Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур

Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2001
Hauptverfasser: Гаджиев, Э.М., Гусейнов, Я.Ю., Исмайлов, Н.М., Касимов, Ф.Д.
Format: Artikel
Sprache:Russian
Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2001
Schriftenreihe:Технология и конструирование в электронной аппаратуре
Schlagworte:
Online Zugang:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70837
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id irk-123456789-70837
record_format dspace
spelling irk-123456789-708372014-11-16T03:01:37Z Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур Гаджиев, Э.М. Гусейнов, Я.Ю. Исмайлов, Н.М. Касимов, Ф.Д. Качество. Надежность Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения. 2001 Article Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 2225-5818 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70837 621.315.592 ru Технология и конструирование в электронной аппаратуре Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
language Russian
topic Качество. Надежность
Качество. Надежность
spellingShingle Качество. Надежность
Качество. Надежность
Гаджиев, Э.М.
Гусейнов, Я.Ю.
Исмайлов, Н.М.
Касимов, Ф.Д.
Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
Технология и конструирование в электронной аппаратуре
description Исследовано влияние γ-излучения на параметры границы раздела Si-SiO₂ МОП-структур в зависимости от технологических режимов их получения.
format Article
author Гаджиев, Э.М.
Гусейнов, Я.Ю.
Исмайлов, Н.М.
Касимов, Ф.Д.
author_facet Гаджиев, Э.М.
Гусейнов, Я.Ю.
Исмайлов, Н.М.
Касимов, Ф.Д.
author_sort Гаджиев, Э.М.
title Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
title_short Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
title_full Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
title_fullStr Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
title_full_unstemmed Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур
