêàя полèтехíèêà»
Глушечеíко Эдуард Николаевич, êàíд. техí. íàуê, íàчàльíèê отделà, Нàучíо-пðоèзводствеííое пðед-
пðèятèе «Сàтуðí», г. Кèев
Êадацкий Анатолий Федорович, доêт. техí. íàуê, зàв. êàфедðой, ОНАС èм. А. С. Поповà, г. Одессà
Êарушкин Íиколай Федорович, êàíд. техí. íàуê, íàчàльíèê отделà, НИИ «Оðèоí», г. Кèев
Êовалюк Çахарий Äмитриевич, доêт. фèз.-мàт. íàуê, ðуêоводèтель Чеðíовèцêого отделеíèя Иíстèтутà
пðоблем мàтеðèàловедеíèя èм. И. Н. Фðàíцевèчà НАНÓ
Êруковский Семен Иванович, доêт. техí. íàуê, íàч. сеêтоðà, НПП «Кàðàт», г. Львов
Кудрик ßрослав ßрославович, êàíд. техí. íàуê, стàðшèй íàучíый сотðудíèê, Иíстèтут фèзèêè
полупðоводíèêов èм. В. Е. Лàшêàðевà НАНÓ, г. Кèев
Íиколаенко Þрий Åгорович, доêт. техí. íàуê, ведущèй íàучíый со тðудíèê, НТÓÓ «Кèевсêèй
полèтехíèчесêèй èíстèтут»
Ïаíов Леоíид Иваíович, êàíд. техí. íàуê, пðофессоð, Одессêèй íàцèоíàльíый полèтехíèчесêèй
уíèвеðсèтет
Перевертайло Владимир Леонтьевич, êàíд. фèз-мàт. íàуê, зàм. дèðеêтоðà по íàучíой ðàботе, НИИ
мèêðопðèбоðов НТК «ИМК» НАНÓ, г. Кèев
Потий Александр Владимирович, доêт. техí. íàуê, íàчàльíèê êàфедðы, Хàðьêовсêèй уíèвеðсèтет
воздушíых сèл
Сòаросòеíко Владимир Викòорович, доêт. фèз.-мàт. íàуê, пðофессоð, Тàвðèчесêèй НÓ èм.
Веðíàдсêого, г. Сèмфеðополь
Сòевич Çораí, доêт. техí. íàуê, пðофессоð, Техíèчесêèй фàêультет в Áоðе Áелгðàдсêого уíèвеðсèтетà
Трофимов Владимир Евгеíüевич, êàíд. техí. íàуê, доцеíт, Одессêèй íàцèоíàльíый полèтехíèче-
сêèй уíèвеðсèтет
Хайрнасов Сергей Манисович, êàíд. техí. íàуê, стàðшèй íàучíый сотðудíèê, НТÓÓ «Кèевсêèй по-
лèтехíèчесêèй èíстèтут»
Цибрий Çиновия Федоровна, êàíд. фèз.-мàт. íàуê, стàðшèй íàучíый сотðудíèê, Иíстèтут фèзèêè
полупðоводíèêов èм. В. Е. Лàшêàðёвà НАНÓ, г. Кèев
×ечельницкий Виктор ßковлевич, доêт. техí. íàуê, дèðеêтоð фàêультетà, Одессêèй íàцèоíàльíый
полèтехíèче сêèй уíèвеðсèтет
Щербакова Галиíа Юрüевíа, êàíд. техí. íàуê, доцеíт, Одессêèй íàцèоíàльíый полèтехíèчесêèй
уíèвеðсèтет
|