Влияние облучения быстрыми нейтронами на эпитаксиальный арсенид галлия - Завадский, В.А.; Ленков, С.В.; Лукомский, Д.В.; Мокрицкий, В.А. (Технология и конструирование в электронной аппаратуре, 2002)
Показана возможность управления параметрами эпитаксиальных слоев арсенида галлия с помощью радиационной обработки быстрыми нейтронами. В технологическом аспекте облучение нейтронами предлагается разделить на два вида в зависимости от дозы облучения. Первый (дозы облучения до 1·10¹⁵см⁻²) может служить средством улучшения свойств слоев: повышение подвижности носителей заряда и увеличение быстродействия. Второй (дозы облучения более 5·10¹⁵см⁻²) снижает концентрацию и подвижность носителей заряда.