title_sort влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых моп-структур
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
publishDate 2001
topic_facet Качество. Надежность
url http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/70837
citation_txt Влияние радиационно-индуцированных эффектов на радиационную стойкость кремниевых МОП-структур / Э.М. Гаджиев, Я.Ю. Гусейнов, Н.М. Исмайлов, Ф.Д. Касимов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. — 2001. — № 2. — С. 28-30. — Бібліогр.: 6 назв. — рос.
series Технология и конструирование в электронной аппаратуре
work_keys_str_mv AT gadžievém vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstojkostʹkremnievyhmopstruktur
AT gusejnovâû vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstojkostʹkremnievyhmopstruktur
AT ismajlovnm vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstojkostʹkremnievyhmopstruktur
AT kasimovfd vliânieradiacionnoinducirovannyhéffektovnaradiacionnuûstojkostʹkremnievyhmopstruktur
first_indexed 2025-07-05T19:59:10Z
last_indexed 2025-07-05T19:59:10Z
_version_ 1836838342772129792
fulltext Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2 28 ÊÀ×ÅÑÒÂÎ. ÍÀÄÅÆÍÎÑÒÜ Ý. Ì. ÃÀÄÆÈÅÂ, ê. ô.-ì. í. ß. Þ. ÃÓÑÅÉÍÎÂ, ê. ò. í. Í. Ì. ÈÑÌÀÉËÎÂ, ä. ô.-ì. í. Ô. Ä. ÊÀÑÈÌΠÀçåðáàéäæàí, ã. Áàêó, Àçåðáàéäæàíñêîå íàöèîíàëüíîå àýðîêîñìè÷åñêîå àãåíòñòâî; ã. Ñóìãàèò, Ãîñ. óíèâåðñèòåò E-mail: anasa.ssddb@azeuro.net ÂËÈßÍÈÅ ÐÀÄÈÀÖÈÎÍÍÎ-ÈÍÄÓÖÈÐÎÂÀÍÍÛÕ ÝÔÔÅÊÒΠÍÀ ÐÀÄÈÀÖÈÎÍÍÓÞ ÑÒÎÉÊÎÑÒÜ ÊÐÅÌÍÈÅÂÛÕ ÌÎÏ-ÑÒÐÓÊÒÓÐ Äàòà ïîñòóïëåíèÿ â ðåäàêöèþ 07. 11 2000 ã. Îïïîíåíòû ê. ô.-ì. í. Õ. À. ÀÑÀÄÎÂ, ä. ò. í. Â. À. ÌÎÊÐÈÖÊÈÉ Èññëåäîâàíî âëèÿíèå γ-èçëó÷åíèÿ íà ïàðàìåòðû ãðàíèöû ðàçäåëà Si�SiO2 ÌÎÏ-ñòðóêòóð â çàâèñèìîñòè îò òåõ- íîëîãè÷åñêèõ ðåæèìîâ èõ ïîëó÷åíèÿ. Óâåëè÷åíèå ñòåïåíè èíòåãðàöèè èçäåëèé ìèê- ðîýëåêòðîíèêè îáóñëàâëèâàåò íåîáõîäèìîñòü ïîâû- øåíèÿ èõ íàäåæíîñòè, â ÷àñòíîñòè, ðàäèàöèîííîé ñòîé- êîñòè. Îñîáåííî áîëüøîå çíà÷åíèå ýòè àñïåêòû ïðè- îáðåòàþò ïðè ñîçäàíèè ÌÄÏ èíòåãðàëüíûõ ñõåì, ïîñêîëüêó ïëåíêè �äèýëåêòðèê�ïîëóïðîâîäíèê� âåñüìà ÷óâñòâèòåëüíû ê âëèÿíèþ ïîâåðõíîñòíûõ ðà- äèàöèîííûõ ýôôåêòîâ. Âîçäåéñòâèå ðàäèàöèè íà ÌÄÏ-ñòðóêòóðû ïðèâîäèò ê çàìåòíîìó èçìåíåíèþ èõ ýëåêòðè÷åñêèõ õàðàêòåðèñòèê, ÷òî, â îñíîâíîì, îáóñ- ëîâëåíî îáðàçîâàíèåì öåíòðîâ çàõâàòà è íàêîïëå- íèåì ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà â äèýëåêòðèêå, à òàêæå âîçðàñòàíèåì ïëîòíîñòè áûñòðûõ ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé íà ãðàíèöå ðàçäåëà �äèýëåêòðèê�ïîëó- ïðîâîäíèê�. Íàêàïëèâàåìûé â ïîäçàòâîðíîì äè- ýëåêòðèêå çàðÿä è ïëîòíîñòü ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòî- ÿíèé ïðàêòè÷åñêè ïîëíîñòüþ îïðåäåëÿþò èõ ðàáî- òîñïîñîáíîñòü [1�3]. Áîëüøîå âëèÿíèå íà ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü ÌÎÏ-ñòðóêòóð îêàçûâàþò ðåæèìû âûðàùèâàíèÿ êðåìíèåâîé ïëåíêè è îêèñëà è èõ ïîñëåäóþùåãî îòæèãà, à òàêæå òåðìîîáðàáîòêè, ïðîâåäåííîé ïåðåä îáëó÷åíèåì. Óñòàíîâëåíî ñóùåñòâîâàíèå ñèëüíîé çàâèñèìîñòè ýëåêòðè÷åñêèõ ïàðàìåòðîâ ñëîåâ àìîð- ôíîãî êðåìíèÿ îò ñòðóêòóðû ôîðìèðóåìîãî ñëîÿ, à òàêæå îò ðåæèìîâ åãî îñàæäåíèÿ [4].  íàñòîÿùåé ðàáîòå èññëåäîâàíû òåõíîëîãè÷åñêèå óñëîâèÿ ïî- âûøåíèÿ ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè ÌÎÏ-ñòðóêòóð, êðåìíèåâàÿ ïëåíêà êîòîðûõ ïîëó÷åíà ëàçåðíîé ðåêðè- ñòàëëèçàöèåé àìîðôíîé ïëåíêè êðåìíèÿ ñ ìíîãîêðàò- íûì èìïóëüñíûì âîçäåéñòâèåì ìàëîé ìîùíîñòè. Âûñîêîêà÷åñòâåííûå êðåìíèåâûå ýïèòàêñèàëüíûå ñëîè íà ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîì êðåìíèè äëÿ ÈÑ ñ âåðòèêàëüíîé èíòåãðàöèåé ïîëó÷àëè èìïóëüñíîé ëà- çåðíîé îáðàáîòêîé íà âîçäóõå íåïîñðåäñòâåííî ïîñ- ëå íàïûëåíèÿ â âàêóóìå (~104 Ïà) àìîðôíûõ ñëîåâ êðåìíèÿ íà ïîäëîæêó. Òàê êàê ïëîòíîñòü íàïûëåí- íûõ ñëîåâ ìåíüøå, ÷åì ìîíîêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåì- íèÿ, òî â ýïèòàêñèàëüíîì ñëîå ïîñëå ëàçåðíîé îáðà- áîòêè èíîãäà íàáëþäàëèñü ìèêðîïóçûðüêè è ñôåðè- ÷åñêèå ïóñòîòû, êîòîðûå óäàëÿëèñü, ñîãëàñíî [4], ïî- âòîðíûìè ëàçåðíûìè èìïóëüñàìè. Îêàçàëîñü