Взрывная кристаллизация тонких пленок полупроводников при облучении y-квантами - Храмов, Е.Ф.; Прохоров, Г.В.; Пелихатый, Н.М.; Гнап, А.К. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2003)
Выявлены ранее не описанные структурные микродефекты, возникающие в пленках полупроводника при гамма-облучении. Показано, что причиной изменения оптических свойств таких пленок являются микронеоднородности и упругие поля вокруг них. Проведенными экспериментальными исследованиями процессов радиационного дефектообразования выявлена одна из возможных причин искажения электрического сигнала в слоистых структурах изделий твердотельной электроники.