Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок
Применение современных средств компьютерной обработки изображения позволило создать физическую структурную и кластерную модели толстой серебропалладиевой резистивной пленки с учетом как топологических, так и метрических характеристик. Использование Оже-метода сделало возможным идентифицировать харак...
Gespeichert in:
| Datum: | 2001 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2001
|
| Schriftenreihe: | Технология и конструирование в электронной аппаратуре |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70830 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Методика определения параметров структурной и кластерной моделей толстых резистивных пленок / А.В. Стерхова, П.А. Ушаков, П.Н. Жарков // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 1. — С. 39-43. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Применение современных средств компьютерной обработки изображения позволило создать физическую структурную и кластерную модели толстой серебропалладиевой резистивной пленки с учетом как топологических, так и метрических характеристик. Использование Оже-метода сделало возможным идентифицировать характерные участки микроструктуры толстопленочного резистора (ТПР) по элементному составу с высокой степенью локальности и достоверности. Впервые выявлен бимодальный характер распределения длины проводящих цепочек и длины макросвязей между гранулами проводящей фазы, полученной по кластерной модели, что необходимо для оценки ширины потенциального барьера при проявлении тунельно-барьерного механизма и расстояния между локализованными состояниями для термоактивационного механизма электропроводности ТПР. |
|---|