âîç- ìîæíûì ïîëó÷åíèå ýïèòàêñèàëüíûõ ïëåíîê îáðà- áîòêîé àìîðôíûõ ñëîåâ êðåìíèÿ ìíîãîêðàòíûì èì- ïóëüñíûì ëàçåðíûì âîçäåéñòâèåì (äëèíà âîëíû 0,694 ìêì, âðåìÿ èìïóëüñà 30 íñ, 100 èìïóëüñîâ) ñòîëü ìàëîé ýíåðãèè (Å=0,045 Äæ·ñì�2), ÷òî ïëîò- íîñòü ýíåðãèè îòäåëüíîãî èìïóëüñà íå âûçûâàåò îáðàçîâàíèå öåíòðîâ ïëàâëåíèÿ íà ïîâåðõíîñòè. Èññëåäîâàíèÿ ãðàíèöû ðàçäåëà Si�SiO2 ïðî- âîäèëè ýêñïðåññ-ìåòîäîì, èçëîæåííûì â [5], ïóòåì èçìåðåíèÿ âîëüò-åìêîñòíîé (Ñ�U) çàâèñèìîñòè ÌÎÏ-ñòðóêòóð â òî÷êàõ ïëîñêèõ çîí è èíâåðñèè. Èçìåðåíèÿ ÂÔÕ îñóùåñòâëÿëèñü ðåçîíàíñíûì ìå- òîäîì ñ èñïîëüçîâàíèåì ìîñòà ïîëíûõ ïðîâîäèìîñ- òåé Ë2-7 íà ÷àñòîòå 1 ÌÃö. Ïîëó÷åííûå â ðåçóëüòà- òå èçìåðåíèé ÂÔÕ ïðèâåäåíû íà ðèñ. 1. Ñóììàðíûé çàðÿä â îêèñëå QÎX è íà ïîâåðõíîñ- òíûõ ñîñòîÿíèÿõ QSS â òî÷êàõ ïëîñêèõ çîí è èí- âåðñèè îïðåäåëÿëñÿ ïî ôîðìóëå ,)( ÎCUQQ FB g FB SSOX ⋅∆=+ (1) åìêîñòü ïîäçàòâîðíîãî îêèñëà, îïðåäåëÿåìàÿ èç ýêñïåðèìåíòàëüíîé ÂÔÕ; ñäâèã ýêñïåðèìåíòàëüíîé êðèâîé îòíîñèòåëü- íî òåîðåòè÷åñêîé â òî÷êå åìêîñòè ïëîñêèõ çîí CS FB ; ãäå ÑÎ � ∆Ug FB � Ðèñ. 1. Âûñîêî÷àñòîòíûå Ñ�U-õàðàêòåðèñòèêè ÌÎÏ- ñòðóêòóð, ñôîðìèðîâàííûõ íà ïëåíêå, ðåêðèñòàëëèçîâàí- íîé ëàçåðíûì ëó÷îì, (2) è íà êîíòðîëüíîé êðåìíèåâîé ïëàñòèíå ÊÝÔ-0,5 (3); 1 �òåîðåòè÷åñêàÿ êðèâàÿ ÂÔÕ �5 �4 �3 �2 �1 0 1 2 3 U,B ∆UFB ∆Uinv 12 3 C/C0 1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2 29 ÊÀ×ÅÑÒÂÎ. ÍÀÄÅÆÍÎÑÒÜ Äëÿ âûäåëåíèÿ èç îáùåãî çàðÿäà ãðàíèöû ðàçäå- ëà çàðÿäà ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé QSS íàõîäèòñÿ åìêîñòü ïîëóïðîâîäíèêà â òî÷êå èíâåðñèè: ( )[ ]C q N US inv S D g inv S= −ε ϕ/ / 2 1 2 , (2) Ïî ôîðìóëå (1) âû÷èñëÿåòñÿ ñóììàðíûé çàðÿä ãðàíèöû â òî÷êå èíâåðñèè. Ðàçíîñòü ìåæäó çíà÷å- íèÿìè ñóììàðíîãî çàðÿäà íà ãðàíèöå ðàçäåëà Si� SiO2 â òî÷êàõ ïëîñêèõ çîí è èíâåðñèè è åñòü çàðÿä ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé QSS. Èç ðèñ. 1 âèäíî, ÷òî ñóììàðíûé çàðÿä QSS íà ãðàíèöå ðàçäåëà Si�SiO2 â ðåêðèñòàëëèçîâàííîé ïëåíêå (êðèâàÿ 2) ìåíüøå, ÷åì â îáû÷íîé êðåìíèåâîé ïëàñòèíå (êðèâàÿ 3). Ýòî îáúÿñíÿåòñÿ, ïî-âèäèìîìó, òåì, ÷òî âî âðåìÿ ðåêðèñòàëëèçàöèè ëàçåðíûì ëó÷îì îäíîâðåìåííî ïðîèñõîäèò è îòæèã ïîâåðõíîñòíûõ äåôåêòîâ. Ïðè âîçäåéñòâèè èîíèçèðóþùåãî γ-èçëó÷åíèÿ îò èñòî÷íèêà 60Ño â ïåðåõîäíîé îáëàñòè Si�SiO2 íà- áëþäàëîñü èíòåíñèâíîå îáðàçîâàíèå äåôåêòîâ ñ ïî- âûøåíèåì êîíöåíòðàöèè ïîâåðõíîñòíûõ ñîñòîÿíèé, êîòîðîå äîõîäèëî â íåêîòîðûõ ñëó÷àÿõ äî äâóõ ïîðÿäêîâ. Ýòî ñâÿçàíî ñ îáðàçîâàíèåì â äèýëåêò- ðèêå ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð, ÷àñòü êîòîðûõ ðå- êîìáèíèðóåò äðóã ñ äðóãîì, à äðóãàÿ ÷àñòü ïåðåìå- ùàåòñÿ ïî äèýëåêòðè÷åñêîé ïëåíêå.  äèîêñèäå êðåì- íèÿ ïîäâèæíîñòü äûðîê âî ìíîãî ðàç ìåíüøå, ÷åì ïîäâèæíîñòü ýëåêòðîíîâ. Âñëåäñòâèå ýòîãî ýëåêò- ðîíû ïîêèäàþò îêñèä, à äûðêè, èçáåæàâøèå ðåêîì- áèíàöèè, çàõâàòûâàþòñÿ íà ëîâóøêè â äèýëåêòðèêå. Òàêèì îáðàçîì, â îáúåìå äèýëåêòðèêà íàêàïëèâàåò- ñÿ ïîëîæèòåëüíûé çàðÿä. Î÷åâèäíî, âåëè÷èíà ýòîãî çàðÿäà è ñêîðîñòü åãî íàêîïëåíèÿ çàâèñÿò îò äîëè îáðàçîâàâøèõñÿ ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð, èçáåæàâ- øèõ ðåêîìáèíàöèè.  [6] áûëî ïîêàçàíî, ÷òî ýòà äîëÿ çàâèñèò íå îò âèäà èçëó÷åíèÿ, à òîëüêî îò ýíåðãèè êâàíòîâ ýëåêòðîìàãíèòíîãî èçëó÷åíèÿ (óëü- òðàôèîëåòîâûå ëó÷è, ìÿãêîå è æåñòêîå ðåíòãåíî- âñêèå èçëó÷åíèÿ, γ-èçëó÷åíèå). Ïðîâåäåííûìè èññëåäîâàíèÿìè óñòàíîâëåíî, ÷òî íàèáîëåå ñîâåðøåííóþ ãðàíèöó ðàçäåëà Si�SiO2 (NSS≤1010ñì�2) óäàåòñÿ ïîëó÷èòü ïðè òåðìè÷åñêîì îêèñëåíèè êðåìíèÿ â ñóõîì êèñëîðîäå â ïðèñóò- ñòâèè ïàðîâ HCl â êîíöåíòðàöèè 0,3�1%. Òàêîå çàìåòíîå âëèÿíèå íåçíà÷èòåëüíîãî êîëè÷åñòâà õëî- ðèñòîãî âîäîðîäà îáúÿñíÿåòñÿ âçàèìîäåéñòâèåì õëî- ðà ñ èìåþùèìèñÿ â îêèñëå ïîäâèæíûìè ïîëîæè- òåëüíûìè èîíàìè íàòðèÿ è èõ ñòàáèëèçàöèåé. Íà ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü ÌÎÏ-ñòðóêòóð âëèÿåò òàêæå ñêîðîñòü âûðàùèâàíèÿ îêèñëà. Ðàç- ëè÷íûå ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ ïðè ïîñòîÿííîé òåì- ïåðàòóðå äîñòèãàëèñü èñïîëüçîâàíèåì ïîíèæåííûõ ïàðöèàëüíûõ äàâëåíèé êèñëîðîäà â íåñóùåì ãàçå àçîòå èëè