Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника
Предложена математическая модель тонкопленочного транзистора с затвором Шоттки на основе аморфных полупроводниковых слоев. На основе представленной модели проведен расчет основных параметров и характеристик транзистора на основе органической пленки из фталоцианина. Указана перспективность использова...
Saved in:
| Date: | 2003 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Russian |
| Published: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2003
|
| Series: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70604 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Расчет тонкопленочных транзисторов с затвором Шоттки на основе аморфного полупроводника / А.К. Мамедов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2003. — № 2. — С. 18-20. — Бібліогр.: 5 назв. — рос. |