Косвенный лазерный нагрев поликристаллического кремния для получения активных элементов микросхем - Искендер-заде, З.А.; Касимов, Ф.Д.; Исмайлова, С.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Показано, что с помощью лазерной рекристаллизации пленок поликристаллического кремния удается получить высококачественные монокристаллические слои, что позволяет изготавливать в них элементы функциональных микросхем, в частности, датчики Холла.