àðãîíå. Óñòàíîâëåíî, ÷òî ðàäèàöèîííàÿ ÷óâñòâèòåëüíîñòü ðåçêî ïîâûøàåòñÿ ñ óìåíüøåíèåì ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ ïðè èñïîëüçîâàíèè àçîòà, íî îñòàåòñÿ íåèçìåííî íèçêîé, êîãäà íåñóùèì ãàçîì ÿâëÿåòñÿ àðãîí (ðèñ. 2). Àíàëîãè÷íûå ðåçóëüòàòû áûëè ïîëó÷åíû äëÿ íàïðÿæåíèé ïëîñêèõ çîí ∆UFB è ïîðîãîâîãî íàïðÿ- æåíèÿ Uïîð, âû÷èñëåííûõ èç C�V-õàðàêòåðèñòèê ïðè ïîëîæèòåëüíûõ è îòðèöàòåëüíûõ ñìåùåíèÿõ, ïðè- ëîæåííûõ ê çàòâîðó â ïðîöåññå îáëó÷åíèÿ. Ðåçóëü- òàòû, ïîëó÷åííûå â àðãîíå, óêàçûâàþò íà îòñóòñòâèå çàâèñèìîñòè ðàäèàöèîííîé ñòîéêîñòè ñòðóêòóðû îò ñêîðîñòè âûðàùèâàíèÿ îêèñëà â ñóõîì êèñëîðîäå ïðè 1273 Ê. Ëèíåéíàÿ çàâèñèìîñòü èíäóöèðîâàííûõ ðàäèàöèåé ñäâèãîâ íàïðÿæåíèÿ ïëîñêèõ çîí îò ïàð- öèàëüíîãî äàâëåíèÿ àçîòà îçíà÷àåò, ÷òî àçîò íå ÿâ- ëÿåòñÿ èíåðòíûì ãàçîì ïðè âûðàùèâàíèè îêèñëà.  ñîîòâåòñòâèè ñ âåëè÷èíîé êîýôôèöèåíòà äèôôóçèè àçîòà â SiO2 åãî êîíöåíòðàöèÿ ó ïîâåðõíîñòè ðàç- äåëà Si�SiO2 ïðÿìî ïðîïîðöèîíàëüíà âíåøíåìó ïàð- öèàëüíîìó äàâëåíèþ, ò. å. ìîæíî ñ÷èòàòü, ÷òî íåêî- òîðîå êîëè÷åñòâî àçîòà ïîïàäàåò â îêèñåë ïðè åãî âûðàùèâàíèè. Èçìåíÿÿ äëèòåëüíîñòü è òåìïåðàòóðó îòæèãà, ïî- ëó÷àëè îêèñëû ñ îïðåäåëåííîé çàäàííîé ðàäèàöèîí- íîé ñòîéêîñòüþ. Òàê, óìåíüøåíèå òåìïåðàòóðû îò- æèãà ñ 1370 äî 1170 Ê óëó÷øàëî ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü ñòðóêòóð ïî÷òè íà ïîðÿäîê (ðèñ. 3). Èç ðèñ. 4 âèäíî, ÷òî ïðè ïîñòîÿííîé òåìïåðàòó- ðå îòæèãà (íà÷èíàÿ ñ 1220 Ê) ðàäèàöèîííàÿ ñòîé- êîñòü âíà÷àëå óëó÷øàåòñÿ, à çàòåì ïàäàåò. Îòæèã â òå÷åíèå 360�420 ñ ïðè 1220 Ê äàåò òàêîå æå èçìå- íåíèå âåëè÷èíû ñäâèãà íàïðÿæåíèÿ ïëîñêèõ çîí, êàê è îòæèã â òå÷åíèå ÷àñà ïðè òåìïåðàòóðå 1120 Ê. íàïðÿæåíèå íà çàòâîðå â òî÷êå èíâåðñèè; ïîâåðõíîñòíûé ïîòåíöèàë, ïðèíèìàåìûé â òî÷êå èíâåðñèè ðàâíûì 2ϕF; óðîâåíü Ôåðìè â ïîëóïðîâîäíèêå. ãäå Ug inv � ϕS � ϕF � çàðÿä ýëåêòðîíà; äèýëåêòðè÷åñêàÿ ïðîíèöàåìîñòü ïîëóïðîâîäíè- êà; êîíöåíòðàöèÿ ëåãèðóþùåé ïðèìåñè äîíîðíîãî òèïà; ïîñòîÿííàÿ Áîëüöìàíà; àáñîëþòíàÿ òåìïåðàòóðà. q � εS � ND � k � Ò � ;)/( 2/1kTNqC DS FB S ε= 0 10 20 30 40 50 14 12 10 8 6 4 2 Ïàðöèàëüíîå äàâëåíèå, % Ñ äâ èã í àï ðÿ æ åí èÿ U Ï Ç ,  2 1 Ðèñ. 2. Ðàäèàöèîííî-èíäóöèðîâàííûå ñäâèãè íàïðÿæå- íèÿ ïëîñêèõ çîí (UÏÇ) äëÿ îêèñëîâ, âûðàùåííûõ ïðè ðàçëè÷íûõ ïàðöèàëüíûõ äàâëåíèÿõ àðãîíà (1) è àçîòà (2), ïîñëå îáëó÷åíèÿ äîçîé 106 ðàä Òåõíîëîãèÿ è êîíñòðóèðîâàíèå â ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðå, 2001, ¹ 2 30 ÊÀ×ÅÑÒÂÎ. ÍÀÄÅÆÍÎÑÒÜ Òàêèì îáðàçîì, óñòàíîâëåíî, ÷òî â ÌÎÏ-ñòðóê- òóðàõ, êðåìíèåâàÿ ïëåíêà êîòîðûõ ïîëó÷åíà ëàçåð- íîé ðåêðèñòàëëèçàöèåé àìîðôíîé ïëåíêè êðåìíèÿ ñ ìíîãîêðàòíûì èìïóëüñíûì âîçäåéñòâèåì ìàëîé ìîù- íîñòè, íàèáîëüøàÿ ðàäèàöèîííàÿ ñòîéêîñòü äîñòèãà- åòñÿ ïðè ôîðìèðîâàíèè äèîêñèäà êðåìíèÿ îêèñëå- íèåì â ñóõîì êèñëîðîäå ñ ìàëîé äîáàâêîé HCl è ïîñëåäóþùèì îòæèãîì â àðãîíå. Ýêñïåðèìåíòû ïî èçó÷åíèþ âëèÿíèÿ äëèòåëüíîñòè è òåìïåðàòóðû îò- æèãà ïîçâîëèëè óñòàíîâèòü, ÷òî êàæäîé òåìïåðàòó- ðå îòæèãà ñîîòâåòñòâóåò îïòèìàëüíîå çíà÷åíèå åãî äëèòåëüíîñòè ñ òî÷êè çðåíèÿ ïîëó÷àåìîé ðàäèàöè- îííîé ñòîéêîñòè, ò. å. ðàäèàöèîííóþ ñòîéêîñòü ìîæ- íî ðåãóëèðîâàòü âðåìåíåì è òåìïåðàòóðîé îòæèãà. ÈÑÏÎËÜÇÎÂÀÍÍÛÅ ÈÑÒÎ×ÍÈÊÈ 1. Ãåðàñèìîâ À. Á., Äæàíäèåðè Ì. Ø., Öåðöâàäçå À. À. Êèíåòèêà íàêîïëåíèÿ èíäóöèðîâàííîãî ðàäèàöè- åé ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà â äèýëåêòðèêàõ ÌÄÏ- ñòðóêòóð // Ìèêðîýëåêòðîíèêà.� 1980.� Ò. 9, ¹5.� Ñ. 450�455. 2. Âèíåöêèé Â. Ë., ×àéêà Ã. Å., Øåâ÷åíêî Å. Ñ. Äè- íàìèêà âñòðàèâàíèÿ çàðÿäà ïðè îáëó÷åíèè ÌÄÏ-ñòðóê- òóðû // ÔÒÏ.� 1982.� Ò. 16, ¹ 8.� Ñ. 1478�1482. 3. Collins T. V., Holmstrom F. E., Churchhill J. N. Charge distributions in MOS capacitors for large irradiation doses // IEEE Trans. Nucl. Sci.� 1979.� Vol. NS-26, N 6.� P. 5176�5179. 4. Êðàñíèêîâ Ã. ß., Ìàíæà Í. Ì., Ëåáåäåâ Ñ. Â. è äð. Àìîðôíûé êðåìíèé � ïåðñïåêòèâíûé ìàòåðèàë äëÿ ìèêðîýëåêòðîíèêè // Ýëåêòðîííàÿ ïðîìûøëåííîñòü.� 2000.� ¹ 3.� Ñ. 44�47. 5. Êàñèìîâ Ô. Ä., Àáäóëëàåâ À. Ã., Âåòõîâ Â. À. Èñ- ñëåäîâàíèå ðàñïðåäåëåíèÿ êîíöåíòðàöèè íîñèòåëåé â îáúåìå è íà ãðàíèöàõ çåðåí ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåì- íèÿ ìåòîäîì C�V-õàðàêòåðèñòèê //  ñá.: Äèýëåêòðè- êè è ïîëóïðîâîäíèêè.�Êèåâ, Âèùà øêîëà.� 1985.� Âûï. 28.� Ñ. 64�68. 6. Dozier C. M., Brown D. B. Effect of photon energy on the response of MOS devices // IEEE Trans. Nucl. Sci.� 1981.� Vol. NS-28, N 6.� P. 4137�4141. Ðèñ. 3. Çàâèñèìîñòü ðàäèàöèîííî-èíäóöèðîâàííûõ ñäâèãîâ UFB äëÿ ÌÎÏ-êîíäåíñàòîðîâ íà ïîäëîæêå ð-òèïà îò äîçû îáëó÷åíèÿ ïðè òåìïåðàòóðå îòæèãà 1173 Ê (1), 1223 Ê (2), 1273 Ê (3), 1323 Ê (4), 1373 Ê (5) 103 104 105 106 Äîçà îáëó÷åíèÿ, ðàä Ñ äâ èã í àï ðÿ æ åí èÿ U F B ,  0 �2 �4 �6 �8 1 2 3 4 5 Ðèñ. 4. Çàâèñèìîñòü âåëè÷èíû ñäâèãà ïëîñêèõ çîí îò äëèòåëüíîñòè îòæèãà (τ) ïðè òåìïåðàòóðå 1273 Ê (1), 1223 Ê (2), 1173 Ê (3), 1123 Ê (4) ïðè äîçå îáëó÷åíèÿ 105 ðàä 10 1 6 60 102 τ, c Ñ äâ èã í àï ðÿ æ åí èÿ U F B , B 2 1 3 4 â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ï îðòô åëå ðåäàê ö è è â ï îðòô åëå ðåäàê ö è è â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèè â ïîðòôåëå ðåäàêöèèâ ï îð òô åë å ðå äà ê ö è è â ï îð òô åë å ðå äà ê ö è è Ø Ø Àëãîðèòì óïðàâëåíèÿ äëÿ íå÷åòêîãî ðåãóëÿòîðà. Ë. Ï. Âåðøèíèíà (Ðîññèÿ, ã. Ñ.-Ïåòåðáóðã) Ìîäåëèðîâàíèå ðàçúåìíûõ êîíòàêòîâ â ýëåêòðè÷åñêèõ ñîåäèíåíèÿõ ýëåêòðîííîé àïïàðàòóðû. À. À. Åôèìåíêî, Â. Â. Øàòàëîâ (Óêðàèíà, ã. Îäåññà) Ñîñòîÿíèå è òåíäåíöèè ðàçâèòèÿ òâåðäîòåëüíûõ ôîòîïðåáðàçîâàòåëåé ñîëíå÷íîé ýíåðãèè. Þ. Å. Íèêîëàåíêî, Í. Ì. Âàêèâ, Ñ. È Êðóêîâñêèé, Â. Þ. Åðîõîâ, È. È. Ìåëüíèê, È. Ð. Çàâåðáíûé (Óêðàèíà, ã. Ëüâîâ) Êðåìíèåâûå P�N-ôîòîäèîäû äëÿ áëèæíåé óëüòðàôèîëåòîâîé îáëàñòè ñïåêòðà. Þ. Ã. Äîáðî- âîëüñêèé, Â. Â. Ðþõòèí, À. Á. Øèìàíîâñêèé (Óêðàèíà, ã. ×åðíîâöû) Ø Ø Ø Ø Ê âîïðîñó î ïðîåêòèðîâàíèè âûñîêîâîëüòíûõ ÊÌÎÏ ÁÈÑ êëþ÷åé è êîììóòàòîðîâ. Â. Ã. Âåðáèöêèé, Â. È. Çîëîòàðåâñêèé, Þ. Å. Íèêîëà- åíêî, Ë. È. Ñàìîòîâêà, Å. Ñ. Òîâìà÷ (Óêðàèíà, ã. Êèåâ) Íåãàòðîííûå ýëåìåíòû íà îñíîâå ëîêàëüíûõ ïëåíîê ïîëèêðèñòàëëè÷åñêîãî êðåìíèÿ. Ô. Ä. Êàñèìîâ, Ì. Ð. Ðàãèìîâ (Àçåðáàéäæàí, ã. Áàêó)